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950V CoolMOSTM PFD7超结功率器件

型号：IPB95R130PFD7ATMA1 编号：C20191567

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列在超结（SJ）技术方面树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥30.66
10+
￥29.9
30+
￥29.4

有货

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OptiMOs 5功率晶体管，60 V

型号：IQDH88N06LM5CGATMA1 编号：C19674127

封装：TTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤

1+
￥32.54
10+
￥27.57
30+
￥24.62

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:313A

型号：IPT012N06NATMA1 编号：C3288771

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥33.86
10+
￥28.65
30+
￥25.47

有货

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OptiMos 5 汽车级功率 MOSFET，120 V

型号：IAUTN12S5N017ATMA1 编号：C20190989

封装：HSOF-8-1

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥34.38
10+
￥33.51
30+
￥32.92

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:410A

型号：IAUT300N08S5N011ATMA1 编号：C3288767

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。标准水平-超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥34.45
10+
￥29.31
30+
￥26.25

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:260A

型号：IAUS260N10S5N019TATMA1 编号：C3278526

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用。 N沟道 – 增强模式 – 正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。可承受高达260°C峰值回流温度的MSL1等级。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥34.93
10+
￥29.97
30+
￥26.95

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:150A

型号：IRF6613TRPBF 编号：C537782

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了80%

数据手册

1+
￥35.69
10+
￥30.78
30+
￥27.86

有货

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950V CoolMOS PFD7 SJ功率器件

型号：IPA95R130PFD7XKSA1 编号：C20191553

封装：TO-220FULLPACK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥35.89
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￥35.11
50+
￥34.59

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:37.9A

型号：IPP60R099C6XKSA1 编号：C672336

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥38.14
10+
￥32.83
30+
￥29.6

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:300A

型号：IAUS300N08S5N011TATMA1 编号：C5656328

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥38.94
10+
￥33.29
30+
￥29.84

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:300A

型号：IAUS300N10S5N015TATMA1 编号：C3288751

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥40.41
10+
￥33.29
30+
￥29.84

有货

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N沟道 200V 138A

型号：IPF067N20NM6ATMA1 编号：C22408575

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。极低导通电阻Rps(on)。出色的栅极电荷×Rps(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷（Qrr）。高雪崩能量额定值，175℃工作温度。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据J-STD-020标准MSL 1分类，100%雪崩测试

1+
￥40.51
10+
￥39.5
30+
￥38.83

有货

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650V,电流:32A,耐压:700V

型号：IPB65R041CFD7ATMA1 编号：C3279159

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥42.69
10+
￥41.6
30+
￥40.87

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650V 27A

型号：IPT60R055CFD7XTMA1 编号：C5240738

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）优化的平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

数据手册

1+
￥45.53
10+
￥37.46
30+
￥33.55

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:190A

型号：IPT039N15N5ATMA1 编号：C3278539

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道。极低导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥49.18
10+
￥40.46
30+
￥36.24

有货

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N沟道,电流:115A,耐压:150V

型号：IPB048N15N5LFATMA1 编号：C3289235

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥49.63
10+
￥42.72
30+
￥38.51

有货

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750V 47A

型号：AIMDQ75R040M1HXUMA1 编号：C26523218

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙SiC材料特性，750V MOSFET结合了高性能、可靠性和易用性。适用于高温和恶劣工作环境，能够以低成本实现最高的系统效率。

1+
￥51.85
10+
￥50.52
30+
￥49.64

有货

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IPZA65R040CM8XKSA1

型号：IPZA65R040CM8XKSA1 编号：C47146896

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥66.15
10+
￥57.39
30+
￥52.05

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:63A

型号：IPW65R035CFD7AXKSA1 编号：C3289081

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥70.31
10+
￥66.81
30+
￥60.74

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:300A

型号：IPT020N10N3ATMA1 编号：C6062371

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。高电流能力。 175°C工作温度。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥83.23
10+
￥80.76

有货

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650V CoolMOS C7功率晶体管

型号：IPW65R019C7 编号：C537484

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

数据手册

1+
￥110.03
10+
￥106.07

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:230mA

型号：SN7002W H6327 编号：C539276

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅引脚电镀。符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.7611
50+
￥0.609
150+
￥0.533
500+
￥0.476

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:600mA

型号：IRF5801TRPBF 编号：C88244

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,600mA,2.2Ω@10V

数据手册

5+
￥0.9528
50+
￥0.9322
150+
￥0.9185

有货

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1个N沟道耐压:700V 电流:4A

型号：IPN70R1K4P7S 编号：C152684

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

数据手册

1+
￥1.67
10+
￥1.63
30+
￥1.6

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:5.6A

型号：IRLMS6802TRPBF 编号：C43184

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥2.1467
50+
￥1.7367
150+
￥1.561

有货

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IPD80R3K3P7

型号：IPD80R3K3P7 编号：C536887

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.68
30+
￥2.64

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:40A

型号：ISZ040N03L5ISATMA1 编号：C3289326

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。优异的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

1+
￥2.89
10+
￥2.31
30+
￥2.06

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BSZ035N03MS G

型号：BSZ035N03MS G 编号：C534654

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.95
30+
￥2.91
100+
￥2.86

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:3.6A

型号：IRF7451TRPBF 编号：C2837683

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥3.19
30+
￥3.13

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:3.2A

型号：IPD60R1K4C6ATMA1 编号：C3279037

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS TM 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS TM C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此推出的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性

1+
￥3.36
10+
￥3.29
30+
￥3.24

有货

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