安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMS4177PR2G 编号：C99787

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥2.9088
50+
￥2.4053
150+
￥2.1895
500+
￥1.9202
2500+
￥1.8004
5000+
￥1.7284

有货

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型号：FDS6675BZ 编号：C188503

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥2.87
30+
￥2.53
100+
￥2.19
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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型号：FDD5614P 编号：C236892

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.04
30+
￥2.65
100+
￥2.26
500+
￥2.03
1000+
￥1.91

有货

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型号：FDMC86139P 编号：C463243

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

1+
￥6.89
10+
￥5.67
30+
￥5
100+
￥4.25
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

有货

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型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7
10+
￥5.75
30+
￥5.13
100+
￥4.34
500+
￥3.97
1000+
￥3.78

有货

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型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥7.47
10+
￥6.18
30+
￥5.53
100+
￥3.77
500+
￥3.38
800+
￥3.18

有货

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型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥19.66
10+
￥16.76
30+
￥15.04
90+
￥13.29
450+
￥12.49
900+
￥12.13

有货

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型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4959
100+
￥0.3999
300+
￥0.3519
3000+
￥0.2658
6000+
￥0.237
9000+
￥0.2226

有货

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型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

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5+
￥1.5179
50+
￥1.2054
150+
￥1.0715
500+
￥0.9044
3000+
￥0.83
6000+
￥0.7854

有货

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型号：FDC86244 编号：C3290085

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。

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5+
￥1.955
50+
￥1.558
150+
￥1.3878
500+
￥1.1755
3000+
￥1.081

有货

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型号：FDC2612 编号：C157544

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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1+
￥3.13
10+
￥2.548 ￥2.8
30+
￥2.1384 ￥2.64
100+
￥2.0007 ￥2.47
500+
￥1.9278 ￥2.38
1000+
￥1.8873 ￥2.33

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥3.85
10+
￥3.12
30+
￥2.76
100+
￥2.4
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

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