英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-3

特性：N-channel-Enhancement mode。 Automotive AEC Q101 qualified。 MSL1 up to 260°C peak reflow。 175°C operating temperature。 Green product (RoHS compliant)。 Ultra low Rds(on)。 100% Avalanche tested

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型号：IPL60R360P6SATMA1 编号：C3290178

封装：ThinPAK-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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型号：IPD50N04S410ATMA1 编号：C672130

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：BSC0402NS 编号：C534331

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。低反向恢复电荷（Qrr）

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型号：IRL3803STRLPBF 编号：C538118

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 利用先进的处理技术，在每个硅面积上实现极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用。D²Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达 HEX-4 的管芯尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻，D²Pak 适用于高电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达 2.0V。通孔版本（IRL3803L）适用于薄型应用。

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型号：IRF5210STRRPBF 编号：C537771

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

该设计的特点是具有150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种其他应用。

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型号：IAUCN04S7L004 编号：C39673505

封装：PG-TDSON-8-53

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPP014N06NF2SAKMA2 编号：C6210898

封装：TO-220-3-U05

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，普通电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IQDH35N03LM5CGATMA1 编号：C20191641

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21无卤

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型号：IPP60R180C7XKSA1 编号：C7289542

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUA250N04S6N005AUMA1 编号：C7288396

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

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型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPA60R160P6 编号：C536354

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：ISC073N12LM6ATMA1 编号：C20191682

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，逻辑电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行优化。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤。根据 J-STD-020 为 MSL 1 级

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型号：IPA60R099P7XKSA1 编号：C672156

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

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型号：IPP016N08NF2SAKMA1 编号：C5222901

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IPB60R165CP 编号：C536616

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPLK70R600P7ATMA1 编号：C3278616

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUAN04S7N004AUMA1 编号：C28487916

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

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型号：IPP60R080P7 编号：C537189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPB038N12N3GATMA1 编号：C3289209

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准，无卤素。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

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型号：IPDD60R190G7 编号：C536924

封装：HDSOP-10-6.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及DDPAK封装改进后的热性能相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。

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型号：IPAN70R360P7S 编号：C536448

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和最先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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