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7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
  • 1+

    ¥4.14
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    ¥3.32
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    ¥2.91
  • 有货
  • 应用:电池应用系统的充放电开关/负载开关
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      ¥4.48
  • 有货
  • 最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新标杆,将一流的性能与先进的易用性相结合。
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      ¥3.43
  • 有货
  • 特性:双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试。 适用于自动光学检测(AOI)
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      ¥4.76
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  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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      ¥4.99
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      ¥4.08
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      ¥3.5
  • 有货
  • 特性:N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1,最高260°C峰值回流温度。175°C工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
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      ¥5.09
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  • 第三代 HEXFET 为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功耗约达 50 瓦的商业 - 工业应用,TO - 220 封装是普遍首选。TO - 220 封装的低热阻和低成本促使其在整个行业得到广泛应用
    数据手册
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      ¥3.77
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET,N通道。 增强模式。 普通级别。 通过AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。 工作温度为175°C。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥5.48
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      ¥4.4
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      ¥3.86
    • 100+

      ¥3.32
  • 有货
  • 特性:双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试。 适用于自动光学检测(AOI)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.74
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      ¥5.6
    • 30+

      ¥5.5
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。 环保产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥6.06
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.38
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥6.21
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      ¥5.13
    • 50+

      ¥4.54
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道,逻辑电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 雪崩额定。 无铅镀层;符合RoHS标准
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      ¥6.47
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      ¥4.73
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。 无卤素。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
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  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,瞄准消费和照明市场对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
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      ¥5.52
    • 50+

      ¥4.85
  • 有货
  • 特性:双N沟道逻辑电平增强模式。通过AEC Q101认证。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥7.2
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      ¥5.98
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    • 100+

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  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 最大栅极额定值20V VGS。 改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用:笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥7.46
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      ¥5.56
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用
    • 1+

      ¥7.63
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    • 30+

      ¥5.48
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。N沟道。符合JEDEC标准,适用于目标应用。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

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  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种场景。D²Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
    数据手册
    • 1+

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      ¥6.36
  • 有货
  • 特性:N-channel。Enhancement mode。AEC qualified。MSL1 up to 260℃ peak reflow。175℃ operating temperature。Green Product (RoHS compliant)。100% Avalanche tested
    • 1+

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    • 30+

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  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-逻辑电平。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥8.75
    • 10+

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  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
    • 1+

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    • 30+

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  • 有货
  • N沟道 60V 120A
    数据手册
    • 1+

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    • 30+

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  • 有货
  • 特性:双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试。 适用于自动光学检测(AOI)
    数据手册
    • 1+

      ¥9.65
    • 10+

      ¥7.93
    • 30+

      ¥6.99
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

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