英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSZ018N04LS6 编号：C534643

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21规定为无卤产品。额定温度为175℃

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型号：IRFS3806TRLPBF 编号：C538013

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：BSC360N15NS3 G 编号：C534430

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IPI024N06N3 G 编号：C536958

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
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型号：IQE013N04LM6ATMA1 编号：C3289346

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPL60R185CFD7 编号：C537029

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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型号：IRFI4212H-117P 编号：C500534

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

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型号：IPB180P04P4L-02 编号：C536578

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。用于反接电池保护

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型号：IPP60R099CP 编号：C537193

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻Rds(on)。超低的栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。符合JEDEC工业级应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准，无卤模塑料。应用：服务器和电信的硬开关开关电源拓扑

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型号：IRF8301MTRPBF 编号：C537836

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%

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型号：IPD60R145CFD7 编号：C3277918

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

1+
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型号：IPW60R070CFD7 编号：C537454

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

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型号：IRFP4332PBF 编号：C386341

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 250V 57A

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型号：IAUCN10S7N040ATMA1 编号：C42667623

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥20.24
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￥17.29
30+
￥15.45
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型号：IRFB4137PBF 编号：C500520

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 300V 38A

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￥22.56
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型号：IAUA250N08S5N018AUMA1 编号：C3278535

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。应用：一般汽车应用

1+
￥23.56
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￥20.3
30+
￥18.37

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型号：IPB017N10N5 编号：C536479

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥25.34
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￥21.86
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￥17.67

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型号：IQDH45N04LM6CGATMA1 编号：C20191642

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤

1+
￥26.63
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￥22.61
30+
￥20.22

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型号：IPW60R037P7XKSA1 编号：C454263

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

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￥30.55
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￥26.43
30+
￥23.98

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型号：AUIRFS4310TRL 编号：C533400

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥31.84
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￥31.11
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型号：IQD020N10NM5SCATMA1 编号：C42283737

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JECL1249-2-21 标准无卤

1+
￥33.74
10+
￥28.78
30+
￥25.76

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型号：ISC009N06LM5ATMA1 编号：C3279324

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。经过100%雪崩测试。卓越的热性能。 N沟道。额定温度175℃。无铅镀铅：符合RoHS标准。根据EC61249-2-21标准无卤。由于源极互连增大，具有更高的焊点可靠性

1+
￥37.04
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￥31.7
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￥28.52

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型号：IPP60R090CFD7 编号：C537190

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于提供高效同步降压功率级，具有优化的布局和电路板空间利用率。适用于紧凑型 DC/DC 转换器应用。

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1+
￥37.992 ￥63.32
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￥37.986 ￥63.31

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型号：IPT60R035CFD7XTMA1 编号：C3278550

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。