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这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术,以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效且可靠的器件,可广泛应用于各种其他领域
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  • 1+

    ¥6.88
  • 10+

    ¥6.73
  • 30+

    ¥6.62
  • 有货
  • 特性:双N沟道,逻辑电平。 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET。 针对同步整流优化的技术。 无铅电镀;符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 卓越的热阻
    数据手册
    • 1+

      ¥7.12
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      ¥6.94
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      ¥6.82
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本降低性能比。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.28
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      ¥7.11
    • 30+

      ¥7
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥7.29
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      ¥7.11
    • 30+

      ¥6.98
  • 有货
  • 特性:N沟道逻辑电平。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。MSL1等级,最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保封装(无铅)。超低导通电阻。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥7.57
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥7.29
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用:适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
    • 1+

      ¥7.68
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      ¥7.51
    • 30+

      ¥7.4
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1,最高峰值回流温度260°C。 工作温度175°C。 环保产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥7.69
    • 10+

      ¥6.39
    • 30+

      ¥5.68
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      ¥4.88
  • 有货
  • 特性:低RDSon (<0.95mΩ)。 低至PCB的热阻 (<0.8℃/W)。 低外形 (<0.9mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准,无卤。应用:OR-ing MOSFET用于12V(典型值)总线浪涌电流。 电池供电的直流电机逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.93
    • 10+

      ¥7.74
    • 30+

      ¥7.61
  • 有货
    • 1+

      ¥7.93
    • 10+

      ¥7.73
    • 30+

      ¥7.59
  • 有货
  • 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD),对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥7.95
    • 10+

      ¥7.75
    • 50+

      ¥7.61
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的处理技术,在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻,D²Pak适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于低外形应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.47
    • 10+

      ¥7.04
    • 30+

      ¥6.25
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101合格。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥9.55
    • 10+

      ¥7.97
    • 30+

      ¥7.11
  • 有货
  • 特性:OptiMOS功率MOSFET,适用于汽车应用。 N沟道-增强模式-逻辑电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥9.55
    • 10+

      ¥9.31
    • 30+

      ¥9.15
  • 有货
  • 超低栅极和输出电荷,加上小尺寸封装中的最低导通电阻,使 OptiMOS ™ 25V 成为满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。
    • 1+

      ¥9.81
    • 10+

      ¥9.59
    • 30+

      ¥9.45
  • 有货
    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

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    • 30+

      ¥9.74
  • 有货
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      ¥10.15
    • 10+

      ¥9.89
    • 30+

      ¥9.72
  • 有货
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    • 10+

      ¥10.38
    • 30+

      ¥10.22
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。 高频开关电源的极低 FOM_QSS。 高频开关电源的低 FOM_SW。 出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积(FOM)。 在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
    • 1+

      ¥10.76
    • 10+

      ¥9
    • 30+

      ¥8.03
  • 有货
  • 特性:全新革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 超低栅极电荷。应用:高直流母线电压的工业应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.01
    • 30+

      ¥10.48
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道增强模式正常电平。通过AEC Q101认证。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥11.05
    • 10+

      ¥9.26
    • 30+

      ¥8.14
    • 100+

      ¥6.99
  • 有货
  • MOSFET管
    • 1+

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    • 30+

      ¥10.8
  • 有货
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    • 30+

      ¥11.19
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  • N沟道 100V 80A
    数据手册
    • 1+

      ¥12.25
    • 10+

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      ¥7.75
    • 100+

      ¥6.66
  • 有货
  • N沟道,100V,96A,10mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.31
    • 10+

      ¥10.5
    • 50+

      ¥9.37
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 N沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
    • 1+

      ¥12.46
    • 10+

      ¥12.14
    • 30+

      ¥11.93
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 无卤
    • 1+

      ¥12.52
    • 10+

      ¥12.2
    • 30+

      ¥11.99
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥12.71
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  • 有货
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      ¥12.75
    • 10+

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  • 有货
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    • 10+

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