英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPB068N20NM6ATMA1 编号：C22443510

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥49.65
10+
￥42.44
30+
￥38.05

有货

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型号：IPF026N15NM6ATMA1 编号：C31785718

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥54.42
10+
￥53.24
30+
￥52.44

有货

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型号：ISC044N15NM6ATMA1 编号：C36832211

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据C-STD-020标准进行MSL 1分类

1+
￥58.66
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￥51.51
30+
￥47.15

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型号：IPZ65R045C7 编号：C537517

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优点，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

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1+
￥70.68
10+
￥67.16
30+
￥61.07

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型号：IPT60R028G7XTMA1 编号：C3288780

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的表面贴装解决方案。

1+
￥93.39
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￥88.81
30+
￥80.89

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型号：BSS314PEH6327XTSA1 编号：C5205498

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。ESD保护。根据AEC Q101认证。100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

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2+
￥0.7246
20+
￥0.5797
60+
￥0.5072

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型号：BSP89 H6327 编号：C534585

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。 4.5V额定。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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5+
￥1.2342
50+
￥1.2061
150+
￥1.1873

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型号：BSR802NL6327 编号：C5240463

封装：SC-59

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。雪崩额定。引脚兼容SO/T23。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准

5+
￥1.9463
50+
￥1.5683
150+
￥1.4063

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型号：BSC0504NSI 编号：C534345

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥2.06
10+
￥2.02
30+
￥1.99
100+
￥1.96

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型号：BSP316PH6327XTSA1 编号：C7222937

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。dv/dt额定。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据AEC Q101标准认证。根据IEC 61249-2-21标准无卤

1+
￥2.18
10+
￥2.12
30+
￥2.09
100+
￥2.05

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型号：IPN50R2K0CEATMA1 编号：C3288801

封装：SOT-223-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本降低性能比。

1+
￥2.25
10+
￥2.21
30+
￥2.18

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型号：BSZ060NE2LS 编号：C534671

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥2.4264
50+
￥1.9551
150+
￥1.7532

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型号：BSS87 H6327 编号：C534635

封装：SOT-89

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式，逻辑电平。 dv/dt额定。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥2.84
10+
￥2.22
30+
￥1.96

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型号：BSP373NH6327XTSA1 编号：C6752969

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.92
10+
￥2.27
30+
￥1.99

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型号：BSC0805LS 编号：C534374

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀锡，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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50+
￥18.488623
200+
￥15.514009
500+
￥12.884515
1000+
￥10.846658

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型号：IRFL4105TRPBF 编号：C537929

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥3.18
10+
￥3.14
30+
￥3.1
100+
￥3.07

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型号：IAUCN04S7N030ATMA1 编号：C22443471

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

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￥3.39
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￥3.32
30+
￥3.27

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型号：IPN60R1K0CE 编号：C537077

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本降低性能比。

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1+
￥3.41
10+
￥2.67
30+
￥2.35
100+
￥1.96

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型号：IPG20N06S2L65ATMA1 编号：C3278691

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.13
10+
￥3.36
30+
￥2.97

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型号：IPZ40N04S58R4ATMA1 编号：C3279297

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.15
10+
￥3.35
30+
￥2.95
100+
￥2.55

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型号：BSC0904NSI 编号：C534383

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅镀铅；符合RoHS标准。符合IEC61249-2-21的无卤要求

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1+
￥4.32
10+
￥3.5
30+
￥3.09
100+
￥2.68

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型号：IPD40DP06NMATMA1 编号：C3289171

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥4.428 ￥10.8
10+
￥3.8007 ￥9.27
30+
￥3.4071 ￥8.31
100+
￥2.8782 ￥7.02
500+
￥2.6978 ￥6.58
1000+
￥2.6158 ￥6.38

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型号：IPG20N06S2L65AATMA1 编号：C3278669

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。适用于自动光学检测（AOI）

1+
￥4.46
10+
￥4.35
30+
￥4.28

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型号：IRL60HS118 编号：C538134

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥4.6
10+
￥4.5
30+
￥4.43
100+
￥4.36

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型号：BSC076N06NS3 G 编号：C534369

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化的技术。出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.04
10+
￥4.09
30+
￥3.61

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型号：ISC019N04NM5ATMA1 编号：C3278633

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥5.05
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￥4.19
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￥3.75
100+
￥3.21

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型号：IRFR3910TRLPBF 编号：C537975

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 利用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。结合 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 瓦。

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