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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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符合条件商品:共67549
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N沟道,900V,6.7A,1.6Ω@10V
数据手册
  • 1+

    ¥26.32
  • 10+

    ¥20.657 ¥22.7
  • 25+

    ¥16.6455 ¥20.55
  • 100+

    ¥14.8878 ¥18.38
  • 500+

    ¥14.0697 ¥17.37
  • 1000+

    ¥13.7052 ¥16.92
  • 有货
  • 专为汽车应用设计,采用最新处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为适用于汽车应用和其他各种应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.9176 ¥61.38
    • 10+

      ¥25.7796 ¥61.38
    • 30+

      ¥19.6416 ¥61.38
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 全球TO-220封装中最低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥32.6904 ¥61.68
    • 10+

      ¥26.5224 ¥61.68
    • 30+

      ¥20.3544 ¥61.68
  • 有货
    • 1+

      ¥32.75
    • 10+

      ¥28.25
    • 30+

      ¥25.57
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥34.35
    • 10+

      ¥29.19
    • 30+

      ¥26.12
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热性能。 N沟道。 额定温度175℃。 无铅镀铅:符合RoHS标准。 根据EC61249-2-21标准无卤。 由于源极互连增大,具有更高的焊点可靠性
    • 1+

      ¥35.61
    • 10+

      ¥30.27
    • 30+

      ¥27.09
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是针对软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实现。
    • 1+

      ¥36.77
    • 10+

      ¥31.74
    • 30+

      ¥28.67
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥38.01
    • 10+

      ¥32.32
    • 30+

      ¥28.86
  • 有货
    • 1+

      ¥39.5181 ¥69.33
    • 10+

      ¥32.5851 ¥69.33
    • 30+

      ¥25.6521 ¥69.33
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,提供更高效率、降低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.8792 ¥82.46
    • 10+

      ¥30.0468 ¥71.54
    • 30+

      ¥20.7648 ¥64.89
    • 100+

      ¥18.9792 ¥59.31
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥49.62
    • 10+

      ¥42.42
    • 30+

      ¥38.03
  • 有货
    • 1+

      ¥51.51
    • 10+

      ¥44.03
    • 30+

      ¥39.48
  • 有货
  • 提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
    • 1+

      ¥52.71
    • 10+

      ¥44.89
    • 30+

      ¥40.13
  • 有货
  • 适用于低频开关应用,具备最佳性价比。拥有最低的导通电阻值,显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
    数据手册
    • 1+

      ¥54.54
    • 10+

      ¥53.3
    • 30+

      ¥52.47
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有一流的反向恢复电荷和改进的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实现。
    • 1+

      ¥58.54
    • 10+

      ¥50.46
    • 30+

      ¥45.54
  • 有货
  • 这款HEXFET @arrow功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效、可靠器件
    数据手册
    • 1+

      ¥59.837 ¥112.9
    • 10+

      ¥48.547 ¥112.9
    • 30+

      ¥37.257 ¥112.9
  • 有货
  • 采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙SiC材料特性,750V MOSFET结合了高性能、可靠性和易用性。适用于高温和恶劣工作环境,能够以低成本实现最高的系统效率。
    • 1+

      ¥67.46
    • 10+

      ¥64.06
    • 30+

      ¥58.17
  • 有货
    • 1+

      ¥79.72
    • 10+

      ¥68.5
    • 30+

      ¥61.66
    • 100+

      ¥49.2184 ¥55.93
  • 有货
  • 特性:低导通电阻(RDS,on)。 低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥80.5695 ¥141.35
    • 10+

      ¥66.4345 ¥141.35
    • 30+

      ¥52.2995 ¥141.35
  • 有货
  • 第八代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者,它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥86.26
    • 10+

      ¥82.46
    • 30+

      ¥75.87
  • 有货
  • 这款HEXFET @arrow功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效、可靠器件
    数据手册
    • 1+

      ¥86.3228 ¥128.84
    • 10+

      ¥70.2012 ¥123.16
    • 30+

      ¥53.2557 ¥113.31
    • 100+

      ¥49.2231 ¥104.73
  • 有货
  • 特性:P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5 V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 5+

      ¥0.4671
    • 50+

      ¥0.3679
    • 150+

      ¥0.3183
  • 有货
  • 特性:N 沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt 额定。 无铅镀铅。 符合 RoHS 标准。 根据 ABC Q101 认证。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    • 5+

      ¥0.545764 ¥0.5806
    • 50+

      ¥0.477288 ¥0.5682
    • 150+

      ¥0.4144 ¥0.56
    • 500+

      ¥0.408332 ¥0.5518
  • 有货
  • P沟道,20V,630mA,550mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6921
    • 50+

      ¥0.5602
    • 150+

      ¥0.4942
  • 有货
  • 特性:n- 沟道增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 dv/dt 额定。 100% 无铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 完全符合 JEDEC 工业应用标准
    • 5+

      ¥1.2057
    • 50+

      ¥0.9742
    • 150+

      ¥0.875
  • 有货
  • 适用于高达1GHz的低噪声、高增益可控输入级,工作电压5V,采用无铅(符合RoHS标准)封装,符合AEC Q101标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5346
    • 50+

      ¥1.2322
    • 150+

      ¥1.1026
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 N沟道,逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥2.11
    • 10+

      ¥2.06
    • 30+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.48 ¥2
  • 有货
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥2.03
  • 有货
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