英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPB021N10NM5LF2ATMA1 编号：C44182141

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥43.56
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￥37.79
30+
￥34.28

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型号：IPL65R070C7 编号：C537041

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

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￥43.962 ￥51.72
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￥37.9425 ￥50.59
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￥32.396 ￥49.84
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￥31.9085 ￥49.09

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型号：AUIRFP4409 编号：C533313

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。HEXFET功率MOSFET以快速开关速度和坚固耐用的器件设计而闻名，将这一优势与之相结合，可为设计人员提供一款极其高效可靠的器件，适用于汽车及其他多种应用场景。

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￥46.267 ￥71.18
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￥37.9885 ￥69.07
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￥31.0815 ￥69.07

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型号：IPT60R045CFD7XTMA1 编号：C3278556

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CFD7是CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 和改进的关断性能，CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

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￥47.46
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￥40.5
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￥36.26

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型号：AUIRF7749L2TR 编号：C533295

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

将最新的汽车HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）尺寸和仅0.7mm厚度的封装中实现卓越性能。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大化汽车电源系统中的热传递。该HEXFET功率MOSFET专为注重效率和功率密度的应用而设计

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￥47.63
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型号：IPP65R041CFD7XKSA1 编号：C7210887

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中具有最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性融为一体。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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￥50.64
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￥43.72
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￥39.5

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型号：IPB068N20NM6ATMA1 编号：C22443510

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IAUTN12S5N018TATMA1 编号：C20190991

封装：HDSOP-16-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥53.22
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￥52.06
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型号：IRFSL3006PBF 编号：C538040

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥59.1418 ￥95.39
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型号：AUIRF7769L2TR 编号：C533297

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035，DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递

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￥70.13
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￥59.82
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型号：IPZ65R045C7 编号：C537517

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优点，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

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￥75.59
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￥72.07
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￥65.98

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型号：IPW60R024CM8XKSA1 编号：C46642973

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥78.76
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￥75.29
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￥69.27

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型号：IPT020N10N3ATMA1 编号：C6062371

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。高电流能力。 175°C工作温度。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥83.23
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型号：IPT60R016CM8XTMA1 编号：C23569857

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥86.26
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￥82.46
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￥75.87

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型号：BSS84P H6433 编号：C534633

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥0.3318
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型号：BSS223PWH6327 编号：C3278612

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。 150℃工作温度。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥0.5798
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型号：IRLML0030TRPBF 编号：C67272

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V

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型号：BSR802NL6327 编号：C5240463

封装：SC-59

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。雪崩额定。引脚兼容SO/T23。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准

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型号：BSS169IXTSA1 编号：C3278607

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel。 Depletion mode。 dv/dt rated。 Pb-free lead-plating; RoHS compliant。 Halogen-free according to AEC61249-2-21

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型号：BSL316CH6327 编号：C3279328

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥1.41
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型号：ISP98DP10LMXTSA1 编号：C3278596

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻，RDS(on)在VGS≈4.5V时。逻辑电平。 100%雪崩测试。增强模式。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥2.2
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￥1.55

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型号：IPN70R2K0P7S 编号：C537092

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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￥2.83
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￥2.21
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￥1.94
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￥1.61

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型号：BSP170IATMA1 编号：C48018095

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥3.22
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￥2.28
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型号：IPD031N03LG 编号：C6279876

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。为DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥3.56
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￥3.48
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￥3.42
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￥3.36

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型号：BSC076N06NS3 G 编号：C534369

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化的技术。出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥3.49
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￥3.44

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型号：IRL60HS118 编号：C538134

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥4.27
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￥4.17
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￥4.1

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型号：IAUCN10S7L180ATMA1 编号：C43311525

封装：PG-TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥4.39
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￥4.32

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型号：IAUC60N10S5L110ATMA1 编号：C3278678

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥4.69
10+
￥4.59
30+
￥4.51
100+
￥4.44

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型号：IRF8113TRPBF 编号：C10473

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V

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￥4.91
10+
￥3.99
30+
￥3.52

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型号：IRLR2905TRLPBF 编号：C538166

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

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￥4.2296 ￥6.22
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