英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUC100N04S6L020 编号：C535692

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101合格。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。100%雪崩测试

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1+
￥7.98
10+
￥6.55
30+
￥5.77
100+
￥4.89

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型号：IPD70P04P4L-08 编号：C536864

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥8.39
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￥6.89
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￥6.07
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型号：IRFS3306TRLPBF 编号：C500530

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 120A

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1+
￥8.68
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￥8.32

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型号：IPD50N06S4-09 编号：C3279076

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥9.48
10+
￥7.9
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￥7.03

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型号：IRFB4620PBF 编号：C537865

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥9.77
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￥7.26

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型号：IPA60R190P6 编号：C536362

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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1+
￥9.78
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￥8.23
50+
￥7.26

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型号：IRFP3415PBF 编号：C2615

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,43A,42mΩ@10V

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1+
￥9.88
10+
￥9.03
30+
￥8.5
100+
￥7.95

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型号：BSC005N03LS5ATMA1 编号：C3288844

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻RDS(on) × V₀₅ = 4.5V。针对快速开关优化的电荷。针对感应导通坚固性优化的QGD/QGS。卓越的热阻。 N沟道。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥9.96
10+
￥8.45
30+
￥7.51

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型号：ISC0602NLSATMA1 编号：C3288901

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥10.17
10+
￥8.61
30+
￥7.63
100+
￥6.31

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型号：IPD60R280P7 编号：C536812

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥10.34
10+
￥8.6
30+
￥7.64
100+
￥6.56

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型号：IAUC60N04S6L030HATMA1 编号：C3288895

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。增强模式。逻辑电平。通过AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥10.48
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￥8.87
30+
￥7.86

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型号：IPA80R1K4CEXKSA2 编号：C3278890

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS CE 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术。其高压能力将安全性、性能和耐用性相结合，可实现最高效率水平的稳定设计。800V CoolMOS CE 提供多种封装选择，有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计

1+
￥10.52
10+
￥8.85
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￥7.93

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型号：IPA80R460CE 编号：C536425

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥10.5744 ￥22.03
10+
￥9.12 ￥19
50+
￥8.256 ￥17.2
100+
￥7.3824 ￥15.38
500+
￥6.9792 ￥14.54
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￥6.7968 ￥14.16

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型号：BSZ014NE2LS5IF 编号：C534641

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 100% 雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥10.63
10+
￥8.94
30+
￥7.89
100+
￥6.81

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型号：IAUCN04S7N012ATMA1 编号：C22405593

封装：TDSON-8(5.5x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥10.67
10+
￥8.91
30+
￥7.94

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型号：BSC096N10LS5ATMA1 编号：C3278721

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。针对充电器进行了优化

1+
￥10.82
10+
￥9.1
40+
￥8.03
100+
￥6.93

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型号：IQE006NE2LM5CGATMA1 编号：C3278295

封装：IPAK(TO-251AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61240-2-21标准，无卤

1+
￥11.3
10+
￥9.57
30+
￥8.49

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型号：IPAN60R125PFD7S 编号：C536437

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥11.05
30+
￥10.89

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型号：IPD60R180CM8XTMA1 编号：C26319077

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管 (CFD)，具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。