英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLB8743PBF 编号：C219748

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)，在VGS为4.5V时。超低栅极阻抗。完全表征的雪崩电压和电流。无铅。应用：针对UPS/逆变器应用进行优化。用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器

1+
￥10.67
10+
￥8.92
50+
￥7.96

有货

立即购买

型号：IPD40DP06NMATMA1 编号：C3289171

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥10.8
10+
￥9.27
30+
￥8.31
100+
￥2.8782 ￥7.02
500+
￥2.6978 ￥6.58
1000+
￥2.6158 ￥6.38

有货

立即购买

型号：ISC078N12NM6ATMA1 编号：C22455788

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻Rps(on)。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷（Qrr）。高雪崩能量额定值，175℃工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据J-STD-020标准为MSL 1级分类

1+
￥10.97
10+
￥10.7
30+
￥10.52

有货

立即购买

型号：IAUCN08S7N034ATMA1 编号：C36336377

封装：TSDSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

1+
￥11.06
10+
￥9.31
30+
￥8.22

有货

立即购买

型号：IPD42DP15LMATMA1 编号：C3279049

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS = 4.5 V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥11.23
10+
￥9.5
30+
￥8.42

有货

立即购买

型号：BSZ014NE2LS5IF 编号：C534641

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 100% 雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥11.27
10+
￥9.58
30+
￥8.53

有货

立即购买

型号：IPF016N06NF2SATMA1 编号：C20191599

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥11.42
10+
￥11.14
30+
￥10.96

有货

立即购买

型号：IQE006NE2LM5CGATMA1 编号：C3278295

封装：IPAK(TO-251AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61240-2-21标准，无卤

1+
￥11.81
10+
￥10.08
30+
￥9

有货

立即购买

型号：IRF6894MTRPBF 编号：C537807

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6894MPbF 将最新的 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO-8 封装尺寸且高度仅为 0.7 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET™ 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

数据手册

1+
￥11.869 ￥18.26
10+
￥9.823 ￥17.86
30+
￥7.9155 ￥17.59
100+
￥7.7985 ￥17.33

有货

立即购买

型号：IPB120P04P4L03ATMA1 编号：C3279160

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道逻辑电平增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥12.36
10+
￥12.09
30+
￥11.91

有货

立即购买

型号：BSC088N15LS5ATMA1 编号：C22405852

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤

1+
￥12.52
10+
￥12.2
30+
￥11.99

有货

立即购买

型号：IQE022N06LM5CGSCATMA1 编号：C20191649

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥12.88
10+
￥12.56
30+
￥12.35

有货

立即购买

型号：IAUAN04S7N005AUMA1 编号：C29705748

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥13.07
10+
￥12.74
30+
￥12.52

有货

立即购买

型号：IRF6715MTRPBF 编号：C537795

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合，在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大化电力系统中的热传递，将先前的最佳热阻降低 80%

数据手册