英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF3710ZSTRLPBF 编号：C537761

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

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型号：IRF8010STRLPBF 编号：C537835

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。典型导通电阻RDS(on) = 12mΩ。应用：高频DC-DC转换器。 UPS和电机控制

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型号：IPP019N06NF2SAKMA1 编号：C6577185

封装：TO-220-3-U05

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IRL540NSTRLPBF 编号：C513158

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片

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型号：IRFH5020TRPBF 编号：C500521

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 34A

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型号：IRF7458TRPBF 编号：C10879

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,14A,9mΩ@10V

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型号：IRFS4615TRLPBF 编号：C538023

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IQE013N04LM6CGATMA1 编号：C3020632

封装：TTFN-9-1

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPF016N06NF2SATMA1 编号：C20191599

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IPB60R360P7 编号：C536628

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、更紧凑且更凉爽。

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型号：IPP032N06N3G 编号：C459166

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。按照JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IAUAN04S7N006AUMA1 编号：C22668212

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。最高260℃峰值回流的MSL2a。应用：一般汽车应用

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型号：IPG20N04S4L-11 编号：C536937

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。通过AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IRF6623TRPBF 编号：C537786

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6623PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在尺寸与MICRO - 8相同且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将以往最佳的热阻降低80%

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型号：ISC104N12LM6ATMA1 编号：C20191683

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRF1010ESTRLPBF 编号：C459929

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

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型号：IPD052N10NF2SATMA1 编号：C20191575

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA80R360P7 编号：C536423

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌18年多来在超结技术创新方面的开拓。

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型号：IQE022N06LM5CGSCATMA1 编号：C20191649

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：AUIRF540Z 编号：C533268

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

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型号：IPP015N04NF2SAKMA1 编号：C6210900

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IPI045N10N3 G 编号：C445495

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175°C 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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型号：IQE008N03LM5CGATMA1 编号：C3289351

封装：TTFN-9-1

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IPP60R120P7 编号：C537199

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IQE004NE1LM7ATMA1 编号：C22405879

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRF3808STRLPBF 编号：C459966

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA95R450P7 编号：C536434

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：一流的品质因数 RDS(on)*Eoss；降低 Qg、Ciss 和 Coss。一流的 V(GS)th 为 3V，最小的 V(GS)th 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。一流的 CoolMOS 质量和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

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