英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7002DWH6327 编号：C151535

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。增强模式。逻辑电平。雪崩额定。快速开关。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.5192
50+
￥0.4057
150+
￥0.349
500+
￥0.3064

有货

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型号：BSS123NH6433XTMA1 编号：C2959814

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。符合AEC Q101标准。 100%无铅；符合RoHS标准，无卤

数据手册

5+
￥0.6294
50+
￥0.5003
150+
￥0.4357
500+
￥0.3873

有货

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型号：BSS215PH6327XTSA1 编号：C152736

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

5+
￥1.4995
50+
￥1.1845
150+
￥1.0495

有货

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型号：IRF8736PBF 编号：C3289651

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的导通电阻。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻。无铅。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET

5+
￥2.0978
50+
￥1.6594
150+
￥1.4714

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型号：IRLHS6376TRPBF 编号：C538153

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻（RDSon ≤ 63mΩ）。低至印刷电路板的热阻（≤ 19℃/W）。低外形（≤ 1.0mm）。行业标准引脚。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。应用：电池应用的充放电开关。负载/系统开关

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.34
30+
￥2.18
100+
￥2.03
500+
￥1.93

有货

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型号：IRLB8314PBF 编号：C501520

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对UPS/逆变器应用进行优化。在4.5V VGS下具有极低的RDS(on)。超低栅极阻抗。具有完全表征的雪崩电压和电流。无铅，符合RoHS标准。应用：UPS/逆变器应用。低压电动工具

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.25
50+
￥1.98
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.39

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型号：IAUC60N06S5L073ATMA1 编号：C3288867

封装：TDSON-8-33

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.12
10+
￥3.04
30+
￥2.99
100+
￥2.94

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型号：IRF9328TRPBF 编号：C386376

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道，-30V -12A

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥3.12
30+
￥3.07
100+
￥3.03

有货

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型号：IPD031N03LG 编号：C6279876

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。为DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥3.53
10+
￥3.45
30+
￥3.39
100+
￥3.33

有货

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型号：IPA60R280P7SXKSA1 编号：C536373

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.88
50+
￥2.56

有货

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型号：IPN70R360P7SATMA1 编号：C6062267

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项应用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性

1+
￥3.66
10+
￥3.01
30+
￥2.69
100+
￥2.37

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型号：IPN70R750P7SATMA1 编号：C3278580

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

1+
￥3.9525 ￥5.27
10+
￥3.2175 ￥4.29
30+
￥2.85 ￥3.8
100+
￥2.49 ￥3.32
500+
￥2.2725 ￥3.03
1000+
￥2.16 ￥2.88

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型号：IPA60R400CEXKSA1 编号：C3289035

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

1+
￥4.1055 ￥5.95
10+
￥3.7329 ￥5.41
30+
￥3.5328 ￥5.12
100+
￥3.2982 ￥4.78
500+
￥3.1947 ￥4.63
1000+
￥3.1533 ￥4.57

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型号：BSZ063N04LS6ATMA1 编号：C3279302

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低的导通电阻Rps(on)，100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤，额定温度175°C

1+
￥4.15
10+
￥3.42
30+
￥3.05
100+
￥2.68

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型号：BSZ0506NSATMA1 编号：C5565182

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。对于高频开关电源，具有非常低的品质因数Qoss和Q。在VGS = 4.5 V时，具有非常低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。具有出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥4.3
10+
￥3.43
30+
￥3
100+
￥2.57

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型号：BSC265N10LSF G 编号：C534428

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, logic level。非常低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。适用于高频开关和同步整流。低导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了资格认证。150℃ 工作温度。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.61
30+
￥3.23

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型号：IPD60N10S4L12ATMA1 编号：C3279097

封装：TO-252-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道-增强模式。 AEC认证。最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥4.45
10+
￥3.68
30+
￥3.3
100+
￥2.81

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型号：IPD65R400CE 编号：C536849

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，提供了快速开关超结MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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