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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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N沟道,200V,56A,40mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥9.42
  • 10+

    ¥7.8
  • 50+

    ¥6.91
  • 有货
  • N沟道,40V,90A,3.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.22
    • 30+

      ¥4.61
    • 100+

      ¥3.99
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥3.93
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道;正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.5
    • 10+

      ¥5.84
    • 30+

      ¥5.48
    • 100+

      ¥5.07
  • 有货
    • 1+

      ¥6.57
    • 10+

      ¥5.37
    • 30+

      ¥4.76
    • 100+

      ¥4.16
  • 有货
  • N沟道 60V 80A
    数据手册
    • 1+

      ¥6.91
    • 10+

      ¥5.79
    • 50+

      ¥5.18
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级
    • 1+

      ¥6.97
    • 10+

      ¥5.78
    • 30+

      ¥5.13
    • 100+

      ¥4.39
  • 有货
  • 特性:N通道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

      ¥5.79
    • 30+

      ¥5.14
  • 有货
  • 特性:P沟道。 正常电平。 增强模式。 AEC认证。 高达260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。 绿色封装(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥7.02
    • 10+

      ¥5.83
    • 30+

      ¥5.18
    • 100+

      ¥4.44
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥5.96
    • 30+

      ¥5.26
    • 100+

      ¥4.48
  • 有货
  • 特性:P沟道。 正常电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色封装(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥7.25
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.33
  • 有货
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥6.27
    • 30+

      ¥5.57
    • 100+

      ¥4.78
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥8.19
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥5.96
    • 100+

      ¥5.07
  • 有货
    • 1+

      ¥8.97
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.6
    • 100+

      ¥5.65
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于标准等级应用
    • 1+

      ¥9.67
    • 10+

      ¥8.03
    • 30+

      ¥7.14
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 N沟道,逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RuHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥9.79
    • 10+

      ¥8.28
    • 30+

      ¥7.45
  • 有货
  • N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.91
    • 10+

      ¥8.39
    • 30+

      ¥7.43
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥9.94
    • 10+

      ¥8.43
    • 30+

      ¥7.49
    • 100+

      ¥6.52
  • 有货
  • N沟道,650V,7.3A
    数据手册
    • 1+

      ¥10.0119 ¥14.51
    • 10+

      ¥7.316 ¥12.4
    • 50+

      ¥5.4292 ¥11.08
    • 100+

      ¥4.7677 ¥9.73
    • 500+

      ¥4.4688 ¥9.12
    • 1000+

      ¥4.3365 ¥8.85
  • 有货
  • 特性:针对直流-直流转换进行优化。N沟道,正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。低导通电阻 RDS(on)。150℃ 工作温度。无铅引脚电镀;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥10.17
    • 10+

      ¥8.54
    • 30+

      ¥7.65
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥10.32
    • 10+

      ¥8.71
    • 30+

      ¥7.7
    • 100+

      ¥6.34
  • 有货
  • N沟道,100V,120A,6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.35
    • 10+

      ¥8.79
    • 25+

      ¥7.81
  • 有货
  • N沟道,100V,80A,15mΩ@45A,10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.65
    • 10+

      ¥8.66
    • 50+

      ¥7.57
    • 100+

      ¥6.33
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和低温。
    • 1+

      ¥12.5255 ¥19.27
    • 10+

      ¥10.1035 ¥18.37
    • 50+

      ¥8.0235 ¥17.83
    • 100+

      ¥7.776 ¥17.28
    • 500+

      ¥7.6635 ¥17.03
    • 1000+

      ¥7.614 ¥16.92
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥12.56
    • 10+

      ¥10.6
    • 30+

      ¥9.37
  • 有货
  • 此HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术,在单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.9204 ¥13.32
    • 10+

      ¥9.9093 ¥11.39
    • 30+

      ¥7.8309 ¥10.17
    • 100+

      ¥6.8761 ¥8.93
    • 500+

      ¥6.4449 ¥8.37
    • 1000+

      ¥6.2601 ¥8.13
  • 有货
  • N沟道,100V,127A,6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.46
    • 10+

      ¥11.29
    • 50+

      ¥9.94
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 额定温度175℃。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    • 1+

      ¥14.09
    • 10+

      ¥11.88
    • 30+

      ¥10.49
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥14.77
    • 10+

      ¥12.41
    • 30+

      ¥10.94
    • 100+

      ¥9.43
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准);100%无铅。 超低导通电阻。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥14.91
    • 10+

      ¥12.6
    • 30+

      ¥11.16
  • 有货
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