英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFTS8342TRPBF 编号：C538059

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准TSOP-6封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。多厂商兼容性。更环保。更高的可靠性。应用：系统/负载开关

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1+
￥1.47
10+
￥1.43
30+
￥1.41

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型号：IRFH7914TRPBF 编号：C148152

封装：PQFN(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 15A

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1+
￥2.13
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￥2.09
30+
￥2.06

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型号：ISA250300C04LMDSXTMA1 编号：C43317101

封装：PG-DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥2.23
10+
￥2.18
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￥2.15

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型号：IPN70R900P7S 编号：C152662

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,10V,6A,900mΩ@10V

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1+
￥2.58
10+
￥2.53
30+
￥2.5

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型号：IPN70R450P7S 编号：C537095

封装：SOT-223-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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1+
￥2.85
10+
￥2.78
30+
￥2.73

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型号：BSP320SH6327 编号：C151489

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.9A,120mΩ@10V

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1+
￥2.89
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￥2.84
30+
￥2.8

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型号：IAUZ30N10S5L240 编号：C535732

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。适用于自动光学检测（AOI）

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1+
￥3.15
10+
￥3.07
30+
￥3.02

有货

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型号：IPD80R2K0P7ATMA1 编号：C3289114

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.2
10+
￥3.13
30+
￥3.08

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型号：IPN80R1K4P7ATMA1 编号：C3278579

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.74
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￥3.66
30+
￥3.61

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型号：BSV236SPH6327 编号：C3288824

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。 150℃工作温度。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥3.74
10+
￥2.99
30+
￥2.61

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型号：IAUZ40N06S5N050ATMA1 编号：C3289320

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。增强模式。正常等级-MSL1，最高260°C峰值回流。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥3.85
10+
￥3.75
30+
￥3.68
100+
￥3.62

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型号：BSC150N03LDGATMA1 编号：C3278696

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道、逻辑电平快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准，适用于目标应用。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥3.86
10+
￥3.76
30+
￥3.7

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型号：ISC320N12LM6ATMA1 编号：C26671051

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.87
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￥3.79
30+
￥3.74

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型号：IPD70R1K4P7SAUMA1 编号：C3289134

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOs TM P7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平

1+
￥3.88
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￥3.09
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￥2.7
100+
￥2.31

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型号：IRFU3910PBF 编号：C3031

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,16A,115mΩ@10V

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1+
￥4.11
10+
￥3.28
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￥2.87

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型号：IRFHM8329TRPBF 编号：C152439

封装：PQFN-8(3.1x3.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,16A,6.1mΩ@10V

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型号：IRLZ24NSTRLPBF 编号：C538197

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每个硅面积上实现极低的非电阻。这种优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于低轮廓应用。

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