英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：AUIRF3805 编号：C533253

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每个硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效可靠的器件。

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1+
￥13.9048 ￥26.74
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￥11.2308 ￥26.74
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￥8.5568 ￥26.74

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型号：IAUC120N04S6L005ATMA1 编号：C3278713

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥13.94
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￥11.83
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型号：IRFH8303TRPBF 编号：C537901

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON) (≤ 1.10 mΩ)。低至PCB的热阻 (<0.8℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (≤ 0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：同步降压转换器的控制MOSFET

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￥14.025 ￥27.5
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￥9.7252 ￥23.72
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￥6.6557 ￥21.47
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￥5.6265 ￥18.15
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￥5.4808 ￥17.68

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型号：AUIRFB8405 编号：C533303

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

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￥14.2532 ￥27.41
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￥11.5122 ￥27.41
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￥8.7712 ￥27.41

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型号：ISZ106N12LM6ATMA1 编号：C20191691

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥14.31
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￥12.05
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￥10.64

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型号：IAUCN04S7L005ATMA1 编号：C29377257

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道。增强模式。逻辑电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。应用：一般汽车应用

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￥14.63
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型号：IRF2805PBF 编号：C2611

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,75A,4.7mΩ@10V

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￥14.64
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￥7.5012 ￥8.93

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型号：IQE046N08LM5CGSCATMA1 编号：C20191654

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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型号：IRLH5030TRPBF 编号：C538146

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon（≤9.0mΩ）。低至PCB的热阻（≤0.8℃/W）。 100% Rg测试。低外形（≤ 0.9 mm）。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：二次侧同步整流。直流电机逆变器

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￥15.12
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￥12.74
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型号：IPB180P04P4-03 编号：C536577

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPB144N12N3 G 编号：C536557

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，标准电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻。175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥15.4548 ￥29.16
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型号：IRFBC30PBF 编号：C2633

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V

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￥15.85
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型号：IAUC100N10S5N040 编号：C535700

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥15.97
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型号：IAUCN04S7L004 编号：C39673505

封装：PG-TDSON-8-53

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：AUIRFR3806TRL 编号：C533337

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，在每个硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175°C的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使其成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

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￥16.4528 ￥31.64
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型号：IPP339N20NM6AKSA1 编号：C29699796

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级。 100%雪崩测试

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￥16.54
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型号：IPA65R190E6XKSA1 编号：C115847

封装：TO-220F(TO-220IS)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟 650V 20.2A

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￥16.5516 ￥31.83
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型号：AUIRF7675M2TR 编号：C533288

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRF7675M2TR/TR1将最新的汽车用HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装平台相结合，为汽车D类音频放大器应用打造出一款同类最佳的产品。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与功率应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统的热传递效率

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￥16.8552 ￥23.41
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型号：IRF6623TRPBF 编号：C537786

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6623PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在尺寸与MICRO - 8相同且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将以往最佳的热阻降低80%

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1+
￥17.5396 ￥33.73
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￥12.2178 ￥29.09
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型号：IQE065N10NM5SCATMA1 编号：C5846951

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道。 100%雪崩测试。卓越的热阻。卓越的引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤

1+
￥17.82
10+
￥15.11
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￥13.42

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型号：IRF8302MTRPBF 编号：C537837

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8302MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，比之前最佳的热阻降低了80%

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型号：IPT022N10NF2SATMA1 编号：C20191621

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥18.63
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￥15.68
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￥13.83

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型号：IQD005N04NM6SCATMA1 编号：C42231658

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥18.52
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￥18.25

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型号：BSC093N15NS5SCATMA1 编号：C20189655

封装：TDSON-8-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双侧冷却封装，具有最低的结到顶部热阻。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。适用于高频开关和同步整流

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￥19.06
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￥18.59
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￥18.28

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型号：IPB027N10N3 G 编号：C386326

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,120A

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￥16.55
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型号：IPAN70R360P7S 编号：C536448

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和最先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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