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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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N沟道 60V 195A
数据手册
  • 1+

    ¥14.83
  • 10+

    ¥12.6
  • 30+

    ¥11.2
  • 有货
  • 特性:N沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻Ros(on)。 出色的热阻,100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流
    • 1+

      ¥17.48
    • 10+

      ¥14.9
    • 30+

      ¥13.28
  • 有货
    • 1+

      ¥17.61
    • 10+

      ¥14.97
    • 30+

      ¥13.32
  • 有货
    • 1+

      ¥18.03
    • 10+

      ¥15.17
    • 30+

      ¥13.38
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥18.18
    • 10+

      ¥15.39
    • 30+

      ¥13.73
    • 100+

      ¥12.05
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 N沟道。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 卓越的引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥18.52
    • 10+

      ¥15.81
    • 30+

      ¥14.12
  • 有货
    • 1+

      ¥20.06
    • 10+

      ¥17.37
    • 30+

      ¥13.38
    • 90+

      ¥11.66
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
    数据手册
    • 1+

      ¥20.11
    • 10+

      ¥17.38
    • 30+

      ¥15.76
  • 有货
    • 1+

      ¥20.44
    • 10+

      ¥17.47
    • 50+

      ¥15.61
    • 100+

      ¥13.71
  • 有货
  • N沟道,100V,120A
    数据手册
    • 1+

      ¥20.45
    • 10+

      ¥17.51
    • 30+

      ¥15.75
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥20.7
    • 10+

      ¥17.76
    • 30+

      ¥16.01
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 具备周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 内置快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤模塑料。 符合JEDEC工业级应用标准
    数据手册
    • 1+

      ¥21.12
    • 10+

      ¥18.26
    • 50+

      ¥16.47
  • 有货
  • CoolMOS™ C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS™ C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款RDS(on)*A低于10nΩ*mm的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.42
    • 10+

      ¥21.19
    • 30+

      ¥20.45
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥22.62
    • 10+

      ¥19.25
    • 30+

      ¥17.24
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷× RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1
    • 1+

      ¥23.56
    • 10+

      ¥20.4
    • 30+

      ¥18.52
  • 有货
  • CoolMOS™ 第七代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计,由英飞凌科技公司率先推出。600V CoolMOS™ P7 系列是 CoolMOS™ P6 系列的换代产品。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.88
    • 10+

      ¥20.53
    • 30+

      ¥18.53
  • 有货
  • 特性:P沟道。100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅镀铅,符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥24.35
    • 10+

      ¥20.73
    • 30+

      ¥18.58
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥24.87
    • 10+

      ¥21.12
    • 30+

      ¥18.89
  • 有货
    • 1+

      ¥25.7
    • 10+

      ¥22.05
    • 50+

      ¥19.89
  • 有货
  • 特性:N沟道,逻辑电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥26.63
    • 10+

      ¥22.61
    • 30+

      ¥20.22
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
    • 1+

      ¥26.95
    • 10+

      ¥22.93
    • 30+

      ¥20.54
  • 有货
    • 1+

      ¥27.25
    • 10+

      ¥23.16
    • 30+

      ¥20.73
  • 有货
  • CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥28.31
    • 10+

      ¥23.99
    • 30+

      ¥21.42
  • 有货
    • 1+

      ¥31.25
    • 10+

      ¥26.82
    • 30+

      ¥24.18
  • 有货
  • 特性:双侧冷却封装,具有最低的结到顶部热阻。 针对服务器和台式机中的同步整流进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 额定温度175℃。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥31.9
    • 10+

      ¥27.51
    • 30+

      ¥24.9
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和低温。
    • 1+

      ¥34.51
    • 10+

      ¥32.76
    • 30+

      ¥31.7
  • 有货
    • 1+

      ¥35.39
    • 10+

      ¥30.7
    • 30+

      ¥27.85
  • 有货
  • 特性:N- channel, normal level。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 针对双面冷却进行优化设计。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥36.55
    • 10+

      ¥31.71
    • 30+

      ¥28.76
  • 有货
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