英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF9358TRPBF 编号：C537847

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。多供应商兼容性。更环保。应用：笔记本电脑电池充放电开关

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￥9.14
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型号：BSC052N08NS5 编号：C534350

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IPL65R230C7 编号：C537049

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

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￥9.3728 ￥16.16
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￥3.7468 ￥9.86

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型号：IRF6613TRPBF 编号：C537782

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了80%

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￥9.72
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型号：BSC027N06LS5ATMA1 编号：C2802513

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥10.35
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型号：BSC014NE2LSIATMA1 编号：C3278733

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
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型号：BSC012N06NS 编号：C6471337

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。额定温度175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于源极互连扩大，具有更高的焊点可靠性

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型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥11.71
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￥9.68
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型号：BSZ019N03LS 编号：C152374

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,22A,1.9mΩ@10V

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1+
￥12.07
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型号：IQE013N04LM6ATMA1 编号：C3289346

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥12.5
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￥10.54
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型号：ISC060N10NM6ATMA1 编号：C3288847

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。针对高频开关和同步整流进行优化。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据J-STD-020标准为MSL 1级

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￥13.97
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型号：SPA11N60C3 编号：C165621

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31;-3-111：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准，适用于目标应用

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￥16.2175 ￥24.95
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型号：IPL60R185CFD7 编号：C537029

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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1+
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型号：IPP023N08N5AKSA1 编号：C3278809

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21标准的无卤产品

1+
￥17.68
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￥14.86
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￥13.09
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￥11.28

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型号：BSC014N06NSTATMA1 编号：C3278639

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。额定温度为175℃。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

1+
￥19.02
10+
￥16.26
30+
￥14.62

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型号：IAUAN04S7N006AUMA1 编号：C22668212

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。最高260℃峰值回流的MSL2a。应用：一般汽车应用

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￥19.89
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￥16.85
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￥15.04
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￥13.22

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型号：BSC105N15LS5ATMA1 编号：C29115260

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥19.97
10+
￥17.07
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￥15.25

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型号：IPA90R500C3 编号：C536432

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：最低品质因数 RON × Qg。极高的 dv/dt 额定值。高脉冲电流能力。针对目标应用通过 JEDEC 认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。超低栅极电荷。应用：准谐振反激/正激拓扑。 PC 主机和消费类应用

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1+
￥21.255 ￥27.25
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￥15.9868 ￥23.51
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￥12.3424 ￥21.28
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￥11.0374 ￥19.03
500+
￥10.4342 ￥17.99
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￥10.1616 ￥17.52

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型号：IPP051N15N5AKSA1 编号：C672292

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥24.1
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￥20.62
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￥18.55

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型号：IQDH45N04LM6CGATMA1 编号：C20191642

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤

1+
￥27.87
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￥23.85
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￥21.47

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型号：IPB160N04S3-H2 编号：C536561

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥28.34
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￥24.32
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￥21.93
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￥19.52

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型号：IPW60R070P6 编号：C3278909

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和低温。

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￥34.51
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30+
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型号：IRF250P224 编号：C459947

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

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￥236.256
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￥230.0928
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型号：IQD005N04NM6CGATMA1 编号：C20191636

封装：TTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻性能。100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准，无卤

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型号：IPT017N10NM5LF2ATMA1 编号：C41716913

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

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￥39.48
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￥33.72
30+
￥30.2

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型号：IPT65R040CFD7XTMA1 编号：C3291319

封装：TOLL-8L

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。