英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUC100N08S5N031 编号：C535697

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.69
10+
￥12.49
30+
￥11.12

有货

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型号：ISC060N10NM6ATMA1 编号：C3288847

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。针对高频开关和同步整流进行优化。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据J-STD-020标准为MSL 1级

1+
￥14.91
10+
￥12.73
30+
￥11.36

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型号：IPB180N04S4-H0 编号：C46467671

封装：TO-263-7-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式-AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

1+
￥15.22
10+
￥13.01
30+
￥11.63
100+
￥10.21

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型号：IRFI4321PBF 编号：C500533

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 34A

数据手册

1+
￥16.07
10+
￥13.51
50+
￥11.91

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型号：IQE004NE1LM7CGSCATMA1 编号：C22408412

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, logic level。极低导通电阻Ros(on)。卓越的热阻，100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流

1+
￥16.8
10+
￥14.15
30+
￥12.49

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型号：IPB70N10S3L-12 编号：C536648

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥17.61
10+
￥14.97
30+
￥13.32

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型号：IPP051N15N5AKSA1 编号：C672292

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥18.28
10+
￥17.92
50+
￥17.68

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型号：IRF8301MTRPBF 编号：C537836

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%

数据手册

1+
￥18.65
10+
￥14.346 ￥15.94
30+
￥11.392 ￥14.24
100+
￥10.008 ￥12.51
500+
￥9.376 ￥11.72
1000+
￥9.104 ￥11.38

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型号：IPT022N10NF2SATMA1 编号：C20191621

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥18.92
10+
￥15.97
30+
￥14.12

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型号：IAUCN04S7N004ATMA1 编号：C20190983

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥20.7
10+
￥17.76
30+
￥16.01

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型号：SPP20N60CFD 编号：C168876

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。超低栅极电荷。具备周期性雪崩额定值。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。内置快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤模塑料。符合JEDEC工业级应用标准

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1+
￥21.12
10+
￥18.26
50+
￥16.47

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型号：IPW60R099C7 编号：C537460

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款RDS(on)*A低于10nΩ*mm的技术。

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1+
￥22.42
10+
￥21.19
30+
￥20.45

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型号：IPP60R060P7XKSA1 编号：C3288931

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥22.87
10+
￥19.52
30+
￥17.53

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型号：IPB200N25N3 G 编号：C536579

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥24.87
10+
￥21.12
30+
￥18.89

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型号：IAUCN10S7N021ATMA1 编号：C23873167

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥28.11
10+
￥23.92
30+
￥21.43

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型号：ISC025N08NM5LF2ATMA1 编号：C22670494

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥30.17
10+
￥26.02
30+
￥23.55

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型号：IRF7769L1TRPBF 编号：C537826

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在占地面积小于D2PAK且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电力系统中的热传递。针对高频开关和同步整流应用进行了优化。器件中减少的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是提高系统可靠性的关键，使该器件非常适合高性能电源转换器。

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1+
￥30.42
10+
￥26.4
30+
￥24.02

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型号：IPA030N10NF2SXKSA1 编号：C3278754

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥33.15
10+
￥28.45
50+
￥25.65

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型号：IPT65R080CFD7XTMA1 编号：C6883725

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS™ CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥35.24
10+
￥30.12
30+
￥27.01

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型号：IPW95R130PFD7XKSA1 编号：C20191635

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥35.46
10+
￥30.31
30+
￥27.18

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型号：IPA65R380C6 编号：C536408

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性

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1+
￥35.55
10+
￥30.63
30+
￥27.7

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型号：IRFB4110GPBF 编号：C537859

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥36.71
10+
￥31.35
30+
￥28.08

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型号：IPTC007N06NM5ATMA1 编号：C20191622

封装：TOLT

品牌：Infineon(英飞凌)

TO无引脚封装提供了业内最低的导通电阻 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{on})}$ 以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中能够减少并联MOSFET的数量，并提高功率密度。此外，与 $D^{2}PAK$ 7引脚封装相比，可节省60%的电路板空间

1+
￥38.36
10+
￥32.79
30+
￥29.4

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型号：IPP60R037CM8XKSA1 编号：C28760736

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥40.94
10+
￥34.88
50+
￥31.19

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型号：IPW65R048CFDA 编号：C537487

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

单价：
￥41.5776 / 个￥58.56 / 个

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型号：IQD020N10NM5CGSCATMA1 编号：C41918733

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。优化设计，适用于双面冷却。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥41.97
10+
￥36.61
30+
￥33.43

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型号：AUIRF7749L2TR 编号：C533295

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

将最新的汽车HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）尺寸和仅0.7mm厚度的封装中实现卓越性能。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大化汽车电源系统中的热传递。该HEXFET功率MOSFET专为注重效率和功率密度的应用而设计

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