英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC028N06NSSC 编号：C534317

封装：TDSON-8(5.9x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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1+
￥11
10+
￥10.75
30+
￥10.59

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型号：IAUAN04S7N007AUMA1 编号：C24851154

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥11.32
10+
￥11.07
30+
￥10.91

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型号：IRFS3006TRLPBF 编号：C538003

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥11.63 / 个

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型号：IAUAN04S7N005AUMA1 编号：C29705748

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥13.07
10+
￥12.74
30+
￥12.52

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型号：IRF1010ZSTRLPBF 编号：C459933

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术，在单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

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1+
￥13.32
10+
￥10.4788 ￥11.39
30+
￥8.3394 ￥10.17
100+
￥7.3226 ￥8.93
500+
￥6.8634 ￥8.37
1000+
￥6.6666 ￥8.13

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型号：IPD60R360CFD7ATMA1 编号：C3289167

封装：TO-252-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.43
10+
￥11.47
30+
￥9.86

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型号：IAUC60N04S6N050HATMA1 编号：C3278717

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。增强模式。正常电平-AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥13.64
10+
￥11.59
30+
￥10.31

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型号：IRF4104SPBF 编号：C169754

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET Power MOSFET利用最新加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩产生能力。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

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1+
￥13.69
10+
￥11.58
30+
￥10.26

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型号：IAUC120N04S6L005ATMA1 编号：C3278713

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥13.94
10+
￥11.83
30+
￥10.51

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型号：BSC010N04LST 编号：C534281

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。额定温度175℃。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC1)针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥14.07
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￥13.76
30+
￥13.56

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型号：BSC160N15NS5SCATMA1 编号：C6516255

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双侧冷却封装，具有最低的结到顶部热阻。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。适用于高频开关和同步整流

1+
￥14.26
10+
￥13.91
30+
￥13.68

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型号：IAUCN04S6N009TATMA1 编号：C22408320

封装：LHDSO-10

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥14.81
10+
￥12.42
30+
￥10.93

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型号：IAUA210N10S5N024AUMA1 编号：C3288760

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET。 N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。应用：一般汽车应用

1+
￥15.18
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￥14.8
30+
￥14.55

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型号：IPD90N10S4L06ATMA1 编号：C5440942

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel-Enhancement mode。 AEC qualified。 MSL1 up to 260°C peak reflow。 175°C operating temperature。 Green Product (RoHS compliant)。 100% Avalanche tested

1+
￥15.69
10+
￥13.2
30+
￥11.64

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型号：AUIRF7343QTR 编号：C533280

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用双SO-8封装的功率MOSFET，利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。具备150°C的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，适用于各种功率应用，可显著减少电路板空间，也提供卷带包装。

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1+
￥16.59
10+
￥14.08
30+
￥12.51

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型号：IPB339N20NM6ATMA1 编号：C24482343

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥16.81
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￥16.44
30+
￥16.19

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型号：IAUC100N10S5L040 编号：C535699

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥17.42
10+
￥14.92
30+
￥12.85
100+
￥11.25

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型号：IPA95R310PFD7XKSA1 编号：C20191554

封装：TO-220-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低

1+
￥18.47
10+
￥15.49
50+
￥13.63

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型号：IRFH4253DTRPBF 编号：C537886

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：控制和同步MOSFET集成在一个封装中。低电荷控制MOSFET（典型值10nC）。低RDSON同步MOSFET（<1.45mΩ）。 Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管。符合RoHS标准，无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：同步降压转换器的控制和同步MOSFET

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1+
￥19.5
10+
￥16.82
30+
￥15.22

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型号：IPA60R125P6 编号：C536351

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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1+
￥20.04
10+
￥17.09
50+
￥13.68
100+
￥11.78

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型号：ISZ173N15NM6ATMA1 编号：C32450212

封装：PG-TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 通道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤。根据 C-STD-020 分类为 MSL 1

1+
￥20.64
10+
￥20.19
30+
￥19.89

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型号：IPP089N15NM6AKSA1 编号：C32716881

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥21.64
10+
￥21.16
30+
￥20.85

有货

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型号：IQDH45N04LM6SCATMA1 编号：C42331821

封装：PG-WHSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥21.86
10+
￥21.38
30+
￥21.06

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型号：IRFP3306PBF 编号：C537934

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥22.42
10+
￥19.24
25+
￥17.35

有货

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型号：IAUTN06S5N008ATMA1 编号：C20190986

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式，正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。 MSL1可达260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用

1+
￥24.86
10+
￥24.23
30+
￥23.81

有货

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型号：IPL60R105P7AUMA1 编号：C6577175

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥27.31
10+
￥23.15
30+
￥20.67

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型号：AUIRFS8409-7TRL 编号：C533421

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，利用最新处理技术，在每个硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点使该产品成为汽车和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

数据手册

单价：
￥28.73 / 个

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型号：IPTG017N12NM6ATMA1 编号：C27391716

封装：PG-HSOG-8-1

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥29.41
10+
￥28.77
30+
￥28.34

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型号：IQD009N06NM5ATMA1 编号：C23569863

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤

1+
￥29.59
10+
￥25.08
30+
￥22.39

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型号：IAUCN04S7N006TATMA1 编号：C48017515

封装：PG-LHDSO-10-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥29.75
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￥29.1
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