英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSZ100N06NSATMA1 编号：C3289333

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100% 雪崩测试。卓越的热阻性能。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

1+
￥3.4
10+
￥3.33
30+
￥3.28

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型号：IRF730PBF 编号：C2602

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,400V,5.5A,1Ω@10V

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.79
50+
￥2.44

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型号：IAUZ40N10S5L120ATMA1 编号：C3289321

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥3.56
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￥3.47
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￥3.42

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型号：IAUC100N04S6N028ATMA1 编号：C3288826

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。普通电平。通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥3.77
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￥3.68
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￥3.63

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型号：IRFL024NTRPBF 编号：C60460

封装：SOT-223-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,2.8A,75mΩ@10V

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￥3.89
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￥3.14
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￥2.82

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型号：IPD30N12S3L-31 编号：C536758

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。通过汽车AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥3.98
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￥3.88
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￥3.81

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型号：ISC037N03L5ISATMA1 编号：C3278718

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基类二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥4.04
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￥3.25
30+
￥2.86

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型号：IPU80R4K5P7AKMA1 编号：C3289109

封装：TO-251-3-21

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新。

1+
￥4.11
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￥3.28
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￥2.87
100+
￥2.46

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型号：BSZ033NE2LS5 编号：C534651

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥4.12
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￥4.03
30+
￥3.96

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型号：IPC100N04S5-1R9 编号：C536693

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平-AEC Q101认证。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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￥4.29
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￥4.2
30+
￥4.13

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型号：IPD038N06NF2SATMA1 编号：C20191574

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥4.46
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￥4.35
30+
￥4.28

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型号：IRFR6215TRPBF 编号：C150936

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V

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2000+
￥2.354
4000+
￥2.332

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型号：ISP25DP06LM 编号：C538449

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.06
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￥4.06
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￥3.56
100+
￥3.06

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型号：IPD5N25S3430ATMA1 编号：C3279095

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel。Enhancement mode。AEC qualified。MSL1 up to 260℃ peak reflow。175℃ operating temperature。Green Product (RoHS compliant)。100% Avalanche tested

1+
￥5.08
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￥4.96
30+
￥4.88

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型号：IPI70N04S4-06 编号：C536998

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1,最高260°C峰值回流温度。175°C工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试

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1+
￥5.09
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￥4.97
30+
￥4.89
100+
￥4.8

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型号：IPD900P06NM 编号：C536895

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.13
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￥4.14
30+
￥3.64

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型号：IPZ40N04S5L2R8 编号：C3279278

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥5.15
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￥4.18
30+
￥3.69

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型号：IRF830PBF 编号：C537840

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

第三代 HEXFET 为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功耗约达 50 瓦的商业 - 工业应用，TO - 220 封装是普遍首选。TO - 220 封装的低热阻和低成本促使其在整个行业得到广泛应用

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1+
￥5.26
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￥4.27
50+
￥3.77

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型号：BSC0925ND 编号：C534393

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥6.03
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￥4.88
30+
￥4.31

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型号：SPD04P10PLG 编号：C250646

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证

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1+
￥6.31
10+
￥5.2
30+
￥4.64

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型号：IRF7469TRPBF 编号：C413496

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥6.31
10+
￥5.1
30+
￥4.49

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型号：BSC900N20NS3 G 编号：C534439

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。低导通电阻RDS(on)。工作温度可达150°C。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥6.84
10+
￥6.69
30+
￥6.58

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型号：IRF7403TRPBF 编号：C169081

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,8.5A（Ta）

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1+
￥7.02
10+
￥5.83
30+
￥5.18

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型号：IPP50R380CEXKSA1 编号：C3288934

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新，与目标应用中的标准MOSFET相比，是一种具有成本吸引力的替代方案。所得器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥7.04
10+
￥5.78
50+
￥5.09

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型号：IRF6644TRPBF 编号：C520645

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6644PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。若遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明，DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%

数据手册

1+
￥7.05
10+
￥6.89
30+
￥6.78

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型号：IPG20N04S4L08ATMA1 编号：C672356

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。通过AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

1+
￥7.12
10+
￥5.9
30+
￥5.23
100+
￥4.48

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型号：ISZ230N10NM6ATMA1 编号：C3279290

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类