安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1404
50+
￥0.9067
150+
￥0.8065
500+
￥0.6816
3000+
￥0.5713
6000+
￥0.5379

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型号：FDN306P 编号：C154510

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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5+
￥1.6427
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￥1.3467
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￥1.2198
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￥1.0615
3000+
￥0.9419
6000+
￥0.8996

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型号：NTF3055-100T1G 编号：C146718

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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￥3.79
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￥3.05
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￥2.73
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￥2.33
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

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型号：FDS8949 编号：C10874

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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1+
￥4.7
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￥3.83
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￥3.39
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￥2.96
500+
￥2.7
1000+
￥2.57

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型号：FDD6637 编号：C114384

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 RDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势。

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￥6.35
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￥5.14
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￥4.54
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￥3.94
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￥3.58
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￥3.39

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型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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￥7.88
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￥6.48
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￥5.71
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￥4.84
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￥4.45
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￥4.28

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型号：FQP6N90C 编号：C128798

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 900V 6A

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￥15.29
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￥13.1
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￥9.92
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￥8.52
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￥7.89
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￥7.62

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型号：FDP075N15A-F102 编号：C128790

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥15.41
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￥13.27
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￥11.47
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￥10.1
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￥9.49
800+
￥9.22

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型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥24.85
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￥21.13
30+
￥18.92
90+
￥16.69
450+
￥15.66
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￥15.19

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型号：2V7002KT1G 编号：C415857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低 RDS(on)。表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

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10+
￥0.3215
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￥0.2631
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￥0.2339
3000+
￥0.1937
6000+
￥0.1762
9000+
￥0.1674

有货

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型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.61
50+
￥0.4852
150+
￥0.4228
500+
￥0.376
3000+
￥0.3386
6000+
￥0.3198

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型号：NTR1P02LT3G 编号：C896854

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

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5+
￥0.7206
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￥0.5439
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￥0.4555
500+
￥0.3893
2500+
￥0.3266
5000+
￥0.3

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型号：FQD13N10LTM 编号：C37552

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥2.71
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￥2.16
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￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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型号：NTF6P02T3G 编号：C179617

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-20V，-10A，50mΩ，单 P 沟道，SOT-223，逻辑电平

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1+
￥2.88
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￥2.58
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￥2.43
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￥2.29
500+
￥2.08
1000+
￥2.04

有货

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型号：FDS6690A 编号：C87667

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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1+
￥3.38
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￥2.69
30+
￥2.35
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￥2.01
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

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型号：FDD5614P 编号：C236892

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

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1+
￥3.63
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￥2.94
30+
￥2.59
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￥2.25
500+
￥2.05
1000+
￥1.94

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型号：NTGD4167CT1G 编号：C140582

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双

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1+
￥3.64
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￥2.77
30+
￥2.4
100+
￥1.94
500+
￥1.61
1000+
￥1.48

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型号：FQT7N10LTF 编号：C154506

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥4.11
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￥3.25
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￥2.81
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￥2.39
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￥1.89
1000+
￥1.76

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥4.17
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￥3.34
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￥2.92
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￥2.51
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￥1.94
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￥1.81

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型号：FQD2N100TM 编号：C74765

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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1+
￥4.57
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￥3.65
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￥3.18
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￥2.72
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￥2.45
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￥2.31

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型号：FDD9509L-F085 编号：C605022

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道，PowerTrench MOSFET，-40 V，-100 A，4.4 mΩ

数据手册

1+
￥4.7595 ￥5.01
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￥3.8165 ￥4.49
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￥3.15 ￥4.2
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￥2.91 ￥3.88
500+
￥2.805 ￥3.74
1000+
￥2.7525 ￥3.67

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型号：MVGSF1N02LT1G 编号：C463102

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥5.22
10+
￥4.15
30+
￥3.62
100+
￥3.09
500+
￥2.78
1000+
￥2.62

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型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

数据手册

1+
￥6.69
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￥5.35
30+
￥4.68
100+
￥4.02
500+
￥3.62
1000+
￥3.41

有货

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型号：FQPF4N90C 编号：C2696

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥6.06
50+
￥5.23
100+
￥4.84
500+
￥4.67
1000+
￥4.59

有货

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型号：NTMFS5C410NT1G 编号：C604434

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，0.92 mΩ，300 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥7.66
10+
￥6.47
30+
￥5.14
100+
￥4.55
500+
￥4.19
1500+
￥4.01

有货

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.5
10+
￥11.36
30+
￥10.02
90+
￥8.65
450+
￥8.04
900+
￥7.77

有货

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥15.21
10+
￥14.46
30+
￥14.01
100+
￥11.53
500+
￥11.32

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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥15.39
10+
￥13
30+
￥11.02
90+
￥9.49
510+
￥8.8
990+
￥8.5

有货

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型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

数据手册

20+
￥0.2146
200+
￥0.1668
600+
￥0.1402
3000+
￥0.116
9000+
￥0.1022
21000+
￥0.0948

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型号：NTR4003NT1G 编号：C82325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3969
100+
￥0.3201
300+
￥0.2817
3000+
￥0.2282
6000+
￥0.2051
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