英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共67549件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:30V 电流:14A 55A

型号：IRF6617TRPBF 编号：C537783

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6617PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有Micro8™封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，比之前最佳的热阻性能提升了80%

数据手册

1+
￥12.7244 ￥24.47
10+
￥8.862 ￥21.1
30+
￥6.112 ￥19.1
100+
￥5.4656 ￥17.08
500+
￥5.168 ￥16.15
1000+
￥5.0336 ￥15.73

有货

立即购买

1个N沟道耐压:900V 电流:5.1A

型号：IPA90R1K2C3 编号：C3289015

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.1
10+
￥11.23
30+
￥10.06

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:400A

型号：IRFS3004TRL7PP 编号：C538000

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥13.19
10+
￥11.05
30+
￥9.71

有货

立即购买

OptiMOs 7汽车功率MOSFET

型号：IAUCN04S7N006ATMA1 编号：C22408557

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

1+
￥14.25
10+
￥11.95
30+
￥10.51

有货

立即购买

1个N沟道耐压:250V 电流:9.3A

型号：AUIRFR4292TRL 编号：C533343

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，该HEXFET功率MOSFET采用最新加工技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。此设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效且可靠的器件。

数据手册

1+
￥14.366 ￥32.65
10+
￥9.5744 ￥28.16
30+
￥6.12 ￥25.5
100+
￥5.472 ￥22.8
500+
￥5.172 ￥21.55
1000+
￥5.0376 ￥20.99

有货

立即购买

1个N沟道耐压:200V 电流:43A

型号：IRFS38N20DTRLP 编号：C415699

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.52
10+
￥12.53
30+
￥11.28

有货

立即购买

1个N沟道耐压:25V 电流:310A

型号：IQE006NE2LM5CGSCATMA1 编号：C20191643

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥14.65
10+
￥12.32
30+
￥10.85

有货

立即购买

N沟道耐压:40V 电流:414A

型号：IAUCN04S7N005ATMA1 编号：C20190984

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥14.7
10+
￥12.38
30+
￥10.93
100+
￥9.44

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:295A

型号：IRFS7530TRLPBF 编号：C500544

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 195A

数据手册

1+
￥14.74
10+
￥12.51
30+
￥11.11

有货

立即购买

600V 18A

型号：IPTA60R180CM8XTMA1 编号：C27391715

封装：LHSOF-4

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥15.1
10+
￥12.81
30+
￥11.38

有货

立即购买

N沟道 40V 180A

型号：IPB180N04S4-H0 编号：C46467671

封装：TO-263-7-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式-AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

1+
￥15.22
10+
￥13.01
30+
￥11.63
100+
￥10.21

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥15.52
10+
￥13.01
30+
￥11.44
100+
￥9.83

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：IPC100N04S5L-1R5 编号：C536696

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥16.0826 ￥16.58
10+
￥12.3279 ￥14.17
30+
￥9.7482 ￥12.66
100+
￥8.5624 ￥11.12
500+
￥8.0234 ￥10.42
1000+
￥7.7924 ￥10.12

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:43A

型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.32
10+
￥13.671 ￥14.7
30+
￥10.8398 ￥13.06
100+
￥9.4454 ￥11.38
500+
￥8.8146 ￥10.62
1000+
￥8.549 ￥10.3

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:88A

型号：IRFS4410TRLPBF 编号：C538021

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.4726 ￥34.26
10+
￥12.1155 ￥29.55
30+
￥8.2925 ￥26.75
100+
￥7.4152 ￥23.92
500+
￥7.0091 ￥22.61
800+
￥6.8262 ￥22.02

有货

立即购买

IPB70N10S3L-12

型号：IPB70N10S3L-12 编号：C536648

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥17.61
10+
￥14.97
30+
￥13.32

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:34A

型号：IRF8301MTRPBF 编号：C537836

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%

数据手册

1+
￥17.7175 ￥18.65
10+
￥13.549 ￥15.94
30+
￥10.68 ￥14.24
100+
￥9.3825 ￥12.51
500+
￥8.79 ￥11.72
1000+
￥8.535 ￥11.38

有货

立即购买

2个N沟道耐压:30V 电流:6.9A

型号：AUIRF7313QTR 编号：C533276

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

这款专为汽车应用设计的HEXFET@arrow功率MOSFET蜂窝式设计，采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用领域。

数据手册

1+
￥18.538 ￥35.65
10+
￥12.915 ￥30.75
30+
￥8.9056 ￥27.83
100+
￥7.9648 ￥24.89
500+
￥7.5296 ￥23.53
1000+
￥7.3344 ￥22.92

有货

立即购买

P沟道 100V 32A

型号：ISC750P10LMATMA1 编号：C20191686

封装：TDSON-8-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) < 4.5V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥18.89
10+
￥16.33
30+
￥14.73

有货

立即购买

1个N沟道耐压:80V 电流:120A

型号：IPP120N08S4-03 编号：C537159

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥19.1403 ￥37.53
10+
￥13.3496 ￥32.56
50+
￥9.1543 ￥29.53
100+
￥8.3669 ￥26.99

有货

立即购买

1个N沟道耐压:800V 电流:10.8A

型号：IPA80R460CE 编号：C536425

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥19.1661 ￥22.03
10+
￥14.63 ￥19
50+
￥11.524 ￥17.2
100+
￥10.3046 ￥15.38
500+
￥9.7418 ￥14.54
1000+
￥9.4872 ￥14.16

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:120A

型号：IPB027N10N3 G 编号：C386326

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,120A

数据手册

1+
￥19.5
10+
￥16.55
30+
￥14.8

有货

立即购买

1个N沟道耐压:600V 电流:20.2A

型号：IPW60R190P6 编号：C537480

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥20.06
10+
￥17.37
30+
￥13.38
90+
￥11.66

有货

立即购买

IPW95R310PFD7XKSA1

型号：IPW95R310PFD7XKSA1 编号：C19268350

封装：PG-TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥20.65
10+
￥17.66
50+
￥15.79

有货

立即购买

IPT047N15NM6ATMA1

型号：IPT047N15NM6ATMA1 编号：C44974559

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥20.84
10+
￥20.39
30+
￥20.08

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:248A

型号：IST026N10NM5AUMA1 编号：C3278532

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥21.56
10+
￥18.34
30+
￥16.43

有货

立即购买

IQD005N04NM6CGSCATMA1

型号：IQD005N04NM6CGSCATMA1 编号：C41613338

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥21.6
10+
￥21.13
30+
￥20.82

有货

立即购买

600V CoolMOS C7功率晶体管

型号：IPW60R099C7 编号：C537460

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款RDS(on)*A低于10nΩ*mm的技术。

数据手册

1+
￥22.42
10+
￥21.19
30+
￥20.45

有货

立即购买

N沟道,电流:176A,耐压:100V

型号：IPB020N10N5 编号：C3009984

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，针对FOMoss进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度为175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

1+
￥23.4988 ￥45.19
10+
￥16.464 ￥39.2
30+
￥11.3792 ￥35.56
100+
￥10.4 ￥32.5

有货

立即购买

BSC021N08NS5

型号：BSC021N08NS5 编号：C534306

封装：TSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥25.7
10+
￥25.12
30+
￥24.73

有货

立即购买

共2252页，67549条记录到页

<上一页
1
...
31
32
33
34
35
...
2252
下一页

立创商城为您提供英飞凌MOS驱动型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买英飞凌MOS驱动提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content