英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPD90N04S4-04 编号：C536901

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道。增强模式。AEC 合格。MSL1 可达 260°C 峰值回流。175°C 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试

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1+
￥3.56
10+
￥3.47
30+
￥3.42
100+
￥3.36

有货

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型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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1+
￥3.64
10+
￥2.88
30+
￥2.56
100+
￥2.16

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型号：IRF7389TRPBF 编号：C71478

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,(30V/-30V),(7.3A/-5.3A)

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1+
￥3.65
10+
￥2.9
30+
￥2.58

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型号：IRFSL5615PBF 编号：C538049

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥3.78
10+
￥3.36
50+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.43

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型号：ISP25DP06LM 编号：C538449

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5V。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥3.794 ￥5.42
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￥2.652 ￥4.42
30+
￥1.96 ￥3.92
100+
￥1.71 ￥3.42
500+
￥1.56 ￥3.12
1000+
￥1.485 ￥2.97

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型号：BSC0504NSI 编号：C534345

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥3.81
10+
￥3.06
30+
￥2.68
100+
￥2.3

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型号：IPD60R3K3C6ATMA1 编号：C3279031

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。CoolMOS™ C6 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与高级创新。所得器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

1+
￥3.85
10+
￥3.09
30+
￥2.7
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￥2.22

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型号：ISZ065N03L5SATMA1 编号：C3279315

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。高频开关电源的极低 FOMoss。高频开关电源的低 FOMsw。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥3.85
10+
￥3.1
30+
￥2.72
100+
￥2.35

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型号：IRF7490TRPBF 编号：C537815

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，简化设计。应用：高频DC-DC转换器。无铅

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1+
￥4.2
10+
￥3.4
30+
￥3
100+
￥2.6

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型号：BSZ084N08NS5 编号：C534680

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连提高了焊点可靠性

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1+
￥4.59
10+
￥3.73
30+
￥3.3
100+
￥2.87

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型号：IRF7607TRPBF 编号：C537821

封装：MSOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。新型Micro8封装的占位面积是标准SO - 8封装的一半

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1+
￥5.0388 ￥9.69
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￥3.402 ￥8.1
30+
￥2.3136 ￥7.23
100+
￥1.9968 ￥6.24
500+
￥1.8592 ￥5.81
1000+
￥1.7952 ￥5.61

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型号：IPP034N03L G 编号：C537122

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。为DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥5.2352 ￥8.18
10+
￥4.0176 ￥7.44
50+
￥3.0932 ￥7.03
100+
￥2.8908 ￥6.57
500+
￥2.8028 ￥6.37
1000+
￥2.7588 ￥6.27

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型号：IRF7424TRPBF 编号：C148149

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -30V -11A

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1+
￥5.25
10+
￥4.28
30+
￥3.79
100+
￥3.31

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型号：IRF540ZPBF 编号：C459970

封装：TO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件

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1+
￥5.31
10+
￥4.28
50+
￥3.51
100+
￥2.99

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型号：IRFR4104TRPBF 编号：C513166

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

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1+
￥5.3592 ￥6.96
10+
￥3.8994 ￥5.82
30+
￥2.9583 ￥5.19
100+
￥2.5593 ￥4.49
500+
￥2.3769 ￥4.17
1000+
￥2.2971 ￥4.03

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型号：IPP084N06L3 G 编号：C537147

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对 DC/DC 转换器优化了技术。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥5.3632 ￥8.38
10+
￥4.1742 ￥7.73
50+
￥3.2164 ￥7.31
100+
￥3.0316 ￥6.89
500+
￥2.948 ￥6.7
1000+
￥2.9128 ￥6.62

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型号：BSZ0500NSI 编号：C534661

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥5.48
10+
￥4.38
30+
￥3.83
100+
￥3.28

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型号：IPP086N10N3 G 编号：C537148

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，标准电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥5.56
10+
￥4.58
50+
￥3.88

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型号：BSZ028N04LS 编号：C534649

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。在 VDS 为 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N 沟道。符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准，无卤素。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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1+
￥6.17
10+
￥5.08
30+
￥4.49

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型号：BSP321P H6327 编号：C534572

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。正常电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。按照IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥6.2
10+
￥5.03
30+
￥4.44
100+
￥3.667 ￥3.86
500+
￥3.3345 ￥3.51
1000+
￥3.1635 ￥3.33

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型号：IRF7905TRPBF 编号：C537833

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。最大栅极额定电压20V。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET

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1+
￥6.33
10+
￥5.13
30+
￥4.54
100+
￥3.95
500+
￥3.59

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型号：BSZ520N15NS3GATMA1 编号：C3279286

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥6.4
10+
￥5.17
30+
￥4.55
100+
￥3.94

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型号：ISC0805NLSATMA1 编号：C3278703

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅负载镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥6.47
10+
￥5.24
30+
￥4.62
100+
￥4.01

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型号：IRFB3207ZPbF 编号：C45250

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V

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1+
￥6.61
10+
￥5.53
50+
￥4.93

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型号：IRFR420TRPBF 编号：C537980

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第三代HEXFET功率场效应管为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦

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1+
￥6.62
10+
￥5.95
30+
￥5.58
100+
￥5.17

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型号：BSC160N15NS5 编号：C459172

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 150℃ 工作温度。无铅镀铅，符合 RLHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥7.03
10+
￥5.85
30+
￥5.2

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型号：IRF7317TRPBF 编号：C454608

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制的引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可以在应用中使用，大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。

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