英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUC60N04S6L039ATMA1 编号：C3288835

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。通过AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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型号：IPB80N04S403ATMA1 编号：C672357

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。 AEC 认证。 MSL1 最高可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS 标准）。 100% 雪崩测试

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￥5.4994 ￥8.87
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型号：AUIRF540Z 编号：C533268

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。

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型号：IPA60R180P7S 编号：C2916134

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：BSZ025N04LS 编号：C534648

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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型号：IRF7425TRPBF 编号：C2571

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-15A,8.2mΩ@-4.5V

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型号：BSZ068N06NSATMA1 编号：C3279314

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRFR2407TRPBF 编号：C537960

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极为高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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型号：IRFB3307ZPBF 编号：C2644

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,128A,5.8mΩ@10V

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型号：IAUCN04S7N015ATMA1 编号：C22405824

封装：TDSON-8(5.5x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。增强模式。标准电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

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型号：IPD30N12S3L-31 编号：C536758

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。通过汽车AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IRL1004PBF 编号：C538105

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 功率 MOSFET 采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积的最低导通电阻。这一优势，加上 HEXFET 功率 MOSFET 闻名遐迩的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了极其高效可靠的器件，适用于各种应用。TO-220 封装是所有商业和工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中广受欢迎。

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型号：IPD048N06L3 G 编号：C536716

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证

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型号：BSC12DN20NS3 G 编号：C534415

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。低导通电阻RDS(on)。工作温度150℃。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：BSZ0901NS 编号：C534685

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥6.48
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￥5.78
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型号：IPB057N06N 编号：C151524

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,45A,5.7mΩ@10V

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型号：IPP129N10NF2SAKMA1 编号：C3288953

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥7.85
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￥6.61
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￥5.93

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型号：ISC800P06LMATMA1 编号：C20191687

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥8.35
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￥6.26
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型号：ISZ015N04NM7VATMA1 编号：C50211993

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPD60N10S4-12 编号：C536797

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥7.07
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型号：IRFP3415PBF 编号：C2615

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,43A,42mΩ@10V

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型号：ISC110N12NM6ATMA1 编号：C22955674

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IPA60R190E6 编号：C536361

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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