英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IQD009N06NM5SCATMA1 编号：C41613339

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 通道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。无铅引脚电镀；符合 RoHS 标准。根据 JECL1249-2-21 标准无卤

1+
￥36.58
10+
￥31.55
30+
￥28.57

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型号：IRFB4110GPBF 编号：C537859

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥36.71
10+
￥31.35
30+
￥28.08

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型号：IRF300P226 编号：C537753

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

数据手册

1+
￥37.24
10+
￥32.03
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￥28.85

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型号：IQD020N10NM5CGSCATMA1 编号：C41918733

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。优化设计，适用于双面冷却。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥41.97
10+
￥36.61
30+
￥33.43

有货

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型号：IPT60R037CM8XTMA1 编号：C23768243

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥42.75
10+
￥36.94
30+
￥33.41

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型号：IPT60R045CFD7XTMA1 编号：C3278556

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CFD7是CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 和改进的关断性能，CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

1+
￥47.94
10+
￥40.8
30+
￥36.45

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型号：IPB068N20NM6ATMA1 编号：C22443510

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥48.4
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￥41.19
30+
￥36.8

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型号：IAUTN06S5N008TATMA1 编号：C20190988

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥49.6
10+
￥43.03
30+
￥39.03

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型号：AIMZH120R160M1TXKSA1 编号：C22411128

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥51.51
10+
￥44.03
30+
￥39.48

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型号：IPW60R018CFD7 编号：C537443

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现

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1+
￥57.82
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￥50.24
30+
￥45.62

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型号：IGLD60R070D1 编号：C536068

封装：LSON-8-1(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：增强模式晶体管。常开式开关。超快开关速度。无反向恢复电荷。具备反向导通能力。低栅极电荷，低输出电荷。应用：基于半桥拓扑的工业、电信、数据中心开关电源（如用于硬开关和软开关的半桥拓扑，像图腾柱PFC、高频LLC）

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1+
￥67.9448 ￥77.21
10+
￥65.8856 ￥74.87

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型号：IPT65R025CM8XTMA1 编号：C47149229

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥74.91
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￥64.99
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￥58.94

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型号：IPDQ60R022S7XTMA1 编号：C3276270

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

IPDQ60R022S7可为低频开关应用提供最佳性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET，具备极低的导通电阻（RDS(on)）值，显著提升了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化

1+
￥78.32
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￥74.81
30+
￥68.74

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型号：IMW65R048M1H 编号：C6879293

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥101.29
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￥96.53
30+
￥88.29

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型号：ISS55EP06LMXTSA1 编号：C3278611

封装：SOT-23-3-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5 V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

5+
￥0.462
50+
￥0.3628
150+
￥0.3133
500+
￥0.2761

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型号：BSS138IXTSA1 编号：C3278610

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。逻辑电平。 dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61246-2-21无卤

5+
￥0.4819
50+
￥0.4713
150+
￥0.4642
500+
￥0.4571

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型号：BSS119NH6327XTSA1 编号：C3278602

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel。 Enhancement mode。 Logic level (4.5V rated)。 Avalanche rated。 Qualified according to AEC Q101

5+
￥0.4832
50+
￥0.378
150+
￥0.3255
500+
￥0.2861

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型号：BSS138NH6433 编号：C534601

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.6106
50+
￥0.4856
150+
￥0.4232
500+
￥0.3763

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型号：BSD223PH6327 编号：C672228

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150°C。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.6107
50+
￥0.4831
150+
￥0.4192
500+
￥0.3713

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型号：BSS127IXTSA1 编号：C3278608

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：n- 沟道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。 dv/dt 额定。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。完全符合 JEDEC 工业应用标准

5+
￥1.2057
50+
￥0.9742
150+
￥0.875

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型号：IRF7104TRPBF 编号：C169767

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双P沟道,-20V,-2.3A

数据手册

1+
￥2.1369 ￥4.19
10+
￥1.3735 ￥3.35
30+
￥0.9083 ￥2.93
100+
￥0.7781 ￥2.51
500+
￥0.7006 ￥2.26
1000+
￥0.6603 ￥2.13

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型号：BSC440N10NS3 G 编号：C534432

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥2.16
10+
￥2.1
30+
￥2.07
100+
￥2.03

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型号：ISP98DP10LMXTSA1 编号：C3278596

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻，RDS(on)在VGS≈4.5V时。逻辑电平。 100%雪崩测试。增强模式。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.2
10+
￥1.88
30+
￥1.71
100+
￥1.55
500+
￥1.45

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型号：ISC019N03L5S 编号：C3278709

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥2.3478 ￥5.59
10+
￥1.911 ￥4.55
30+
￥1.6968 ￥4.04
100+
￥1.4784 ￥3.52
500+
￥1.3524 ￥3.22
1000+
￥1.2852 ￥3.06

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型号：BSP88H6327 编号：C534584

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 2.8V额定。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.29
30+
￥2.02

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型号：IRF8313TRPBF 编号：C94066

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,30V,9.7A,15.5mΩ@9.7A,10V

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.42
30+
￥2.14
100+
￥1.8

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型号：IRL6372TRPBF 编号：C538139

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。多供应商兼容性。更环保。更高的可靠性。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.58
30+
￥2.31
100+
￥1.96

有货

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型号：IPD70R900P7S 编号：C150923

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥3.32
10+
￥2.67
30+
￥2.39

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型号：BSP295H6327 编号：C152410

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,1.8A,300mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.57
10+
￥2.85
30+
￥2.49

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型号：BSC120N03LS G 编号：C534410

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源（SMPS）。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.5845 ￥5.35
10+
￥2.9868 ￥5.24
30+
￥2.4252 ￥5.16
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