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1个N沟道耐压:600V 电流:22.4A

型号：IPL60R180P6AUMA1 编号：C3279348

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥26.7
10+
￥22.7
30+
￥20.31

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:83A

型号：IPP111N15N3GXKSA1 编号：C513207

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥28.75
10+
￥25.13
30+
￥22.98

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:120A

型号：IPB031N08N5ATMA1 编号：C3279162

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥29.6
30+
￥28.2

有货

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IPT023N10NM5LF2ATMA1

型号：IPT023N10NM5LF2ATMA1 编号：C41775448

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥31.36
10+
￥30.68
30+
￥30.22

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:360A

型号：IAUT300N10S5N014ATMA1 编号：C3288775

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。增强模式。正常电平，超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥31.59
10+
￥26.97
30+
￥24.16

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:230A

型号：ISC022N10NM6ATMA1 编号：C6061656

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准为MSL 1级分类

5+
￥93.003257
50+
￥81.696978
500+
￥75.223223

我要订货

1个N沟道耐压:900V 电流:15A

型号：IPP90R340C3 编号：C459164

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥32.17
10+
￥27.74
50+
￥25.12

有货

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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

型号：IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 编号：C50344258

封装：PG-WHTFN-9-1

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥34.46
10+
￥29.72
30+
￥26.91

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:38A

型号：IRF5210LPBF 编号：C537770

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

该设计的特点是具有150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种其他应用。

数据手册

1+
￥35.44
10+
￥30.75
30+
￥27.89

有货

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N沟道,电流:408A,耐压:80V

型号：IPTG011N08NM5ATMA1 编号：C3278562

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。适用于高频开关和同步整流

1+
￥35.54
10+
￥34.63
30+
￥34.03

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:32A

型号：IPB60R040CFD7ATMA1 编号：C3289247

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥35.89
10+
￥34.96
30+
￥34.34

有货

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650V 21A

型号：IPZ65R065C7 编号：C537518

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优势，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

数据手册

1+
￥36.75
10+
￥35.84
30+
￥35.24

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:120A

型号：IPP120N08S4-03 编号：C537159

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥37.53
10+
￥32.56
50+
￥29.53

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:100A

型号：IPP034NE7N3 G 编号：C537124

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅镀层；符合 RoHS 标准，无卤素。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥38.92
10+
￥33.2
30+
￥29.71

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:29A

型号：IPBE65R050CFD7AATMA1 编号：C3289306

封装：TO-263-7-3-10

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥42.57 / 个

有货

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OptiMOs 6功率晶体管，120V

型号：IPTC017N12NM6ATMA1 编号：C17701797

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷Qrr。高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。针对高频开关和顶部散热进行了优化。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准归类为MSL 1

1+
￥42.78
10+
￥41.68
30+
￥40.95

有货

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600V CoolMOS C7功率晶体管

型号：IPL60R065C7 编号：C537015

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款导通电阻RDS(on)与面积A的乘积低于10 mΩ×mm²的技术。

数据手册

1+
￥44.76
10+
￥43.74
30+
￥43.05

有货

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650V,电流:20A,耐压:650V

型号：IPB65R075CFD7AATMA1 编号：C3289232

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥45.34
10+
￥44.22
30+
￥43.48

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:365A

型号：IPTC014N10NM5ATMA1 编号：C5443905

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 标准无卤

1+
￥47.19
10+
￥40.07
30+
￥35.73

有货

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650V CoolMOS CFD7 SJ功率器件

型号：IPDQ65R029CFD7XTMA1 编号：C20191588

封装：HDSOP-22-1

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥55.62
10+
￥54.2
30+
￥53.25

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:44A

型号：IPB407N30N 编号：C536586

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

单价：
￥56.19 / 个

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:375A

型号：AUIRF7769L2TR 编号：C533297

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035，DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递

数据手册

1+
￥70.13
10+
￥59.82
30+
￥53.53

有货

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HEXFET功率MOSFET

型号：AUIRFB8409 编号：C533305

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计还具备175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该产品成为汽车应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。

数据手册

1+
￥77.79
10+
￥67.49
30+
￥61.21

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53.5A

型号：IPW65R070C6FKSA1 编号：C3289072

封装：TO-247-3-1

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

单价：
￥102.28 / 个

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:63A

型号：IPW60R031CFD7XKSA1 编号：C6883727

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和 LLC 等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中具备最高效率

1+
￥102.85
10+
￥98.47
30+
￥90.9

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:31A

型号：IGO60R070D1 编号：C536070

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥135.13
10+
￥128.93
30+
￥118.18

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:47A

型号：SPW47N65C3 编号：C539327

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻（RDS,on）。低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

数据手册

单价：
￥141.35 / 个

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:50A

型号：IPDQ60R010S7AXTMA1 编号：C3278529

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

IPDQ60R010S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司率先提出的超结（SJ）原理设计为静态开关。IPDQ60R010S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新技术相结合，可在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化

1+
￥203.46
30+
￥193.46

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.2A

型号：SN7002IXTSA1 编号：C3288819

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

5+
￥0.3476
50+
￥0.3401
150+
￥0.3352

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.5A

型号：BSD314SPE H6327 编号：C534444

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。根据AEC Q101进行认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.9105
50+
￥0.8916
150+
￥0.8791

有货

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