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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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600V CoolMOs CM8功率晶体管
型号：IPD60R600CM8XTMA1 编号：C26319078
封装：DPAK
品牌：Infineon(英飞凌)
8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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    ￥5.58

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:123A
    型号：BSZ0501NSIATMA1 编号：C3289324
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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    OptiMOS-5功率晶体管
    型号：IPZ40N04S5-3R1 编号：C537504
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

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      ￥3.72
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:71A
    型号：ISC0805NLSATMA1 编号：C3278703
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅负载镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤

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      ￥6.18

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    1个N沟道 耐压:55V 电流:27A
    型号：IRFR4105TRPBF 编号：C500532
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 55V 27A
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:55V 电流:42A
    型号：IRFR48ZTRPBF 编号：C537982
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性使其成为一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:204A
    型号：BSC019N04NSGATMA1 编号：C3288857
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
    型号：IRLU3410PBF 编号：C152440
    封装：TO-251AA
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积尽可能低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:32A
    型号：IRFR3411TRPBF 编号：C537965
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
    数据手册

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    IAUCN08S7L110ATMA1
    型号：IAUCN08S7L110ATMA1 编号：C43311523
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
    型号：IPN80R900P7ATMA1 编号：C152658
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,10V,6A,900mΩ@10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：IAUC120N04S6N013ATMA1 编号：C3278627
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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    OptiMOST2功率晶体管
    型号：IPG20N04S4-12 编号：C536930
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道正常电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

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      ￥4.3
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
    型号：IRF1310NPBF 编号：C371548
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 沟道
    数据手册

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      ￥4.43
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:109A
    型号：IPP040N06NF2S 编号：C5359114
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤

    • 1+

      ￥7.26

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      ￥5.25
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    IAUCN04S7L019ATMA1
    型号：IAUCN04S7L019ATMA1 编号：C22405828
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)

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      ￥7.44

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      ￥6.22

    • 30+

      ￥5.55
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:11A
    型号：IRF7907TRPBF 编号：C168886
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 最大栅极额定值20V VGS。 改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥7.46

    • 10+

      ￥6.23

    • 30+

      ￥5.56
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
    型号：IPA60R600P7SXKSA1 编号：C3289017
    封装：TO-220-FP
    品牌：Infineon(英飞凌)
    7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

    • 1+

      ￥7.52

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      ￥6.24

    • 50+

      ￥5.54
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:170A
    型号：IRFB3207ZPbF 编号：C45250
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥7.54

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      ￥6.46

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      ￥5.86

    • 100+

      ￥5.19
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:86A
    型号：ISZ0702NLSATMA1 编号：C3289315
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用

    • 1+

      ￥7.63

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      ￥6.24

    • 30+

      ￥5.48
  • 有货
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    N沟道 耐压:100V 电流:16A
    型号：IPG16N10S4-61 编号：C3277258
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道正常电平。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1高达260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥7.9

    • 10+

      ￥6.3

    • 30+

      ￥5.55
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
    型号：IRF540ZPBF 编号：C459970
    封装：TO-220AB-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件
    数据手册

    • 1+

      ￥8.38

    • 10+

      ￥7.16

    • 50+

      ￥6.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:25A
    型号：IPP600N25N3GXKSA1 编号：C6879770
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

    • 1+

      ￥8.51

    • 10+

      ￥8.32

    • 50+

      ￥8.2
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：IAUC60N04S6L045HATMA1 编号：C3278715
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥8.67

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      ￥7.12

    • 30+

      ￥6.27
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
    型号：IRFBC30PBF 编号：C2633
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.7175 ￥15.85

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      ￥5.841 ￥10.62

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      ￥5.478 ￥9.96

    • 1000+

      ￥5.3185 ￥9.67
  • 有货
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    600V CoolMOs CM8功率晶体管
    型号：IPP60R180CM8XKSA1 编号：C25397856
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的换代产品。

    • 1+

      ￥8.81

    • 10+

      ￥8.61

    • 50+

      ￥8.48
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:11.3A
    型号：BSZ12DN20NS3 G 编号：C534706
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.97

    • 10+

      ￥7.44

    • 30+

      ￥6.6

    • 100+

      ￥5.65
  • 有货
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    OptiMOs-T2功率晶体管
    型号：IPD90N06S4L-06 编号：C536909
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 超低导通电阻
    数据手册

    • 1+

      ￥9.21

    • 10+

      ￥7.59

    • 30+

      ￥6.7

    • 100+

      ￥5.69
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:57A
    型号：BSC112N06LDATMA1 编号：C17276078
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道、逻辑电平、快速开关MOSFET，适用于开关电源。 针对同步整流进行优化的技术。 无铅电镀，符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 完全符合JEDEC工业应用标准

    • 1+

      ￥9.89

    • 10+

      ￥8.22

    • 30+

      ￥7.3
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:147A
    型号：IRFH7085TRPBF 编号：C520643
    封装：PQFN(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。 同步整流应用
    数据手册

    • 1+

      ￥10.07

    • 10+

      ￥8.56

    • 30+

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