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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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最新的950V系列在超结(SJ)技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比,PFD7提供了一个集成的超快体二极管,使其能够在具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑中使用。
  • 1+

    ¥37.72
  • 10+

    ¥32.57
  • 30+

    ¥29.43
  • 有货
  • 特性:优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层;符合 RoHS 标准,无卤素。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥38.92
    • 10+

      ¥33.2
    • 30+

      ¥29.71
  • 有货
    • 1+

      ¥43.75
    • 10+

      ¥42.68
    • 30+

      ¥41.96
  • 有货
  • 特性:N- 沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥47.19
    • 10+

      ¥40.07
    • 30+

      ¥35.73
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥54.77
    • 10+

      ¥47.68
    • 30+

      ¥43.36
  • 有货
  • 第8代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥90.02
    • 10+

      ¥85.49
    • 30+

      ¥77.62
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    • 单价:

      ¥102.28 / 个
  • 有货
  • CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和 LLC 等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中具备最高效率
    • 1+

      ¥102.85
    • 10+

      ¥98.47
    • 30+

      ¥90.9
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    • 1+

      ¥111.64
    • 10+

      ¥107.77
  • 有货
    • 1+

      ¥135.13
    • 10+

      ¥128.93
    • 30+

      ¥118.18
  • 有货
  • IPDQ60R010S7A是一款高压功率MOSFET,依据英飞凌科技公司率先提出的超结(SJ)原理设计为静态开关。IPDQ60R010S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新技术相结合,可在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用(如断路器)进行了优化
    • 1+

      ¥203.46
    • 30+

      ¥193.46
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 5+

      ¥0.3476
    • 50+

      ¥0.3401
    • 150+

      ¥0.3352
  • 有货
  • N沟道,200V,600mA,2.2Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9528
    • 50+

      ¥0.9322
    • 150+

      ¥0.9185
  • 有货
  • 特性:行业标准TSOP-6封装。 符合RoHS标准,无铅、无溴、无卤素。 MSL1,通过消费级认证。 多厂商兼容性。 更环保。 更高的可靠性。应用:系统/负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥1.47
    • 10+

      ¥1.43
    • 30+

      ¥1.41
  • 有货
  • N沟道 30V 15A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.13
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥2.06
  • 有货
  • MOS全桥
    数据手册
    • 10+

      ¥1.67805
    • 100+

      ¥1.6159
    • 200+

      ¥1.4916
    • 1000+

      ¥1.42945
    • 2000+

      ¥1.39216
    • 1+

      ¥2.75
    • 10+

      ¥2.68
    • 30+

      ¥2.64
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台,适用于消费市场中对成本敏感的应用,如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,兼具出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.8
  • 有货
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥3.08
  • 有货
  • CoolMOS TM 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS TM C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此推出的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥3.29
    • 30+

      ¥3.24
  • 有货
  • 特性:n沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.06
  • 有货
    • 1+

      ¥3.57
    • 10+

      ¥3.49
    • 30+

      ¥3.44
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 普通电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.63
  • 有货
  • CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。最新的 CoolMOs TM P7 是一个经过优化的平台,专门针对消费市场中对成本敏感的应用,如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.09
    • 30+

      ¥2.7
    • 100+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.72
  • 有货
  • 特性:优化的同步场效应管,适用于高性能降压转换器。 集成单片肖特基类二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.86
  • 有货
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥4.03
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.91
  • 有货
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥4.13
    • 30+

      ¥4.07
  • 有货
  • N沟道,30V,16A,6.1mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.58
    • 10+

      ¥4.47
    • 30+

      ¥4.39
  • 有货
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