英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUCN10S7N074ATMA1 编号：C44180831

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：OptiMOS功率MOSFET，用于汽车应用，N沟道。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥16.58
10+
￥14.17
30+
￥12.66
100+
￥11.12

有货

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型号：IPP60R099P7XKSA1 编号：C672383

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥18.59
30+
￥17.62

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型号：IQE022N06LM5SCATMA1 编号：C20191650

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的热阻性能。 100%经过雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥19.25
10+
￥16.36
30+
￥14.65

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型号：IPA60R280C6XKSA1 编号：C669889

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和低温。

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￥19.27
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￥18.37
50+
￥17.83

有货

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型号：BSC025N08LS5ATMA1 编号：C3288906

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。100%雪崩测试。卓越的热阻性能。N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

1+
￥19.61
10+
￥16.65
30+
￥14.79

有货

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型号：IPL65R130C7AUMA1 编号：C3279344

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先的超结MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众

1+
￥20.057 ￥32.35
10+
￥19.6168 ￥31.64
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￥19.3254 ￥31.17
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￥19.034 ￥30.7

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型号：IPP17N25S3100AKSA1 编号：C3288978

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。 AEC 认证。 MSL1 可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS 标准）。 100% 雪崩测试

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￥20.17
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￥17.14
50+
￥15.35

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型号：BSC027N10NS5 编号：C534315

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度175℃。符合JEDEC47/20/22相关测试，适用于工业应用

数据手册

1+
￥20.49
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￥17.51
30+
￥15.64

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型号：IRF3805STRLPBF 编号：C520650

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET Power MOSFET利用最新的处理技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥22.2801 ￥32.29
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￥21.7902 ￥31.58
30+
￥21.4659 ￥31.11
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￥21.1416 ￥30.64

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型号：BSC009N04LSSCATMA1 编号：C6753334

封装：WSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双侧冷却封装，具有最低的结顶热阻。针对同步整流进行优化。额定温度175℃。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥23.49
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￥20.24
30+
￥18.3

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型号：IQD005N04NM6CGSCATMA1 编号：C41613338

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥23.77
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￥23.25
30+
￥22.9

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型号：IPB60R080P7ATMA1 编号：C7210840

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

1+
￥24.57
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￥20.94
30+
￥18.78

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型号：IQD020N10NM5CGATMA1 编号：C20191639

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥25.08
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￥24.54
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￥24.17

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型号：SPP80P06PHXKSA1 编号：C3288986

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥27.02
10+
￥22.94
50+
￥20.52

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型号：SPW24N60C3 编号：C10468

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,650V,24.3A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥28.37
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￥24.62
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￥22.39

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型号：ISC035N10NM5LF2ATMA1 编号：C22408528

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。极低导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥29.18
10+
￥28.46
30+
￥27.98

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型号：IQDH45N04LM6CGSCATMA1 编号：C41485829

封装：PG-WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。为双面冷却优化设计。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥29.92
10+
￥25.35
30+
￥22.64

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型号：IPW60R041C6FKSA1 编号：C3289070

封装：TO-247-3-1

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥31.86 / 个

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型号：IPT60R080G7 编号：C531213

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的表面贴装解决方案。

数据手册

1+
￥36.59
10+
￥31.75
30+
￥28.79

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型号：IPT020N13NM6ATMA1 编号：C22443521

封装：PG-HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥42.34
10+
￥41.41
30+
￥40.8

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型号：ISC055N15NM6ATMA1 编号：C32725363

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥43.75
10+
￥42.68
30+
￥41.96

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型号：IPB020N10N5 编号：C3009984

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，针对FOMoss进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度为175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

1+
￥45.19
10+
￥39.2
30+
￥35.56

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型号：IPP60R022S7 编号：C537184

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有最低的导通电阻值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。

数据手册

1+
￥50.41
10+
￥49.26
30+
￥48.49

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型号：IPT067N20NM6ATMA1 编号：C22408421

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-通道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。根据J-STD-020进行MSL 1分类。 100%雪崩测试

1+
￥51.65
10+
￥44.15
30+
￥39.59

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型号：IPW60R037CM8XKSA1 编号：C26926459

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 第八代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的换代产品。

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￥51.9
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￥44.17
25+
￥39.46

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型号：IPW95R060PFD7XKSA1 编号：C20191634

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比，PFD7 提供了一个集成的超快体二极管，可在谐振拓扑中使用，且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。

1+
￥75.26
10+
￥71.57
30+
￥65.19

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型号：IPW60R024CM8XKSA1 编号：C46642973

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥78.76
10+
￥75.29
30+
￥69.27

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型号：IPB65R095C7 编号：C536633

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高效率、降低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

数据手册

1+
￥82.46
10+
￥71.54
30+
￥64.89

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型号：IPW65R037C6FKSA1 编号：C3278913

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos tm 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。CoolMOs Tm C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势

1+
￥82.731 ￥119.9
10+
￥80.2677 ￥116.33

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型号：IPT60R016CM8XTMA1 编号：C23569857

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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