英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

特性：针对高性能无线充电器进行优化。用于高频开关电源的极低 FOM_QSS。用于高频开关电源的低 FOM_SW。出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。100% 雪崩测试。卓越的热阻。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：IRF9362TRPBF 编号：C3007639

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。多供应商兼容。更环保。应用：笔记本电脑电池充放电开关

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型号：IRF1018EPBF 编号：C495795

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IRFU5305PBF 编号：C538065

封装：IPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。这种优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRPO系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

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型号：IPD50N10S3L16 编号：C3279057

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。符合RoHS标准。 100%雪崩测试

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型号：IPD122N10N3GATMA1 编号：C5381669

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃ 工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：IRL520NSTRLPBF 编号：C538130

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现每单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

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型号：IAUC70N08S5N074 编号：C3278674

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：ISZ520N20NM6ATMA1 编号：C22408593

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPG20N04S4-08 编号：C536928

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道正常电平。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。工作温度175°C。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IPD18DP10LMATMA1 编号：C3279050

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSC061N08NS5 编号：C534359

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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型号：IPG20N04S4L11AATMA1 编号：C17299973

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：ISZ0602NLSATMA1 编号：C3289316

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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型号：IPD040N08NF2SATMA1 编号：C19631202

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRF3710ZPBF 编号：C459965

封装：TO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRFS38N20DTRLP 编号：C415699

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD023N04NF2SATMA1 编号：C20191571

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSZ024N04LS6ATMA1 编号：C7223142

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度为-175℃

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型号：IPP129N10NF2SAKMA1 编号：C3288953

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IPD80R2K7C3A 编号：C536884

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。通过AEC Q101认证。绿色封装（符合RoHS标准），无铅镀铅，模塑料无卤。超低栅极电荷。应用：高直流母线电压的汽车应用。开关应用（如有源钳位正激）

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型号：IAUCN10S5L094DATMA1 编号：C27755423

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA083N10N5 编号：C536320

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC认证，适用于目标应用。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥10.06
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型号：IPG20N06S4L-11 编号：C536948

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IRF2807STRLPBF 编号：C97742

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,82A,13mΩ@10V

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型号：BSC670N25NSFDATMA1 编号：C7220857

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，额定温度 175℃。出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEDEC1.1 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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型号：IRFR2307ZTRLPBF 编号：C537957

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术，实现了极低的每硅面积导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。

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型号：ISP650P06NM 编号：C538454

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：ISC080N10NM6ATMA1 编号：C3288845

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。优异的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准为MSL 1级分类

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型号：IPP60R170CFD7 编号：C537207

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化平台，适用于软开关应用，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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