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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实现
数据手册
  • 1+

    ¥46.64
  • 10+

    ¥40.11
  • 30+

    ¥36.13
  • 有货
  • 特性:N-通道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据J-STD-020进行MSL 1分类。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥50.52
    • 10+

      ¥43.6
    • 30+

      ¥39.38
  • 有货
  • 特性:极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻 (FOM)。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度达175℃。 产品通过JEDEC标准验证。 优化分销渠道供应
    • 1+

      ¥50.54
    • 10+

      ¥43.16
    • 25+

      ¥38.66
  • 有货
  • IPDQ60R022S7可为低频开关应用提供最佳性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET,具备极低的导通电阻(RDS(on))值,显著提升了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化
    • 1+

      ¥63.09
    • 10+

      ¥61.69
    • 30+

      ¥60.76
  • 有货
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    • 10+

      ¥57.39
    • 30+

      ¥52.05
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
    • 1+

      ¥128.04
    • 10+

      ¥121.98
    • 30+

      ¥111.5
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      ¥102.35
  • 订货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 dv/df额定。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61246-2-21无卤
    • 5+

      ¥0.4978
    • 50+

      ¥0.4872
    • 150+

      ¥0.4801
  • 有货
  • 特性:N-channel。 Enhancement mode。 Logic level (4.5V rated)。 Avalanche rated。 Qualified according to AEC Q101
    • 5+

      ¥0.5071
    • 50+

      ¥0.402
    • 150+

      ¥0.3494
  • 有货
  • 特性:双P沟道增强模式。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 工作温度150°C。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.632
    • 50+

      ¥0.5043
    • 150+

      ¥0.4405
    • 500+

      ¥0.3926
  • 有货
  • N沟道,20V,2.5A,50mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8385
    • 50+

      ¥0.6806
    • 150+

      ¥0.6017
    • 500+

      ¥0.5425
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 雪崩额定。 根据AEC Q101认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
    • 5+

      ¥1.4995
    • 50+

      ¥1.1845
    • 150+

      ¥1.0495
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9001
    • 50+

      ¥1.512
    • 150+

      ¥1.2995
  • 有货
  • 双P沟道,-20V,-2.3A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.002 ¥4.55
    • 10+

      ¥1.2614 ¥3.71
    • 30+

      ¥0.7896 ¥3.29
    • 100+

      ¥0.6888 ¥2.87
    • 500+

      ¥0.6288 ¥2.62
    • 1000+

      ¥0.5976 ¥2.49
  • 有货
  • P沟道,250V,190mA,12Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.6
  • 有货
  • P沟道,-30V,-16A,6.6mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.79
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.7
  • 有货
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      ¥3.08
    • 10+

      ¥3.02
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.94
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥3.32
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥1.98
  • 有货
  • 特性:超低栅极阻抗。 极低的导通电阻RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻RG。 无铅。应用:笔记本处理器电源控制场效应管。 计算、网络和电信系统中显卡和负载点转换器的控制和同步整流MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥2.77
    • 30+

      ¥2.45
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台,适用于充电器、适配器、照明、电视等消费市场对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,兼具出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,可实现非常纤薄的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.27
  • 有货
  • 特性:针对UPS/逆变器应用进行优化。 在4.5V VGS下具有极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 具有完全表征的雪崩电压和电流。 无铅,符合RoHS标准。应用:UPS/逆变器应用。 低压电动工具
    数据手册
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥3.07
    • 50+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
  • 特性:P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平增强模式。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.76
    • 30+

      ¥3.7
    • 100+

      ¥3.64
  • 有货
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      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.87
    • 100+

      ¥3.82
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.9
    • 100+

      ¥2.54
  • 有货
  • 双N沟道 30V 4.9A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.91
    • 100+

      ¥2.54
  • 有货
  • 特性:针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻Rps(on),100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤,额定温度175°C
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥3.05
  • 有货
  • 特性:N沟道-增强模式。 AEC认证。 最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.54
  • 有货
  • 双N沟道,60V,2.6A,0.15Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
  • 有货
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      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.26
    • 100+

      ¥2.84
  • 有货
  • 特性:针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于标准等级应用。 适用于高频开关
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥4.28
    • 30+

      ¥4.01
    • 100+

      ¥3.72
  • 有货
  • N沟道,30V,14A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.94
    • 10+

      ¥4.81
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

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