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1个N沟道耐压:600V 电流:15A

型号：SPP15N60C3 编号：C539309

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。 PG-TO-220-3-31;-3-111：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥22.6119 ￥39.67
10+
￥18.6449 ￥39.67
30+
￥14.6779 ￥39.67

有货

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耐压:40V 电流:206A

型号：IRFBA1404PPBF 编号：C537879

封装：Super-220(TO-273AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，以实现每单位硅片面积极低的导通电阻。该MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度，以及在单次和重复雪崩情况下增强的耐用性。Super-220TM封装的机械外形和引脚排列与行业标准的TO-220相同，但能容纳更大的硅芯片

数据手册

1+
￥23.1335 ￥35.59
10+
￥19.1455 ￥34.81
30+
￥15.435 ￥34.3
100+
￥15.201 ￥33.78

有货

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150V 114A

型号：IPB073N15N5 编号：C536520

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷。 175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥23.91
10+
￥20.52
30+
￥18.51

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:48A

型号：IPP60R060P7XKSA1 编号：C3288931

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥24.23
10+
￥20.88
30+
￥18.89

有货

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1个N沟道电流:23A

型号：IPB60R080P7ATMA1 编号：C7210840

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

1+
￥24.32
10+
￥20.69
30+
￥18.53

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:8A

型号：IPL65R195C7 编号：C537045

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

数据手册

1+
￥24.9132 ￥47.91
10+
￥17.4594 ￥41.57
30+
￥12.064 ￥37.7
100+
￥11.0272 ￥34.46

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:80A

型号：IPB80N04S2-H4 编号：C536656

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车级AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。超低导通电阻。 100%雪崩测试。环保产品（符合RoHS标准）

数据手册

1+
￥25.207 ￥27.7
10+
￥21.951 ￥27.1
30+
￥18.9499 ￥26.69
100+
￥18.6659 ￥26.29

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:27A

型号：IPT60R125G7 编号：C531215

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进的热性能相结合，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的SMD解决方案。

数据手册

1+
￥25.4188 ￥47.96
10+
￥20.6228 ￥47.96
30+
￥15.8268 ￥47.96

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:24.3A

型号：SPW24N60C3 编号：C10468

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,650V,24.3A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥28.37
10+
￥24.62
25+
￥22.39

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:240A

型号：IAUT240N08S5N019 编号：C535725

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。超低导通电阻 Rds(on)。100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥28.956 ￥50.8
10+
￥23.876 ￥50.8
30+
￥18.796 ￥50.8

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:23A

型号：IPA60R080P7 编号：C536341

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥29.5176 ￥52.71
10+
￥24.2466 ￥52.71
30+
￥18.9756 ￥52.71

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:64A

型号：IPB64N25S3-20 编号：C536630

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥29.98
10+
￥25.9
30+
￥23.47

有货

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IPW60R099CM8XKSA1

型号：IPW60R099CM8XKSA1 编号：C46642983

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥30.11
10+
￥25.97
30+
￥23.51

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：IPA60R125C6 编号：C536348

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。该产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥30.157 ￥56.9
10+
￥24.467 ￥56.9
30+
￥18.777 ￥56.9

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：IPP60R125C6XKSA1 编号：C672370

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。该产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥30.4725 ￥59.75
10+
￥24.4975 ￥59.75
30+
￥18.5225 ￥59.75

有货

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600V CoolMOS C7功率晶体管

型号：IPW60R040C7 编号：C537447

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。

数据手册

单价：
￥30.53 / 个

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:210A

型号：AUIRFS3206TRL 编号：C533378

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

专门为汽车应用设计，采用最新加工技术，每单位硅面积实现极低导通电阻。该设计还具有175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

数据手册

1+
￥30.602 ￥47.08
10+
￥25.333 ￥46.06
30+
￥20.4165 ￥45.37
100+
￥20.1105 ￥44.69

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:41A

型号：IPB720P15LMATMA1 编号：C3279184

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥30.68
10+
￥26.08
30+
￥23.34

有货

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OptiMOs 5系列功率晶体管，80 V

型号：IQD016N08NM5CGATMA1 编号：C20191638

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥32.13
10+
￥27.36
30+
￥24.45

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:155A

型号：IPT059N15N3ATMA1 编号：C3278549

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，标准电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度达175°C。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合JEDEC标准。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥32.15
10+
￥27.35
30+
￥24.5

有货

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OptiMOs 3功率晶体管

型号：IPP041N12N3G 编号：C2963045

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度175℃。无铅镀铅；符合RoHS标准，无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

1+
￥32.2164 ￥56.52
10+
￥26.5644 ￥56.52
30+
￥20.9124 ￥56.52

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:75A

型号：IRF3805STRLPBF 编号：C520650

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET Power MOSFET利用最新的处理技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥32.29
10+
￥31.58
30+
￥31.11
100+
￥21.1416 ￥30.64

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:15A

型号：IPL65R130C7AUMA1 编号：C3279344

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先的超结MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众

1+
￥32.35
10+
￥31.64
30+
￥31.17
100+
￥19.034 ￥30.7

有货

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OptiMOs 5功率晶体管，150 V

型号：IPTG039N15NM5ATMA1 编号：C20191629

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥32.54
10+
￥27.69
30+
￥24.74

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：IPI045N10N3 G 编号：C445495

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175°C 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥34.11
10+
￥33.36
50+
￥32.87
100+
￥12.948 ￥32.37

有货

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耐压:700V 电流:31.2A

型号：IPA65R110CFD 编号：C536396

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥35.2317 ￥61.81
10+
￥29.0507 ￥61.81
30+
￥22.8697 ￥61.81

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:545A

型号：AUIRF8739L2TR 编号：C533300

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRF8739L2将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装技术相结合，在具备SO - 8或5X6mm PQFN封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了卓越性能。如果遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明，DirectFET®封装可与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统中的热传递效率

数据手册

1+
￥36.5276 ￥68.92
10+
￥29.6356 ￥68.92
30+
￥22.7436 ￥68.92

有货

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耐压:150V 电流:105A

型号：IRFPS3815PBF 编号：C537944

封装：TO-274AA

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。

数据手册

1+
￥39.959 ￥64.45
10+
￥32.7808 ￥63.04
25+
￥26.0862 ￥62.11
100+
￥25.6914 ￥61.17

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:300A

型号：IAUS300N10S5N015TATMA1 编号：C3288751

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥40.41
10+
￥33.29
30+
￥29.84

有货

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HEXFET功率MOSFET

型号：AUIRFB8409 编号：C533305

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计还具备175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该产品成为汽车应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。

数据手册

1+
￥40.4508 ￥77.79
10+
￥28.3458 ￥67.49
30+
￥19.5872 ￥61.21
100+
￥17.904 ￥55.95

有货

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