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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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特性:针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 额定温度175℃
数据手册
  • 1+

    ¥7.86
  • 10+

    ¥6.6
  • 30+

    ¥5.91
  • 100+

    ¥5.13
  • 500+

    ¥4.78
  • 1000+

    ¥4.62
  • 有货
  • 最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性完美结合,这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
    • 1+

      ¥9.11
    • 10+

      ¥7.67
    • 30+

      ¥6.88
    • 100+

      ¥5.99
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 N沟道,逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RuHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥9.35
    • 10+

      ¥7.91
    • 30+

      ¥7.12
    • 100+

      ¥5.98
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于标准等级应用
    • 1+

      ¥9.88
    • 10+

      ¥8.24
    • 30+

      ¥7.34
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥10.92
    • 10+

      ¥9.39
    • 30+

      ¥8.42
  • 有货
  • 特性:优化用于同步整流。 额定温度175℃。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC1)针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥11.5374 ¥14.07
    • 10+

      ¥9.9072 ¥13.76
    • 30+

      ¥8.4072 ¥13.56
    • 100+

      ¥8.277 ¥13.35
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
    • 1+

      ¥11.85
    • 10+

      ¥10.13
    • 30+

      ¥9.06
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥12.312 ¥20.52
    • 10+

      ¥10.62 ¥17.7
    • 30+

      ¥9.612 ¥16.02
    • 100+

      ¥8.598 ¥14.33
    • 500+

      ¥8.13 ¥13.55
    • 1000+

      ¥7.914 ¥13.19
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥13.68
    • 10+

      ¥11.54
    • 30+

      ¥10.21
    • 100+

      ¥8.84
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和低温。
    • 1+

      ¥13.8744 ¥19.27
    • 10+

      ¥11.3894 ¥18.37
    • 50+

      ¥9.2716 ¥17.83
    • 100+

      ¥8.9856 ¥17.28
    • 500+

      ¥8.8556 ¥17.03
    • 1000+

      ¥8.7984 ¥16.92
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 额定温度175℃。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    • 1+

      ¥14.09
    • 10+

      ¥11.88
    • 30+

      ¥10.49
  • 有货
    • 1+

      ¥15.88
    • 10+

      ¥13.32
    • 30+

      ¥11.72
    • 100+

      ¥10.08
  • 有货
    • 1+

      ¥16.19
    • 10+

      ¥15.79
    • 30+

      ¥15.52
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 N沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥16.84
    • 10+

      ¥14.37
    • 30+

      ¥12.83
  • 有货
    • 1+

      ¥18.41
    • 10+

      ¥15.42
    • 30+

      ¥13.56
  • 有货
  • 特性:出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥19.19
    • 10+

      ¥16.48
    • 30+

      ¥14.78
  • 有货
  • 特性:N 沟道。 增强模式。 正常电平。 超出 AEC-Q101 的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥19.61
    • 10+

      ¥16.65
    • 30+

      ¥14.89
    • 100+

      ¥13.11
  • 有货
    • 1+

      ¥21.56
    • 10+

      ¥18.34
    • 30+

      ¥16.43
  • 有货
  • 特性:N 通道,正常电平。 快速二极管 (FD),降低 Qₘ。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥22.03
    • 10+

      ¥19.17
    • 50+

      ¥17.38
  • 有货
  • N+P沟道,30V,2.7A+2A
    数据手册
    • 1+

      ¥23.06
    • 10+

      ¥20.18
    • 30+

      ¥18.47
  • 有货
    • 1+

      ¥25.34
    • 10+

      ¥21.86
    • 30+

      ¥17.67
  • 有货
  • 特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度为175℃。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    • 1+

      ¥28.4697 ¥45.19
    • 10+

      ¥20.776 ¥39.2
    • 30+

      ¥15.2908 ¥35.56
    • 100+

      ¥13.975 ¥32.5
  • 有货
  • 最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级,是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能,其在谐振开关拓扑(如 LLC 和移相全桥 (ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥30.07
    • 10+

      ¥25.58
    • 30+

      ¥22.92
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥32.54
    • 10+

      ¥27.69
    • 30+

      ¥24.74
  • 有货
  • 最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品,是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性
    • 1+

      ¥34.75
    • 10+

      ¥29.67
    • 30+

      ¥26.58
  • 有货
  • 专为汽车应用设计,采用最新加工技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计还具备175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该产品成为汽车应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥45.8961 ¥77.79
    • 10+

      ¥33.0701 ¥67.49
    • 30+

      ¥23.8719 ¥61.21
    • 100+

      ¥21.8205 ¥55.95
  • 有货
  • 提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
    • 1+

      ¥53.09
    • 10+

      ¥45.27
    • 30+

      ¥40.5
  • 有货
    • 1+

      ¥56.5
    • 10+

      ¥47.97
    • 30+

      ¥42.78
  • 有货
  • 特性:N-沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀。 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.51027 ¥0.699
    • 50+

      ¥0.344547 ¥0.5469
    • 150+

      ¥0.249577 ¥0.4709
    • 500+

      ¥0.219314 ¥0.4138
    • 3000+

      ¥0.195146 ¥0.3682
    • 6000+

      ¥0.183062 ¥0.3454
  • 有货
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