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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
型号：IRLZ34NSTRLPBF 编号：C538198
封装：D2PAk
品牌：Infineon(英飞凌)
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

  • 1+

    ￥6.43

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    ￥5.23

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    ￥4.62

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    ￥4.02
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
    型号：BSZ019N03LS 编号：C152374
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,22A,1.9mΩ@10V
    数据手册

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      ￥6.5178 ￥12.07

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    2个P沟道 耐压:30V 电流:9.2A
    型号：IRF9358TRPBF 编号：C537847
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：行业标准SO-8封装。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 多供应商兼容性。 更环保。应用：笔记本电脑电池充放电开关
    数据手册

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      ￥6.58

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      ￥5.35

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      ￥4.74
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    OptiMOs 3功率晶体管
    型号：IPD048N06L3 G 编号：C536716
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
    数据手册

    • 1+

      ￥7.06

    • 10+

      ￥5.8

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      ￥4.32
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：IPP040N06N 编号：C386348
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 60V 80A
    数据手册

    • 1+

      ￥7.06

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      ￥5.18
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:142A
    型号：BSZ0901NSIATMA1 编号：C3289329
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥7.26

    • 10+

      ￥6

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      ￥5.38

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      ￥4.58
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    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRFB4510PBF 编号：C537863
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.43

    • 10+

      ￥6.17

    • 30+

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    1个N沟道 耐压:200V
    型号：BSC12DN20NS3 G 编号：C534415
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥7.6

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:130A
    型号：IRL1004PBF 编号：C538105
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代 HEXFET 功率 MOSFET 采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积的最低导通电阻。这一优势，加上 HEXFET 功率 MOSFET 闻名遐迩的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了极其高效可靠的器件，适用于各种应用。TO-220 封装是所有商业和工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中广受欢迎。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.614 ￥14.1

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      ￥5.214 ￥11.85

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      ￥2.7438 ￥8.07
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IAUC100N04S6L020 编号：C535692
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101合格。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。100%雪崩测试
    数据手册

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      ￥7.98

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      ￥4.89
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
    型号：IRFH6200TRPBF 编号：C151522
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,49A,0.95mΩ@10V
    数据手册

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      ￥8.02

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：IRF7831TRPBF 编号：C92306
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的导通电阻（RDS(on)）：在4.5V的栅源电压（VGS）下。 超低的栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻（RG）。 无铅。应用：网络和计算系统中的高频负载点同步降压转换器
    数据手册

    • 1+

      ￥8.25

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      ￥6.99

    • 30+

      ￥6.29
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    P沟道 60V 19.6A
    型号：ISC800P06LMATMA1 编号：C20191687
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥8.35

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      ￥7

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      ￥5.42
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
    型号：IPD70P04P4L-08 编号：C536864
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥8.39

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      ￥6.89

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      ￥6.07

    • 100+

      ￥5.14
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
    型号：IAUA180N04S5N012AUMA1 编号：C3278533
    封装：HSOF-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥8.51

    • 10+

      ￥7.07

    • 30+

      ￥6.28
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:38A
    型号：IRF5210STRRPBF 编号：C537771
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该设计的特点是具有150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种其他应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.3515 ￥15.85

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      ￥6.6395 ￥13.55

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      ￥3.7713 ￥9.67
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    600V CoolMOS E6功率晶体管
    型号：IPA60R190E6 编号：C536361
    封装：TO-220FP-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.89

    • 10+

      ￥8.32

    • 50+

      ￥7.34
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:115A
    型号：IPP040N08NF2S 编号：C3007770
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥10.43

    • 10+

      ￥8.85

    • 50+

      ￥7.86
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：SPD15P10PLGBTMA1 编号：C3289113
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据AEC Q101标准认证

    • 1+

      ￥10.51

    • 10+

      ￥8.82

    • 30+

      ￥7.77
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
    型号：SPA07N60C3 编号：C165620
    封装：TO-220FP
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,650V,7.3A
    数据手册

    • 1+

      ￥11.0276 ￥14.51

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      ￥8.184 ￥12.4

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      ￥6.2048 ￥11.08

    • 100+

      ￥5.4488 ￥9.73

    • 500+

      ￥5.1072 ￥9.12

    • 1000+

      ￥4.956 ￥8.85
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
    型号：ISZ080N10NM6ATMA1 编号：C3289314
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥11.71

    • 10+

      ￥9.94

    • 30+

      ￥8.84
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:950V 电流:9A
    型号：IPD95R750P7 编号：C536918
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥11.92

    • 10+

      ￥10.19

    • 30+

      ￥9.1

    • 100+

      ￥7.99
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:55V 电流:75A
    型号：IRF1010ZSTRLPBF 编号：C459933
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    此HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术，在单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.14

    • 10+

      ￥9.588 ￥10.2

    • 30+

      ￥7.5516 ￥8.99

    • 100+

      ￥6.51 ￥7.75

    • 500+

      ￥6.0396 ￥7.19

    • 1000+

      ￥5.838 ￥6.95
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:200V 电流:34A
    型号：IPP320N20N3GXKSA1 编号：C115850
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N-channel, normal level。 优秀的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥12.17

    • 10+

      ￥10.38

    • 50+

      ￥9.26
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:550V 电流:24.8A
    型号：IPP50R190CE 编号：C537176
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一项应用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE系列融合了领先超结MOSFET供应商的经验与卓越创新，与目标应用中的标准MOSFET相比，具有成本优势。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不影响其易用性
    数据手册

    • 1+

      ￥13.352 ￥16.69

    • 10+

      ￥9.926 ￥14.18

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      ￥7.566 ￥12.61

    • 100+

      ￥6.6 ￥11

    • 500+

      ￥6.162 ￥10.27

    • 1000+

      ￥5.976 ￥9.96
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    1个N沟道 耐压:650V
    型号：IPA65R380E6 编号：C536409
    封装：TO-220FP-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.76

    • 10+

      ￥11.7

    • 30+

      ￥10.42
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    OptiMOs 7汽车功率MOSFET
    型号：IAUCN04S7L005ATMA1 编号：C29377257
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥13.83

    • 10+

      ￥11.6

    • 30+

      ￥10.21

    • 100+

      ￥8.78
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    600V 18A
    型号：IPTA60R180CM8XTMA1 编号：C27391715
    封装：LHSOF-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

    • 1+

      ￥14.16

    • 10+

      ￥11.87

    • 30+

      ￥10.45

    • 100+

      ￥8.98
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    N沟道 80V 99A
    型号：IQE046N08LM5CGSCATMA1 编号：C20191654
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:433A
    型号：BSC005N03LS5IATMA1 编号：C3278641
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：单片集成类肖特基二极管。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 为快速开关优化电荷。 为感应导通耐用性优化 Qgd / Qgs。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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