英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR430ATRPBF 编号：C3015

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,500V,5A,1.7Ω@10V

数据手册

1+
￥5.01
10+
￥4.15
30+
￥3.72
100+
￥3.29

有货

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型号：BSL202SN H6327 编号：C534454

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。超级逻辑电平（额定 2.5V）。雪崩额定。dv/dt 额定。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 AEC Q101 认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

数据手册

1+
￥5.2156 ￥10.03
10+
￥3.5196 ￥8.38
30+
￥2.3936 ￥7.48
100+
￥2.0672 ￥6.46
500+
￥1.9232 ￥6.01
1000+
￥1.856 ￥5.8

有货

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型号：IPN80R900P7ATMA1 编号：C152658

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,10V,6A,900mΩ@10V

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1+
￥5.24
10+
￥5.15
30+
￥5.1
100+
￥5.04

有货

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型号：IPP082N10NF2S 编号：C2974322

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.31
10+
￥4.36
50+
￥3.88

有货

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型号：BSL211SP H6327 编号：C534455

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150℃。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥5.3664 ￥10.32
10+
￥3.6246 ￥8.63
30+
￥2.464 ￥7.7
100+
￥2.128 ￥6.65
500+
￥1.9776 ￥6.18
1000+
￥1.9104 ￥5.97

有货

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型号：ISZ0703NLSATMA1 编号：C3279291

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。适用于标准等级应用

1+
￥5.49
10+
￥4.46
30+
￥3.94

有货

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型号：BSZ031NE2LS5ATMA1 编号：C3279303

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥5.73
10+
￥4.65
30+
￥4.11

有货

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型号：BSZ100N06NSATMA1 编号：C3289333

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100% 雪崩测试。卓越的热阻性能。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

1+
￥5.79
10+
￥4.64
30+
￥4.06

有货

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型号：BSC0925ND 编号：C534393

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥5.97
10+
￥4.84
30+
￥4.27

有货

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型号：IPD30N06S2L-23 编号：C386371

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 30A

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1+
￥6.18
10+
￥5
30+
￥4.42

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型号：IPB100N04S4-H2 编号：C536528

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥6.2 ￥10
10+
￥5.0856 ￥9.78
30+
￥4.0488 ￥9.64
100+
￥3.99 ￥9.5

有货

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型号：BSZ0501NSIATMA1 编号：C3289324

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥6.26
10+
￥5.13
30+
￥4.57

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型号：IRF6644TRPBF 编号：C520645

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6644PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。若遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明，DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%

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1+
￥6.26
10+
￥6.11
30+
￥6.02

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型号：IRFR48ZTRPBF 编号：C537982

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性使其成为一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。

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1+
￥6.3
10+
￥5.01
30+
￥4.37

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型号：IRF9395MTRPBF 编号：C537849

封装：MG-DSON-8(4.9x6.3)mm

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF9395MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在尺寸与SO - 8相同且高度仅为0.6mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装可与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

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1+
￥6.3825 ￥9.25
10+
￥5.3395 ￥9.05
30+
￥4.3659 ￥8.91
100+
￥4.3022 ￥8.78

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型号：BSZ033NE2LS5 编号：C534651

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥6.61
10+
￥5.35
30+
￥4.72
100+
￥4.1

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型号：IRF8915TRPBF 编号：C537844

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：超低栅极阻抗。极低的导通电阻RDS(on)。完全表征的雪崩电压和电流。应用：台式机、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器

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1+
￥6.786 ￥13.05
10+
￥4.683 ￥11.15
30+
￥3.1904 ￥9.97
100+
￥2.8 ￥8.75
500+
￥2.624 ￥8.2
1000+
￥2.5472 ￥7.96

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型号：IPD122N10N3GATMA1 编号：C5381669

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃ 工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.62
30+
￥4.98

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型号：BSZ0901NSIATMA1 编号：C3289329

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥7.02
10+
￥5.76
30+
￥5.14
100+
￥4.34

有货

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型号：ISZ520N20NM6ATMA1 编号：C22408593

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥7.57
10+
￥7.37
30+
￥7.24

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型号：IPD70N10S3-12 编号：C536859

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥7.59
10+
￥6.22
30+
￥5.47
100+
￥4.62

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型号：IAUC70N08S5N074 编号：C3278674

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥7.66
10+
￥6.39
30+
￥5.7

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型号：IRF1310NSTRLPBF 编号：C459935

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于低外形应用。

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