英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPP040N08NF2S 编号：C3007770

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥10.25
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型号：IAUZ40N10S5N130 编号：C535733

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPP60R170CFD7 编号：C537207

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化平台，适用于软开关应用，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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型号：IPD60R210PFD7S 编号：C536810

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUAN04S7N007AUMA1 编号：C24851154

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

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型号：IPP032N06N3G 编号：C459166

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。按照JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IPD60R180CM8XTMA1 编号：C26319077

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管 (CFD)，具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥12.15
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型号：IPP072N10N3 G 编号：C386351

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 80A

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型号：IPB60R360P7 编号：C536628

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、更紧凑且更凉爽。

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型号：IAUC120N04S6N010ATMA1 编号：C3288874

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IRF1010ESTRLPBF 编号：C459929

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

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型号：IRFZ46NLPBF 编号：C538081

封装：D2PAK(TO-262)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSG0811NDATMA1 编号：C3278742

封装：TISON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET逻辑电平（额定4.5V），针对高性能降压转换器进行优化。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IPA80R750P7 编号：C536428

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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型号：IPD60R360CFD7ATMA1 编号：C3289167

封装：TO-252-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD60R180C7ATMA1 编号：C6969209

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM C7是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOs TM C7系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于10 mΩ·mm²的技术

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型号：IPP60R120P7 编号：C537199

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
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型号：IAUCN08S7N024ATMA1 编号：C34459081

封装：TSDSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUC100N08S5N031 编号：C535697

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥14.69
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型号：IQE050N08NM5CGSCATMA1 编号：C20191656

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IQE004NE1LM7ATMA1 编号：C22405879

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IQE004NE1LM7CGATMA1 编号：C22415708

封装：TTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD90N10S4L06ATMA1 编号：C5440942

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel-Enhancement mode。 AEC qualified。 MSL1 up to 260°C peak reflow。 175°C operating temperature。 Green Product (RoHS compliant)。 100% Avalanche tested

1+
￥15.69
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￥13.2
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型号：IPB339N20NM6ATMA1 编号：C24482343

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPB95R310PFD7ATMA1 编号：C19725715

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。