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第8代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
  • 1+

    ¥90.02
  • 10+

    ¥85.49
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    ¥77.62
  • 有货
  • 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能,该产品在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥ZVS)中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥107.85
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      ¥102.57
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      ¥93.42
  • 有货
  • 第8代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥146.9
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      ¥141.77
  • 有货
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      ¥0.24
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      ¥0.2348
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      ¥0.2314
  • 有货
  • N沟道,20V,2.5A,50mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7876
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      ¥0.6292
    • 150+

      ¥0.55
  • 有货
  • 适用于高达1GHz的低噪声、高增益可控输入级,工作电压5V,采用无铅(符合RoHS标准)封装,符合AEC Q101标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8781
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      ¥0.8606
    • 150+

      ¥0.8489
  • 有货
  • 特性:N-channel。 Depletion mode。 dv/dt rated。 Pb-free lead-plating; RoHS compliant。 Halogen-free according to AEC61249-2-21
    • 5+

      ¥1.3367
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      ¥1.0361
    • 150+

      ¥0.9073
  • 有货
  • 特性:互补P + N沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 雪崩额定。 根据AEC Q101认证。 100%无铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥1.41
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      ¥1.37
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      ¥1.35
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      ¥1.33
  • 有货
  • 特性:双P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 5+

      ¥2.2006
    • 50+

      ¥1.747
    • 150+

      ¥1.5526
  • 有货
  • 特性:N通道。增强模式。AEC合格。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥2.34
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.24
  • 有货
  • 特性:P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.93
  • 有货
  • 最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新的标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥3.15
  • 有货
  • CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时不影响其易用性
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4385 ¥14.95
    • 10+

      ¥3.1763 ¥13.81
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      ¥3.013 ¥13.1
    • 100+

      ¥2.8474 ¥12.38
    • 500+

      ¥2.7715 ¥12.05
    • 1000+

      ¥2.737 ¥11.9
  • 有货
  • N沟道,60V,1.8A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.57
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.49
  • 有货
  • 特性:N-channel, normal level。 优秀的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C 工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥2.79
  • 有货
  • 7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
    • 1+

      ¥4.14
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥2.91
    • 100+

      ¥2.5
  • 有货
  • CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.16
    • 10+

      ¥3.45
    • 50+

      ¥2.89
  • 有货
  • 应用:电池应用系统的充放电开关/负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.52
  • 有货
    • 1+

      ¥4.49
    • 10+

      ¥4.39
    • 30+

      ¥4.32
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥3.82
    • 40+

      ¥3.24
  • 有货
  • N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.52
  • 有货
  • 特性:N沟道汽车应用OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1可达260℃峰值回流温度。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥3.97
    • 30+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥2.98
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.04
    • 10+

      ¥4.09
    • 50+

      ¥3.61
  • 有货
  • 特性:N 通道,正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.14 / 个
    特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101合格。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试。适用于自动光学检测(AOI)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.12
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.08
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用
    • 1+

      ¥5.18
    • 10+

      ¥5.08
    • 30+

      ¥5.01
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥5.39
    • 10+

      ¥4.38
    • 30+

      ¥3.88
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.4
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.37
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的导通电阻。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 用于电信和工业用途的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.56
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥5.96
    • 10+

      ¥4.75
    • 30+

      ¥4.15
    • 100+

      ¥3.55
  • 有货
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