英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPD90N06S4L-06 编号：C536909

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。超低导通电阻

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型号：BSZ024N04LS6ATMA1 编号：C7223142

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度为-175℃

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型号：IRFH7085TRPBF 编号：C520643

封装：PQFN(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

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型号：IPU80R1K4P7 编号：C531223

封装：TO-251-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌在超结技术领域超过18年的创新探索。

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型号：IRF3415STRLPBF 编号：C92292

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V

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型号：IPD028N06NF2SATMA1 编号：C20191572

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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型号：IPN80R1K2P7 编号：C537099

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 800V CoolMOS P7 系列在 800V 超结技术中树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。

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型号：ISC080N10NM6ATMA1 编号：C3288845

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。优异的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准为MSL 1级分类

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型号：IRFB4620PBF 编号：C537865

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPD60R280P7 编号：C536812

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRF3710ZSTRLPBF 编号：C537761

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

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型号：ISC0602NLSATMA1 编号：C3288901

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IRFH5020TRPBF 编号：C500521

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 34A

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型号：IPA041N04N G 编号：C536311

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对 DC/DC 转换器优化的技术。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：IPP039N04L G 编号：C537127

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥11.076 ￥21.3
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型号：IRF8010STRLPBF 编号：C537835

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。典型导通电阻RDS(on) = 12mΩ。应用：高频DC-DC转换器。 UPS和电机控制

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型号：IAUCN10S7N074ATMA1 编号：C44180831

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：OptiMOS功率MOSFET，用于汽车应用，N沟道。增强模式。正常水平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

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型号：IPAN60R125PFD7S 编号：C536437

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSC096N10LS5ATMA1 编号：C3278721

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。针对充电器进行了优化

1+
￥11.32
10+
￥9.65
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￥8.61

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型号：IPC100N04S5-1R2 编号：C536691

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥11.4336 ￥11.91
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￥10.019 ￥11.65
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￥8.7248 ￥11.48
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￥8.5956 ￥11.31

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型号：IPD95R750P7 编号：C536918

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥11.92
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￥10.19
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型号：ISC165N15NM6ATMA1 编号：C43317113

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥12.29
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￥10.5
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￥9.39

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型号：IRFH5110TRPBF 编号：C537891

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 12.4 mΩ)。低至PCB的热阻 (< 1.1℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (<0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：二次侧同步整流。直流电机逆变器

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￥12.4797 ￥24.47
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￥8.651 ￥21.1
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￥5.921 ￥19.1
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￥5.2948 ￥17.08
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￥5.0065 ￥16.15
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￥4.8763 ￥15.73

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型号：IPA80R360P7 编号：C536423

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌18年多来在超结技术创新方面的开拓。

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1+
￥12.72
10+
￥10.7
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￥9.43

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型号：IPD50N06S2L-13 编号：C536775

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道逻辑电平。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色封装（无铅）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

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￥12.7359 ￥24.03
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￥5.5374 ￥16.78
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￥5.2338 ￥15.86
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￥5.0985 ￥15.45

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型号：IPI086N10N3 G 编号：C536969

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥6.1536 ￥19.23
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￥5.2032 ￥16.26
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￥5.0656 ￥15.83

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型号：IPB049NE7N3G 编号：C476124

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行了技术优化。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻 R_D(S(on))。 N 沟道，标准电平。 100% 经过雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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￥13.5824 ￥26.12
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￥10.9704 ￥26.12
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￥8.3584 ￥26.12

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型号：IRFI4212H-117P 编号：C500534

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

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