英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPG16N10S4-61 编号：C3277258

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道正常电平。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1高达260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥7.84
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型号：IPG20N04S4L11AATMA1 编号：C17299973

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPG20N04S4-08 编号：C536928

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道正常电平。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。工作温度175°C。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥8.08
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型号：IPZ40N04S53R9ATMA1 编号：C3289319

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用。 N沟道-增强模式-正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。应用：一般汽车应用

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型号：IPB60R280P7ATMA1 编号：C3289212

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列是 CoolMOS P6 系列的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IPD18DP10LMATMA1 编号：C3279050

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA50R190CE 编号：C536330

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本降低性能比。

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型号：IAUC90N10S5N062ATMA1 编号：C3278685

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。普通级别-AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。适用于自动光学检测（AOI）

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型号：IRF1010NSTRLPBF 编号：C459931

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD023N04NF2SATMA1 编号：C20191571

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD85P04P4-07 编号：C536893

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。通过AEC认证。最高260℃峰值回流温度下达到MSL1等级。工作温度175℃。环保封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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型号：BSZ011NE2LS5I 编号：C534639

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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型号：IPT60R180CM8XTMA1 编号：C27755665

封装：PG-HSOF-8-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRFP4368PBF 编号：C2918

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V

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型号：IAUZ40N08S5N100ATMA1 编号：C3288837

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA083N10N5 编号：C536320

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC认证，适用于目标应用。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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型号：IPN95R2K0P7 编号：C3278575

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUA250N04S6N008AUMA1 编号：C6061344

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。 MSL3，最高260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用

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型号：IAUC120N06S5L011ATMA1 编号：C20190977

封装：TDSON-8-53

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUC120N06S5N011ATMA1 编号：C20190980

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常水平，超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用

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型号：ISC16DP15LMATMA1 编号：C20191684

封装：SMD,9.1x6.9mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：ISZ019N03L5SATMA1 编号：C3289332

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。高频开关电源的极低 FOM_QSS。高频开关电源的低 FOM_SW。出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。卓越的热阻。 N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

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30+
￥8.03

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型号：BSC028N06NSSC 编号：C534317

封装：TDSON-8(5.9x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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￥11
10+
￥10.75
30+
￥10.59

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型号：IPC100N04S5-1R7 编号：C536692

封装：TDSON-8(6.2x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道增强模式正常电平。通过AEC Q101认证。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

数据手册

1+
￥11.05
10+
￥9.26
30+
￥8.14
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￥6.99

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型号：IPP019N06NF2SAKMA1 编号：C6577185

封装：TO-220-3-U05

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥11.06
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￥9.39
50+
￥8.35

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型号：IPB015N06NF2S 编号：C18203086

封装：TO263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

MOSFET管

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型号：IPA65R190C7XKSA1 编号：C3289011

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

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型号：IPB034N06L3GATMA1 编号：C3279168

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品