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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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特性:一流的品质因数 RDS(on)*Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss。 一流的 V(GS)th 为 3V,最小的 V(GS)th 变化为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 一流的 CoolMOS 质量和可靠性。 完全优化的产品组合。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
数据手册
  • 1+

    ¥15.04
  • 10+

    ¥12.64
  • 50+

    ¥11.13
  • 100+

    ¥9.6
  • 500+

    ¥8.9
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    ¥8.6
  • 有货
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      ¥15.44
    • 10+

      ¥13.13
    • 30+

      ¥11.69
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥15.95
    • 10+

      ¥13.54
    • 30+

      ¥12.03
  • 有货
  • 特性:N-channel, logic level。 极低导通电阻Ros(on)。 卓越的热阻,100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流
    • 1+

      ¥16.42
    • 10+

      ¥13.83
    • 30+

      ¥12.21
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS);100% 无铅。超低 Rds(on)。100% 雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥16.86
    • 10+

      ¥14.16
    • 30+

      ¥12.47
    • 100+

      ¥10.73
  • 有货
  • 特性:N沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻Ros(on)。 出色的热阻,100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流
    • 1+

      ¥18.04
    • 10+

      ¥15.38
    • 30+

      ¥13.71
  • 有货
    • 1+

      ¥18.2336 ¥23.68
    • 10+

      ¥13.6881 ¥20.43
    • 50+

      ¥10.5393 ¥18.49
    • 100+

      ¥9.4278 ¥16.54
    • 500+

      ¥8.9091 ¥15.63
    • 1000+

      ¥8.6811 ¥15.23
  • 有货
    • 1+

      ¥18.5
    • 10+

      ¥15.51
    • 30+

      ¥13.65
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥18.65
    • 10+

      ¥14.5054 ¥15.94
    • 30+

      ¥11.5344 ¥14.24
    • 100+

      ¥10.1331 ¥12.51
    • 500+

      ¥9.4932 ¥11.72
    • 800+

      ¥9.2178 ¥11.38
  • 有货
  • 特性:N 沟道。 增强模式。 正常电平。 超出 AEC-Q101 的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥19.62
    • 10+

      ¥16.66
    • 30+

      ¥14.9
    • 100+

      ¥13.12
  • 有货
    • 1+

      ¥19.97
    • 10+

      ¥17.23
    • 30+

      ¥15.59
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准,无卤素。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    • 1+

      ¥20.45
    • 10+

      ¥17.51
    • 30+

      ¥15.75
  • 有货
  • 特性:N 通道,正常电平。 快速二极管 (FD),降低 Qₘ。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥22.7
    • 10+

      ¥19.84
    • 50+

      ¥18.05
  • 有货
  • N沟道,300V,16A,130mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.03
    • 10+

      ¥19.63
    • 30+

      ¥17.62
    • 100+

      ¥15.57
    • 500+

      ¥14.63
    • 1000+

      ¥14.21
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥24.13
    • 10+

      ¥20.72
    • 30+

      ¥18.7
  • 有货
  • 特性:低栅极到漏极电荷,可降低开关损耗。 具备完整的电容特性,包括有效输出电容 Coss,简化设计。 具备完整的雪崩电压和电流特性。应用:高频 DC-DC 转换器。 电机控制
    数据手册
    • 1+

      ¥24.34
    • 10+

      ¥21.1
    • 50+

      ¥19.18
  • 有货
    • 1+

      ¥25.7
    • 10+

      ¥22.05
    • 50+

      ¥19.89
  • 有货
  • 特性:N-channel, normal level。 175℃ rated。 优秀的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥26.72
    • 10+

      ¥23.08
    • 30+

      ¥20.92
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
    • 1+

      ¥26.95
    • 10+

      ¥22.93
    • 30+

      ¥20.54
  • 有货
    • 1+

      ¥32.39
    • 10+

      ¥27.94
    • 30+

      ¥25.29
  • 有货
    • 1+

      ¥32.82
    • 10+

      ¥28.09
    • 30+

      ¥25.28
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥33.56
    • 10+

      ¥32.46
    • 30+

      ¥31.73
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道,正常电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥33.98
    • 10+

      ¥28.88
    • 30+

      ¥25.86
  • 有货
  • 适用于低频开关应用,具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值,显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.13
    • 10+

      ¥29.36
    • 30+

      ¥26.44
  • 有货
    • 1+

      ¥34.46
    • 10+

      ¥29.72
    • 30+

      ¥26.91
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。 无铅;符合RoHS标准;无卤。应用:UPS和逆变器应用。 半桥和全桥拓扑
    数据手册
    • 1+

      ¥36.56
    • 10+

      ¥35.67
    • 25+

      ¥35.08
  • 有货
  • TO无引脚封装提供了业内最低的导通电阻 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{on})}$ 以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中能够减少并联MOSFET的数量,并提高功率密度。此外,与 $D^{2}PAK$ 7引脚封装相比,可节省60%的电路板空间
    • 1+

      ¥38.62
    • 10+

      ¥33.01
    • 30+

      ¥29.6
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 适用于高频开关和同步整流。 100%雪崩测试。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥46.01
    • 10+

      ¥39.32
    • 30+

      ¥35.24
  • 有货
    • 1+

      ¥46.14
    • 10+

      ¥39.88
    • 30+

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