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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:650V 电流:9.9A
型号：IPD60R650CE 编号：C672081
封装：TO-252
品牌：Infineon(英飞凌)
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

  • 1+

    ￥4.7

  • 10+

    ￥3.81

  • 30+

    ￥3.37
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IPD038N06NF2SATMA1 编号：C20191574
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥4.72

    • 10+

      ￥4.62

    • 30+

      ￥4.55
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:55V 电流:20A
    型号：IPG20N06S2L35ATMA1 编号：C3288884
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥4.78

    • 10+

      ￥4.66

    • 30+

      ￥4.58
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    2个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A 停产
    型号：IRF7314TRPBF 编号：C164140
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    双P沟道,20V,5.3A,58mΩ@2.9A,4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.03

    • 30+

      ￥3.53
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：IPZ40N04S5L2R8 编号：C3279278
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥5.15

    • 10+

      ￥4.18

    • 30+

      ￥3.69
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    MOSFET OptiMOs功率晶体管，60 V，SuperSO8封装
    型号：BSC0704LSATMA1 编号：C5311649
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.2

    • 10+

      ￥4.17

    • 30+

      ￥3.65
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
    型号：BSC120N03LS G 编号：C534410
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源（SMPS）。 针对DC/DC转换器进行优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.35

    • 10+

      ￥5.24

    • 30+

      ￥5.16
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:102A
    型号：BSZ0902NSIATMA1 编号：C3279316
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥5.38

    • 10+

      ￥4.36

    • 30+

      ￥3.86

    • 100+

      ￥3.35
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IAUC100N04S6L025ATMA1 编号：C3288828
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

    • 1+

      ￥5.71

    • 10+

      ￥4.71

    • 30+

      ￥4.21

    • 100+

      ￥3.58
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:4.2A
    型号：SPD04P10PLG 编号：C250646
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
    数据手册

    • 1+

      ￥5.85

    • 10+

      ￥4.73

    • 30+

      ￥4.18
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    耐压:30V 电流:65A
    型号：IRLR7821TRLPBF 编号：C538175
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS时极低的导通电阻。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 用于电信和工业用途的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册

    • 1+

      ￥6.06

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      ￥4.98

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      ￥4.44

    • 100+

      ￥3.9
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    ISZ56DP15LMATMA1
    型号：ISZ56DP15LMATMA1 编号：C20191695
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥6.1

    • 10+

      ￥5.97

    • 30+

      ￥5.88

    • 100+

      ￥5.79
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:103A
    型号：IPB050N10NF2SATMA1 编号：C7289389
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥6.23

    • 10+

      ￥6.08

    • 30+

      ￥5.97
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:18.7A
    型号：SPP18P06PHXKSA1 编号：C3288932
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。 无铅引脚处理，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据AEC Q101标准合格

    • 1+

      ￥6.3

    • 10+

      ￥6.14

    • 50+

      ￥6.04
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    1个N沟道 耐压:800V
    型号：IPD80R2K4P7 编号：C536883
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.4

    • 10+

      ￥5.12

    • 30+

      ￥4.47
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:78.6A
    型号：BSC084P03NS3GATMA1 编号：C672354
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。 工作温度为150℃。 经过100%雪崩测试。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 无铅，符合RoHS标准。应用：电池管理。 负载开关

    • 1+

      ￥6.44

    • 10+

      ￥5.29

    • 30+

      ￥4.66
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:9.7A
    型号：SPD09P06PLGBTMA1 编号：C672284
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。增强模式。逻辑电平。175°C工作温度。雪崩额定。dv/dt额定。镀铅层,符合RoHS标准。根据AEC Q101认证
    数据手册

    • 1+

      ￥6.7

    • 10+

      ￥5.5

    • 30+

      ￥4.85
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    BSZ018NE2LSI
    型号：BSZ018NE2LSI 编号：C534645
    封装：TSDSON-8(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.72

    • 10+

      ￥6.57

    • 30+

      ￥6.47
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:15.2A
    型号：BSC900N20NS3 G 编号：C534439
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 工作温度可达150°C。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥6.88

    • 10+

      ￥6.72

    • 30+

      ￥6.62
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMos6汽车级功率MOSFET，40 V
    型号：IAUCN04S6N017TATMA1 编号：C23258489
    封装：LHDSO-10
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥6.89

    • 10+

      ￥6.71

    • 30+

      ￥6.59
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
    型号：IRF7403TRPBF 编号：C169081
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,8.5A（Ta）
    数据手册

    • 1+

      ￥7.02

    • 10+

      ￥5.83

    • 30+

      ￥5.18
  • 有货
    • 立即购买
    IAUC120N06S5N022ATMA1
    型号：IAUC120N06S5N022ATMA1 编号：C20190981
    封装：TDSON-8-34
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥7.07

    • 10+

      ￥6.92

    • 30+

      ￥6.81
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:650V 电流:4.5A
    型号：SPU04N60C3 编号：C2841884
    封装：TO-251-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅镀铅；符合RoHS标准，可采用无卤模塑料。 完全符合JEDEC工业应用标准
    数据手册

    • 1+

      ￥7.1

    • 10+

      ￥5.88

    • 30+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
    型号：ISZ230N10NM6ATMA1 编号：C3279290
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类

    • 1+

      ￥7.11

    • 10+

      ￥5.83

    • 30+

      ￥5.13
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：IPD35N10S3L26 编号：C3279068
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥7.21

    • 10+

      ￥7.05

    • 30+

      ￥6.93
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOST2功率晶体管
    型号：IPG20N04S4-12 编号：C536930
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道正常电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥7.52

    • 10+

      ￥6.25

    • 30+

      ￥5.55

    • 100+

      ￥4.76
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
    型号：IPA60R600P7SXKSA1 编号：C3289017
    封装：TO-220-FP
    品牌：Infineon(英飞凌)
    7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

    • 1+

      ￥7.52

    • 10+

      ￥6.24

    • 50+

      ￥5.54
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 230A
    型号：IAUCN04S6N013TATMA1 编号：C22415427
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥7.55

    • 10+

      ￥7.37

    • 30+

      ￥7.24

    • 100+

      ￥7.12
  • 订货
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    N沟道,电流:64A,耐压:80V
    型号：IAUC64N08S5L075ATMA1 编号：C3288868
    封装：TDSON-8-33
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高峰值回流温度260°C。 工作温度175°C。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥7.69

    • 10+

      ￥6.39

    • 30+

      ￥5.68
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:49A
    型号：IRFH8201TRPBF 编号：C537900
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低RDSon (<0.95mΩ)。 低至PCB的热阻 (<0.8℃/W)。 低外形 (<0.9mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无卤。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型值）总线浪涌电流。 电池供电的直流电机逆变器
    数据手册

    • 1+

      ￥7.69

    • 10+

      ￥7.5

    • 30+

      ￥7.36
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