英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLML6246TRPBF 编号：C82053

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,4.1A,46mΩ@10V

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5+
￥0.9065
50+
￥0.72
150+
￥0.6268

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型号：IRF5802TRPBF 编号：C151501

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,900mA,1.2Ω@10V

数据手册

5+
￥1.5472
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￥1.2039
150+
￥1.0568
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￥0.8733

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型号：IRLMS2002TRPBF 编号：C142374

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

N-Channel MOSFET利用先进处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻，为电池和负载管理应用提供高效器件。Micro6TM封装搭配定制引线框架，制成的HEXFET功率MOSFET的RDS(on)比类似尺寸的SOT-23低60%。该封装适用于印刷电路板空间有限的应用。其独特的热设计和RDS(on)降低，使电流处理能力比SOT-23提高近300%。

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￥2.43
10+
￥1.9
30+
￥1.68
100+
￥1.39

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型号：IRFR3910TRLPBF 编号：C537975

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 利用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。结合 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 瓦。

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1+
￥2.5959 ￥5.09
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￥1.8983 ￥4.63
30+
￥1.3578 ￥4.38
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￥1.2679 ￥4.09
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￥1.2307 ￥3.97
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￥1.2121 ￥3.91

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型号：BSS192PH6327FTSA1 编号：C151521

封装：SOT-89

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,250V,190mA,12Ω@10V

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1+
￥2.64
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￥2.1
30+
￥1.87
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￥1.58
500+
￥1.45

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型号：BSZ340N08NS3 G 编号：C513780

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对 DC/DC 转换器进行技术优化。具有出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥2.79
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￥2.21
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￥1.96
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型号：IRFL4310TRPBF 编号：C115168

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,0.2Ω@10V

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1+
￥3.01
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￥2.44
30+
￥2.2

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型号：BSZ120P03NS3GATMA1 编号：C5581629

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

1+
￥3.21
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￥2.52
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￥2.23
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￥1.87
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￥1.71

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型号：BSZ034N04LS 编号：C534652

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。增大的源极互连提高了焊点可靠性

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1+
￥3.27
10+
￥3.2
30+
￥3.15

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型号：IPN70R600P7SATMA1 编号：C141823

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于充电器、适配器、照明、电视等消费市场对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。

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1+
￥3.34
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￥2.67
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￥2.33
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￥2

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型号：IRF7413ZTRPBF 编号：C168887

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：超低栅极阻抗。极低的导通电阻RDS(on)。完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻RG。无铅。应用：笔记本处理器电源控制场效应管。计算、网络和电信系统中显卡和负载点转换器的控制和同步整流MOSFET

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1+
￥3.42
10+
￥2.67
30+
￥2.35
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￥1.95

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型号：IRFL024ZTRPBF 编号：C80625

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域

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1+
￥3.46
10+
￥2.83
30+
￥2.56

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型号：IPZ40N04S5L-7R4 编号：C537509

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥3.47
10+
￥2.79
30+
￥2.5
100+
￥2.13

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型号：IRLR3410TRLPBF 编号：C538170

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥3.52
10+
￥2.83
30+
￥2.48
100+
￥2.14

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型号：BSZ040N04LS G 编号：C534658

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥3.55
10+
￥2.81
30+
￥2.49

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型号：BSC110N06NS3G 编号：C151507

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,50A,11mΩ@10V

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1+
￥3.72
10+
￥3.03
30+
￥2.68
100+
￥2.34

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型号：BSC059N04LSG 编号：C151526

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,16A,5.9mΩ@10V

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1+
￥3.8
10+
￥3.07
30+
￥2.71

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型号：IRF7309TRPBF 编号：C36213

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

MOS全桥

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1+
￥3.93
10+
￥3.18
30+
￥2.86

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型号：ISZ065N03L5SATMA1 编号：C3279315

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。高频开关电源的极低 FOMoss。高频开关电源的低 FOMsw。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥3.96
10+
￥3.21
30+
￥2.83
100+
￥2.46

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型号：BSP135IXTSA1 编号：C3288806

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥3.99
10+
￥3.91
30+
￥3.87
100+
￥3.82

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型号：IPA50R500CE 编号：C536335

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。

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1+
￥4.002 ￥13.34
10+
￥3.504 ￥11.68
50+
￥3.027 ￥10.09
100+
￥2.709 ￥9.03
500+
￥2.565 ￥8.55
1000+
￥2.502 ￥8.34

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型号：BSC265N10LSF G 编号：C534428

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, logic level。非常低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。适用于高频开关和同步整流。低导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了资格认证。150℃ 工作温度。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥4.39
10+
￥3.61
30+
￥3.23

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型号：IRFR6215TRLPBF 编号：C537989

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计

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1+
￥4.41
10+
￥4.32
30+
￥4.27
100+
￥4.21

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型号：BSC030N04NSG 编号：C476119

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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