英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUC24N10S5L300ATMA1 编号：C3278671

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1高达260℃峰值回流。绿色产品（符合RoHS）。 100%雪崩测试。适用于自动光学检测（AOI）

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￥6.27
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￥5.02
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型号：IPD95R2K0P7ATMA1 编号：C3279009

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS,typ，降低了Ωg、Cgin和Cgin。同类最佳的DPAK封装RDS(on)。同类最佳的VGS(th)为3V，且VGS(th)变化最小，为±0.5V。集成齐纳二极管ESD保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。也适用于消费和太阳能应用中的PFC级

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型号：SPD02N80C3 编号：C168884

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,2A,2.7Ω@10V

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型号：IAUC50N08S5L096ATMA1 编号：C3278676

封装：TDSON-8-33

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：OptiMOS™功率MOSFET，适用于汽车应用

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￥6.42
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型号：IRF7329TRPBF 编号：C495786

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

新型P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用

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型号：IRF2804STRLPBF 编号：C459951

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种其他领域

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型号：IRFR3411TRPBF 编号：C537965

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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￥5.47
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型号：BSZ033NE2LS5 编号：C534651

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥6.61
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型号：IAUC120N04S6N013ATMA1 编号：C3278627

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥6.63
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￥5.51
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￥4.9

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型号：IAUCN08S7L110ATMA1 编号：C43311523

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：SPD18P06PGBTMA1 编号：C3279019

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。 dV/dt额定。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证

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￥6.91
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￥5.77
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￥5.15
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￥4.26

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型号：BSC0501NSI 编号：C3278727

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥7.27
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￥6.05
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￥5.37

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型号：BSZ036NE2LS 编号：C534655

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。高频开关电源的极低FOM_Qoss。高频开关电源的低FOM_SW。出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。极低导通电阻R_DS(on) @ V_GS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥7.3996 ￥14.23
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￥5.1072 ￥12.16
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型号：IRFP450PBF 编号：C537938

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥7.45
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型号：IPD30N08S2L21ATMA1 编号：C3279073

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道逻辑电平。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。MSL1等级，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保封装（无铅）。超低导通电阻。100%雪崩测试

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型号：IRFU5505PBF 编号：C538066

封装：TO-251

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

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