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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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800V CoolMOSTM C3适用于:;· 具有高直流母线电压的工业应用;· 开关应用(如有源钳位正激电路)
数据手册
  • 1+

    ¥37.52
  • 10+

    ¥32.1
  • 30+

    ¥28.8
  • 有货
  • 特性:改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅。 无卤。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥38.3
    • 10+

      ¥32.94
    • 30+

      ¥29.67
  • 有货
    • 1+

      ¥38.69
    • 10+

      ¥33.39
    • 30+

      ¥30.15
  • 有货
    • 1+

      ¥42.34
    • 10+

      ¥41.41
    • 30+

      ¥40.8
  • 有货
  • CoolMOS第8代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥42.81
    • 10+

      ¥41.72
    • 30+

      ¥40.99
  • 有货
    • 1+

      ¥42.99
    • 10+

      ¥36.67
    • 30+

      ¥32.82
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准,MSL 1分级。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥44.94
    • 10+

      ¥43.96
    • 30+

      ¥43.3
  • 有货
    • 1+

      ¥53.49
    • 10+

      ¥46.71
    • 30+

      ¥42.57
  • 有货
    • 1+

      ¥56.5
    • 10+

      ¥47.97
    • 30+

      ¥42.78
  • 有货
    • 1+

      ¥67.47
    • 10+

      ¥57.55
    • 30+

      ¥51.5
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优势,具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实现和出色的可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥77.2475 ¥145.75
    • 10+

      ¥62.6725 ¥145.75
    • 30+

      ¥48.0975 ¥145.75
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥110.03
    • 10+

      ¥106.07
  • 有货
  • 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能,该产品在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥ZVS)中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥115.6
    • 10+

      ¥110.31
    • 30+

      ¥101.17
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。ESD保护。根据AEC Q101认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤
    数据手册
    • 2+

      ¥0.7246
    • 20+

      ¥0.5797
    • 60+

      ¥0.5072
  • 有货
  • 特性:N通道。增强模式。AEC合格。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥1.69
    • 10+

      ¥1.65
    • 30+

      ¥1.62
  • 有货
  • P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0101
    • 50+

      ¥1.6018
    • 150+

      ¥1.4269
    • 500+

      ¥1.2086
    • 2000+

      ¥1.1114
    • 4000+

      ¥1.053
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本降低性能比。
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.96
  • 有货
  • 特性:双P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 5+

      ¥2.2006
    • 50+

      ¥1.747
    • 150+

      ¥1.5526
  • 有货
  • N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2156
    • 50+

      ¥1.7912
    • 150+

      ¥1.6093
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.4
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥2.26
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。逻辑电平。dv/dt额定。无铅引脚电镀,符合RoHS标准。根据AEC Q101标准认证。根据IEC 61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.32
  • 有货
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.49
  • 有货
  • 特性:为高性能降压转换器优化的同步场效应管。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on),VGS = 4.5V。 优异的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.06
  • 有货
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.91
    • 100+

      ¥2.86
  • 有货
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.48
  • 有货
  • 最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新标杆,将一流的性能与先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的经验。
    • 1+

      ¥3.66
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.28
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平-AEC Q101认证。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥3.72
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.57
  • 有货
    • 1+

      ¥3.74
    • 10+

      ¥3.66
    • 30+

      ¥3.61
  • 有货
  • N沟道,55V,2.8A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.96
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥2.89
  • 有货
  • P沟道,-30V -12A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.98
    • 30+

      ¥3.94
  • 有货
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