英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IQE006NE2LM5SCATMA1 编号：C20191644

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥16.75
10+
￥16.32
30+
￥16.03

有货

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型号：IPP60R180C7XKSA1 编号：C7289542

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥17.25
10+
￥14.51
50+
￥12.8

有货

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型号：IAUAN04S7N004AUMA1 编号：C28487916

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥17.51
10+
￥17.08
30+
￥16.79

有货

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型号：IRFI4110GPBF 编号：C537915

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。全面表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.6843 ￥19.87
10+
￥15.3576 ￥19.44
50+
￥13.2135 ￥19.15
100+
￥13.0134 ￥18.86

有货

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型号：IPB016N08NF2SATMA1 编号：C3282352

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。经过100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

1+
￥18.24
10+
￥17.78
30+
￥17.46

有货

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型号：IRF6662TRPBF 编号：C537792

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6662PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可在电源系统中实现最大的热传递，将此前最佳的热阻降低了80%

数据手册

1+
￥18.462 ￥36.2
10+
￥12.8043 ￥31.23
30+
￥8.7637 ￥28.27
100+
￥7.8368 ￥25.28
500+
￥7.409 ￥23.9
1000+
￥7.2137 ￥23.27

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型号：IAUCN08S7N019ATMA1 编号：C33993693

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥18.5
10+
￥15.71
30+
￥14.05

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型号：IRFS4510TRLPBF 编号：C538022

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥18.6438 ￥27.02
10+
￥13.7529 ￥23.31
30+
￥10.339 ￥21.1
100+
￥9.2463 ￥18.87
500+
￥8.7416 ￥17.84
800+
￥8.5113 ￥17.37

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型号：SPB20N60C3ATMA1 编号：C6495285

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥20.01
10+
￥17.15
30+
￥15.36

有货

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型号：IPP057N15NM6AKSA1 编号：C43315626

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥20.44
10+
￥17.47
50+
￥15.61

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型号：IRFS3004TRLPBF 编号：C538001

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥20.805 ￥36.5
10+
￥17.155 ￥36.5
30+
￥13.505 ￥36.5

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型号：IRFP3306PBF 编号：C537934

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥22.42
10+
￥19.24
25+
￥17.35

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型号：IPB100N12S3-05 编号：C536534

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。通过汽车AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。工作温度可达175°C。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥22.4614 ￥42.38
10+
￥18.2234 ￥42.38
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￥13.9854 ￥42.38

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型号：IPB024N08N5 编号：C536486

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥24.1733 ￥45.61
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￥19.6123 ￥45.61
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￥15.0513 ￥45.61

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型号：AUIRF1404 编号：C533222

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，这种HEXFET功率MOSFET的条纹平面设计采用了最新的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车和其他各种应用。

1+
￥24.9964 ￥48.07
10+
￥20.1894 ￥48.07
30+
￥15.3824 ￥48.07

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型号：ISC027N10NM6ATMA1 编号：C3278637

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素。根据J-STD-020标准MSL 1分类

1+
￥26
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￥22.51
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￥20.44
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￥17.57
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￥16.6
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￥16.17

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型号：AUIRF2804STRL 编号：C533239

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET @arrow功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效可靠器件

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1+
￥26.5791 ￥46.63
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￥21.9161 ￥46.63
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￥17.2531 ￥46.63

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型号：IRFS4310TRLPBF 编号：C2980619

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

1+
￥28.7523 ￥41.67
10+
￥24.0484 ￥40.76
30+
￥19.6735 ￥40.15
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￥19.3795 ￥39.55

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型号：IQDH45N04LM6CGSCATMA1 编号：C41485829

封装：PG-WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。为双面冷却优化设计。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥29.87
10+
￥25.31
30+
￥22.6

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型号：IPB95R130PFD7ATMA1 编号：C20191567

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列在超结（SJ）技术方面树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥30.66
10+
￥29.9
30+
￥29.4

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型号：SPW20N60C3FKSA1 编号：C672207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

1+
￥30.9348 ￥59.49
10+
￥24.9858 ￥59.49
30+
￥19.0368 ￥59.49

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型号：AUIRFS8409-7TRL 编号：C533421

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，利用最新处理技术，在每个硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点使该产品成为汽车和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

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单价：
￥31.2 / 个

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型号：IRFS4321TRL7PP 编号：C538019

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低Rdson降低损耗。低栅极电荷提高开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和电磁干扰性能。 30V栅极电压额定值提高了鲁棒性。完全表征雪崩安全工作区。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥31.239 ￥48.06
10+
￥25.8555 ￥47.01
30+
￥20.8395 ￥46.31
100+
￥20.5245 ￥45.61

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型号：IPW60R041C6FKSA1 编号：C3289070

封装：TO-247-3-1

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥31.63 / 个

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型号：IQDH45N04LM6SCATMA1 编号：C42331821

封装：PG-WHSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥33.35
10+
￥28.76
30+
￥26.04

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型号：IPT60R080G7 编号：C531213

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的表面贴装解决方案。

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1+
￥33.59
10+
￥28.74
30+
￥25.79

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型号：SPP17N80C3XKSA1 编号：C2997932

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。全球最佳的TO-220封装导通电阻RDS(on)。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改善的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

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