英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSD235N H6327 编号：C534443

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。无卤（根据IEC61249-2-21）

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5+
￥0.7187
50+
￥0.5777
150+
￥0.5072

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型号：BSS315PH6327XTSA1 编号：C3278604

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据AEC61249-2-21标准无卤

5+
￥0.7584
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￥0.6054
150+
￥0.5289

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型号：IRF5802TRPBF 编号：C151501

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,900mA,1.2Ω@10V

数据手册

5+
￥1.5677
50+
￥1.2244
150+
￥1.0773
500+
￥0.8937

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型号：IRFL4310TRPBF 编号：C115168

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,0.2Ω@10V

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1+
￥1.59
10+
￥1.56
30+
￥1.54

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型号：IRFR3910TRLPBF 编号：C537975

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 利用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。结合 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 瓦。

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1+
￥2.2396 ￥5.09
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￥1.5742 ￥4.63
30+
￥1.0512 ￥4.38
100+
￥0.9816 ￥4.09
500+
￥0.9528 ￥3.97
1000+
￥0.9384 ￥3.91

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型号：IPN60R3K4CE 编号：C152673

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,600V,2.6A,3.4Ω@10V

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1+
￥2.43
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￥1.93
30+
￥1.71

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型号：BSC0923NDI 编号：C534391

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道OptiMOS MOSFET。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥2.48
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￥2.42
30+
￥2.38
100+
￥2.34

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型号：IPD090N03L G 编号：C536727

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀

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1+
￥2.8035 ￥4.45
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￥1.9239 ￥3.63
30+
￥1.3846 ￥3.22
100+
￥1.2083 ￥2.81
500+
￥1.1008 ￥2.56
1000+
￥1.0492 ￥2.44

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型号：IRFU5410PBF 编号：C3032

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-13A,205mΩ@-10V

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1+
￥3.44
10+
￥2.73
30+
￥2.38

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型号：BSC026NE2LS5 编号：C152643

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,25V,24A,2.6mΩ@10V

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50+
￥14.43144
200+
￥12.109582
500+
￥10.057111
1000+
￥8.466445

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型号：IRLB3813PBF 编号：C148140

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 260A

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￥3.7
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￥3.62
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￥3.56

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型号：BSC110N06NS3G 编号：C151507

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,50A,11mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.72
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￥3.03
30+
￥2.68

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型号：IPD25N06S4L-30 编号：C499459

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 25A

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1+
￥3.82
10+
￥2.96
30+
￥2.59
100+
￥2.13

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型号：IRLR3410TRLPBF 编号：C538170

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥3.85
10+
￥3.16
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￥2.81
100+
￥2.47

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型号：IPD350N06LGBTMA1 编号：C3289137

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。工作温度175℃。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准

1+
￥4
10+
￥3.17
30+
￥2.76
100+
￥2.115 ￥2.35
500+
￥1.935 ￥2.15
1000+
￥1.818 ￥2.02

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型号：ISP14EP15LMXTSA1 编号：C3278590

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS +4.5V。逻辑电平。 100%雪崩测试。增强模式。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

1+
￥4.18
10+
￥3.36
30+
￥2.94
100+
￥2.53

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型号：IRLB8748PBF 编号：C151540

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,78A,4.8mΩ@10V

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1+
￥4.21
10+
￥3.29
30+
￥2.9

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型号：IRFR7546TRPBF 编号：C114422

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,71A,7.9mΩ@10V

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￥4.42
10+
￥3.53
30+
￥3.09
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￥2.65

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型号：IRF8788TRPBF 编号：C153239

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,24A,2.8mΩ@10V

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1+
￥4.66
10+
￥3.83
30+
￥3.41

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型号：IRF9388TRPBF 编号：C169779

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-12A

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1+
￥5.01
10+
￥4.01
30+
￥3.51
100+
￥3.02

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型号：IPD50R500CEAUMA1 编号：C151519

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,550V,7.6A,500mΩ@13V

数据手册

1+
￥5.293 ￥6.7
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￥3.864 ￥5.6
30+
￥2.95 ￥5
100+
￥2.5488 ￥4.32
500+
￥2.3659 ￥4.01
1000+
￥2.2892 ￥3.88

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型号：IRF1010EPBF 编号：C2557

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,81A,12mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.35
10+
￥4.44
50+
￥3.77
100+
￥3.33
500+
￥3.06
1000+
￥2.92

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型号：BSZ034N04LS 编号：C534652

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。增大的源极互连提高了焊点可靠性

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1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75

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型号：IRFR24N15DTRPBF 编号：C513167

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。无铅。应用：高频DC-DC转换器

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1+
￥5.46
10+
￥4.51
30+
￥4.03
100+
￥3.56

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型号：IPA060N06NM5S 编号：C536318

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥5.504 ￥8.6
10+
￥4.2768 ￥7.92
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￥3.3 ￥7.5
100+
￥3.1108 ￥7.07
500+
￥3.0228 ￥6.87
1000+
￥2.9876 ￥6.79

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型号：BSC030N04NSG 编号：C476119

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.54
10+
￥4.49
30+
￥3.97
100+
￥3.45

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型号：IAUCN04S7N012ATMA1 编号：C22405593

封装：TDSON-8(5.5x5.2)

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥5.6
10+
￥5.48
30+
￥5.39
100+
￥5.31

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型号：IPD90N03S4L-02 编号：C536896

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥5.75
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￥5.62
30+
￥5.53

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型号：IPA60R360P7S 编号：C459165

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥5.81
10+
￥4.79
50+
￥3.88

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型号：IRF7815TRPBF 编号：C537831

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：10V VGS时极低的导通电阻（RDS(on)）。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。最大栅极额定值20V VGS。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET

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1+
￥6.38
10+
￥5.3
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￥4.71
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