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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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650V CoolMOS CFD7A提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥和LLC等谐振开关拓扑。
  • 1+

    ¥28.89
  • 10+

    ¥28.15
  • 30+

    ¥27.66
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有一流的反向恢复电荷和改善的关断性能,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实施
    数据手册
    • 1+

      ¥31.98
    • 10+

      ¥27.3
    • 30+

      ¥24.46
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    • 1+

      ¥32.71
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      ¥30.3
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      ¥29.78
  • 有货
  • 这款专为汽车应用设计的HEXFET@arrow功率MOSFET蜂窝式设计,采用最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可用于汽车及其他多种应用领域。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.65
    • 10+

      ¥30.75
    • 30+

      ¥27.83
  • 有货
    • 1+

      ¥36.12
    • 10+

      ¥31.34
    • 30+

      ¥28.43
  • 有货
  • 特性:N 通道。 增强模式。 汽车 AEC Q101 认证。 MSL1 可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。 绿色封装(无铅)。 超低导通电阻 Rds(on)。 100% 雪崩测试
    • 单价:

      ¥37.61 / 个
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC合格。 MSL1高达260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥38.84
    • 10+

      ¥33.7
    • 30+

      ¥30.57
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 超低导通电阻。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥38.98
    • 10+

      ¥33.22
    • 30+

      ¥29.7
  • 有货
  • CoolMOS第8代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥41.57
    • 10+

      ¥40.51
    • 30+

      ¥39.8
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准,MSL 1分级。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥44.94
    • 10+

      ¥43.96
    • 30+

      ¥43.3
  • 有货
    • 1+

      ¥47.28
    • 10+

      ¥46.25
    • 30+

      ¥45.56
  • 有货
  • 特性:新的革命性高压技术。 本征快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 周期性雪崩额定值。 符合JEDEC标准的工业级应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
    数据手册
    • 单价:

      ¥50.88 / 个
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.13
    • 10+

      ¥51.97
    • 30+

      ¥51.19
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥59.8
    • 10+

      ¥51.88
    • 30+

      ¥47.06
  • 有货
  • 专为汽车应用设计,采用最新处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为适用于汽车应用和其他各种应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 单价:

      ¥61.38 / 个
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 全球TO-220封装中最低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 单价:

      ¥61.68 / 个
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥63.03
    • 10+

      ¥54.21
    • 30+

      ¥48.83
  • 有货
  • 特性:VDSS = 1200 V,Tvj = -55…175℃。 IDDC = 54 A,Tc = 25℃。 RDS(on) = 40 mΩ,VGS = 20 V,Tvj = 25℃。应用:车载充电器
    • 1+

      ¥70.22
    • 10+

      ¥67.77
  • 有货
  • 专门为汽车应用设计,与传统 TO-262 封装且采用相同硅芯片的产品相比,这种宽引脚 TO-262 封装产品具有超过 50% 的更低引脚电阻,并且导通电阻 Rds(on) 降低超过 20%。这极大地有助于减少工况损耗,实现更高的电流水平,或使系统运行更凉爽并提高效率。该设计的其他特点包括 175℃ 的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该设计成为适用于汽车和其他应用的极其高效可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥72.86
    • 10+

      ¥62.22
    • 30+

      ¥55.73
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。超低导通电阻。100% 雪崩测试
    • 1+

      ¥73.24
    • 10+

      ¥64.34
    • 30+

      ¥58.91
  • 有货
    • 1+

      ¥83.45
    • 10+

      ¥72.4
    • 30+

      ¥65.67
  • 有货
  • 第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥88.16
    • 10+

      ¥83.72
    • 30+

      ¥76.02
  • 有货
  • 7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者,它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥92.27
    • 10+

      ¥87.72
    • 30+

      ¥79.83
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    • 1+

      ¥111.64
    • 10+

      ¥107.77
  • 有货
  • CoolMOS C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。600V C7是首款RDS(on) × A低于10 mΩ × mm²的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥145.27
    • 30+

      ¥138.04
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。超级逻辑电平(额定2.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 3000+

      ¥0.504
    • 6000+

      ¥0.4956
    • 12000+

      ¥0.483
    • 24000+

      ¥0.462
    • 5+

      ¥1.3055
    • 50+

      ¥1.2772
    • 150+

      ¥1.2584
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.74
    • 10+

      ¥1.7
    • 30+

      ¥1.68
  • 有货
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