英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IQE022N06LM5SCATMA1 编号：C20191650

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的热阻性能。 100%经过雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥19.25
10+
￥16.36
30+
￥14.65

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型号：IQD009N06NM5ATMA1 编号：C23569863

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤

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￥19.7
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￥16.71
30+
￥14.84

有货

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型号：IQDH45N04LM6ATMA1 编号：C27531322

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥19.98
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￥19.55
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￥19.26

有货

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型号：ISZ173N15NM6ATMA1 编号：C32450212

封装：PG-TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 通道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤。根据 C-STD-020 分类为 MSL 1

1+
￥20.64
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￥20.19
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￥19.89

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型号：BSC025N08LS5ATMA1 编号：C3288906

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。100%雪崩测试。卓越的热阻性能。N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

1+
￥20.71
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￥17.74
30+
￥15.89

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型号：IRF3007PBF 编号：C459957

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

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￥21.41
10+
￥18.32
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￥16.48

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型号：IPW60R160C6 编号：C537473

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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1+
￥22.27
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￥21.01
30+
￥20.26

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型号：IPB013N06NF2SATMA1 编号：C20191558

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥22.28
10+
￥18.91
30+
￥16.9

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型号：IPL60R065P7 编号：C537016

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。600V CoolMOS™ P7 系列是 CoolMOS™ P6 系列的换代产品。

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1+
￥23.88
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￥20.53
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￥18.53

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型号：IPB45N06S4L08 编号：C3276870

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥24.47
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￥21.1
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￥19.1

有货

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型号：IPB200N25N3 G 编号：C536579

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥24.87
10+
￥21.12
30+
￥18.89

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型号：IPL60R180P6AUMA1 编号：C3279348

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥26.7
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￥22.7
30+
￥20.31

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型号：IPP330P10NMAKSA1 编号：C3278782

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P- 通道。 100% 雪崩测试。正常电平增强模式。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤。完全符合 JEDEC 工业应用标准

1+
￥26.95
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￥22.93
30+
￥20.54

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型号：IAUT150N10S5N035 编号：C535722

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥27.52
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￥23.89
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￥21.73

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型号：IPL60R085P7AUMA1 编号：C3289358

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥28.31
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￥23.99
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￥21.42

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型号：IPP111N15N3GXKSA1 编号：C513207

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥28.75
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￥25.13
30+
￥22.98

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型号：IPB031N08N5ATMA1 编号：C3279162

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥29.6
30+
￥28.2

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型号：IMT65R260M1HXUMA1 编号：C6276618

封装：HSOF-8-1

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥29.92
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￥29.27
30+
￥28.83

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型号：IPP60R070CFD7 编号：C537188

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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1+
￥30.45
10+
￥25.86
30+
￥23.14

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型号：IPT012N06NATMA1 编号：C3288771

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥31.18
10+
￥26.28
30+
￥23.37

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型号：IPT023N10NM5LF2ATMA1 编号：C41775448

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥31.36
10+
￥30.68
30+
￥30.22

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型号：IPT65R099CFD7XTMA1 编号：C3281864

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级，是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如 LLC 和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥31.9
10+
￥27.41
30+
￥24.75

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型号：IPP90R340C3 编号：C459164

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥32.17
10+
￥27.74
50+
￥25.12

有货

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型号：IPA030N10NF2SXKSA1 编号：C3278754

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥33.15
10+
￥28.45
50+
￥25.65

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型号：IAUT300N08S5N011ATMA1 编号：C3288767

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。标准水平-超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥33.91
10+
￥28.77
30+
￥25.71

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型号：IPZ65R065C7 编号：C537518

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优势，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

数据手册

1+
￥36.06
10+
￥35.16
30+
￥34.55

有货

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型号：IQD009N06NM5SCATMA1 编号：C41613339

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 通道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。无铅引脚电镀；符合 RoHS 标准。根据 JECL1249-2-21 标准无卤

1+
￥36.58
10+
￥31.55
30+
￥28.57

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型号：IPT60R102G7 编号：C531214

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥37.14
10+
￥36.29
30+
￥35.72

有货

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型号：IPT65R080CFD7XTMA1 编号：C6883725

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS™ CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥37.37
10+
￥32.26
30+
￥29.14

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型号：IPB160N04S203 编号：C3279270

封装：TO-263-7-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。汽车 AEC Q101 认证。 MSL1 可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色封装（无铅）。超低导通电阻 Rds(on)。 100% 雪崩测试

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