英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFHS8242TRPBF 编号：C537910

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (≤ 13.0mΩ)。对PCB的低热阻 (≤ 13℃/W)。低外形 (≤ 1.0 mm)。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：系统/负载开关

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￥2.592 ￥8.64
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￥1.446 ￥7.23
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￥0.645 ￥6.45
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￥0.557 ￥5.57
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型号：BSZ340N08NS3 G 编号：C513780

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对 DC/DC 转换器进行技术优化。具有出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥2.79
10+
￥2.21
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￥1.96

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型号：IPD70R900P7S 编号：C536870

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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1+
￥2.82
10+
￥2.54
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￥2.4
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￥2.26

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型号：IAUZN04S7L046ATMA1 编号：C42667630

封装：PG-TSDSON-8-44

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.08
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￥3.02
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￥2.98
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￥2.94

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型号：IRL6372TRPBF 编号：C538139

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。多供应商兼容性。更环保。更高的可靠性。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

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1+
￥3.08
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￥2.49
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￥2.23

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型号：BSP88H6327 编号：C534584

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 2.8V额定。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥3.11
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￥2.48
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￥2.21

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型号：IRFL4105TRPBF 编号：C537929

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥3.18
10+
￥3.14
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￥3.1
100+
￥3.07

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型号：IPZ40N04S5L-7R4 编号：C537509

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥3.32
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￥2.64
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￥2.34
100+
￥1.98

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型号：IPN60R1K0CE 编号：C537077

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本降低性能比。

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1+
￥3.39
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￥2.65
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￥2.33
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￥1.93

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型号：IPN70R360P7SATMA1 编号：C6062267

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项应用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性

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￥3.48
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￥2.84
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￥2.51
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￥2.19

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型号：BSZ040N04LS G 编号：C534658

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥3.6
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￥2.86
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￥2.54

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型号：IPA60R280P7SXKSA1 编号：C536373

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥3.75
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￥3
50+
￥2.68

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型号：IPD80R1K0CE 编号：C536877

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS CE 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术。其高耐压能力将安全性与性能和耐用性相结合，可实现最高效率水平的稳定设计。800V CoolMOS CE 提供多种封装选择，有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计

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￥3.8361 ￥6.73
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￥2.6461 ￥5.63
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￥1.8574 ￥5.02
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￥1.4393 ￥3.89

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型号：IRF9335TRPBF 编号：C537846

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。多供应商兼容性。更环保。应用：笔记本电脑电池充电和放电开关。系统/负载开关

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￥3.91
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￥3.14
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￥2.75
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￥2.36

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型号：IRFR6215TRLPBF 编号：C537989

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计

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1+
￥3.96
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￥3.87
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￥3.82
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￥3.76

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型号：BSC120N03MS G 编号：C534411

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥4.07
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￥3.3
30+
￥2.91

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型号：IPG20N06S2L65ATMA1 编号：C3278691

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.1
10+
￥3.33
30+
￥2.94

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型号：BSC0904NSI 编号：C534383

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅镀铅；符合RoHS标准。符合IEC61249-2-21的无卤要求

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1+
￥4.32
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￥3.5
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￥3.09

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型号：IPZ40N04S58R4ATMA1 编号：C3279297

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.4
10+
￥3.6
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￥3.2

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型号：BSP89 H6327 编号：C534585

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。 4.5V额定。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥4.5
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￥3.63
30+
￥3.2

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型号：BSZ0506NSATMA1 编号：C5565182

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。对于高频开关电源，具有非常低的品质因数Qoss和Q。在VGS = 4.5 V时，具有非常低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。具有出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥4.55
10+
￥3.69
30+
￥3.25

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型号：IRFR9024NTRLPBF 编号：C537995

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥4.58
10+
￥3.75
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￥3.34
100+
￥2.5491 ￥2.93
500+
￥2.3316 ￥2.68
1000+
￥2.2185 ￥2.55

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型号：IAUZN04S7N049ATMA1 编号：C42667631

封装：PG-TSDSON-8-44

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.81
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￥3.92
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￥3.47
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￥3.03

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型号：IAUC41N06S5N102ATMA1 编号：C3278679

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道汽车应用OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。 MSL1可达260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用

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￥4.96
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￥3.97
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￥3.47
100+
￥2.98

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型号：ISC019N03L5S 编号：C3278709

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥5.09
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￥4.06
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￥3.54
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￥1.2726 ￥3.03
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￥1.1424 ￥2.72
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￥1.0752 ￥2.56

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型号：IPZ40N04S5L4R8ATMA1 编号：C6969335

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥5.56
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￥4.43
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￥3.86

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型号：ISC012N04LM6ATMA1 编号：C6883946

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥5.83
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￥4.73
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￥4.18

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型号：IPD60R600CM8XTMA1 编号：C26319078

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。