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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
型号：ISZ230N10NM6ATMA1 编号：C3279290
封装：TSDSON-8FL
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类

  • 1+

    ￥7.15

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    ￥5.88

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    ￥5.18
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:45A
    型号：IPD135N08N3GATMA1 编号：C3279014
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

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      ￥5.88

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      ￥5.18
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：IPD35N10S3L26 编号：C3279068
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试

    • 1+

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
    型号：IAUC60N10S5L110ATMA1 编号：C3278678
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥7.22

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:186A
    型号：BSC0500NSIATMA1 编号：C7220840
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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    OptiMOs T功率晶体管
    型号：IPD70N10S3-12 编号：C536859
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

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    OptiMOs 6功率晶体管，120 V
    型号：ISZ330N12LM6ATMA1 编号：C20191694
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N-通道，逻辑电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类

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    600V CoolMOS C6功率晶体管
    型号：IPD60R950C6 编号：C536838
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOSTM是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS TM C6系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势
    数据手册

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    N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IAUC120N06S5N032ATMA1 编号：C20190982
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常水平，扩展认证超出AEC-Q101。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1，最高260℃峰值回流。应用：一般汽车应用

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    P沟道 60V 19.5A
    型号：ISZ810P06LMATMA1 编号：C20191697
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P-Channel。 极低导通电阻 RD S(on)×V₀₅ = 4.5。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

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    N沟道,电流:40A,耐压:80V
    型号：IAUC40N08S5L140ATMA1 编号：C3288871
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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    1个N沟道 耐压:55V 电流:29A
    型号：IRFZ34NSTRLPBF 编号：C74624
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种场景。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
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    1个N沟道 耐压:120V 电流:70A
    型号：IPD70N12S311ATMA1 编号：C3289141
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
    型号：IAUC90N10S5N062ATMA1 编号：C3278685
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 普通级别-AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 适用于自动光学检测（AOI）

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
    型号：IRFS4620TRLPBF 编号：C538024
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

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      ￥7.62

    • 30+

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    OptiMOs 5功率晶体管，25 V
    型号：BSZ011NE2LS5I 编号：C534639
    封装：TSDSON-8(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
    数据手册

    • 1+

      ￥9.42

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    • 30+

      ￥9.02
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    N沟道,电流:50A,耐压:80V
    型号：IAUC50N08S5N102ATMA1 编号：C3288872
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥9.54

    • 10+

      ￥9.3

    • 30+

      ￥9.14
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    40 V汽车级功率MOSFET
    型号：IAUCN04S7N009ATMA1 编号：C22405621
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥9.63

    • 10+

      ￥8.11

    • 30+

      ￥7.16

    • 100+

      ￥6.19
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：BSC252N10NSFG 编号：C3278646
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

    • 1+

      ￥9.75

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      ￥5.3606 ￥5.47
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：SPD50P03LGBTMA1 编号：C3289178
    封装：TO-252-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 175℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 高电流额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准

    • 1+

      ￥9.79

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      ￥9.57

    • 30+

      ￥9.42
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    OptiMOs 3功率晶体管
    型号：BSC031N06NS3 G 编号：C534322
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥9.99

    • 10+

      ￥9.74

    • 30+

      ￥9.57
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:160A
    型号：IPB039N10N3GATMA1 编号：C3289285
    封装：TO-263-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

      ￥10.01

    • 10+

      ￥9.78

    • 30+

      ￥9.62
  • 有货
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    OptiMOs 5功率晶体管，150 V
    型号：BSC152N15LS5ATMA1 编号：C22442465
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，逻辑电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥10.5

    • 10+

      ￥8.81

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    • 100+

      ￥6.66
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
    型号：IPD60R600P7ATMA1 编号：C3289116
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

    • 1+

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    • 30+

      ￥8.19
  • 有货
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    OptiM0s 5汽车级功率MOSFET，60 V
    型号：IAUC120N06S5N011ATMA1 编号：C20190980
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常水平，超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥11

    • 10+

      ￥10.75

    • 30+

      ￥10.59
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:22A 160A
    型号：IRF9383MTRPBF 编号：C537848
    封装：MG-WDSON-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRF9383MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
    数据手册

    • 1+

      ￥11.01

    • 10+

      ￥10.75

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    N沟道,电流:137A,耐压:60V
    型号：IQE030N06NM5CGATMA1 编号：C3279335
    封装：TTFN-9-1
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

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      ￥11.21
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    OptiMOs 5系列功率晶体管，80 V
    型号：IQE050N08NM5SCATMA1 编号：C20191657
    封装：WHSON-8(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：为同步整流优化。 N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥11.86

    • 10+

      ￥11.56

    • 30+

      ￥11.36
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:900V 电流:5.1A
    型号：IPP90R1K2C3 编号：C454254
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥12.05

    • 10+

      ￥10.14

    • 30+

      ￥8.94
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
    型号：IQE065N10NM5ATMA1 编号：C3289347
    封装：TSON-8-EP(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源 (SMPS) 进行优化，例如同步整流。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤

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