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1个N沟道耐压:800V 电流:13A

型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥10.2102 ￥20.02
10+
￥7.0151 ￥17.11
50+
￥4.7399 ￥15.29
100+
￥4.1602 ￥13.42
500+
￥3.8998 ￥12.58
1000+
￥3.7882 ￥12.22

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:81A

型号：IRFP054NPBF 编号：C2671

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,81A,12mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.35
10+
￥8.46
25+
￥7.42
100+
￥6.25

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:10.9A

型号：BSZ16DN25NS3GATMA1 编号：C6135714

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于直流-直流转换。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。低导通电阻RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥10.99
10+
￥9.24
30+
￥8.14
100+
￥7.02

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：IPC100N04S5-2R8 编号：C536694

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。普通级。通过AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260°C。工作温度175°C。环保产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

数据手册

1+
￥11.21
10+
￥9.4
30+
￥8.27

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:39A

型号：BSZ097N10NS5 编号：C534697

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 N沟道，逻辑电平。经过100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥11.33
10+
￥9.51
30+
￥8.36

有货

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600V CoolMOs CM8功率晶体管

型号：IPP60R180CM8XKSA1 编号：C25397856

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的换代产品。

1+
￥13.09
10+
￥11.14
50+
￥9.92
100+
￥8.66

有货

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OptiMOs功率晶体管，-60 V

型号：ISC240P06LMATMA1 编号：C20191685

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.32
10+
￥11.36
30+
￥10.13
100+
￥8.88

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:78A

型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥13.34
10+
￥11.29
30+
￥10.02
100+
￥8.71

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:100A

型号：IAUC100N10S5L040 编号：C535699

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥15.51
10+
￥13.1
30+
￥11.11

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:88A

型号：IPP110N20N3GXKSA1 编号：C672167

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

1+
￥17.94
10+
￥15.32
50+
￥13.68

有货

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650V CoolMOS CFDA功率晶体管

型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥18.35
10+
￥15.53
30+
￥13.2
90+
￥11.39

有货

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IPB017N10N5

型号：IPB017N10N5 编号：C536479

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥27.29
10+
￥23.54
30+
￥19.03

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:38A

型号：IRFB4137PBF 编号：C500520

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 300V 38A

数据手册

1+
￥31.15
10+
￥27.01
30+
￥24.56

有货

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N沟道 80V 323A

型号：IQD016N08NM5SCATMA1 编号：C42361785

封装：PG-WHSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- channel, normal level。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥38.04
10+
￥33.28
30+
￥30.39

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:16A

型号：IPP60R090CFD7 编号：C537190

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于提供高效同步降压功率级，具有优化的布局和电路板空间利用率。适用于紧凑型 DC/DC 转换器应用。

数据手册

1+
￥63.32
10+
￥63.31
100+
￥37.986 ￥63.31

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:75A

型号：IPT60R028G7XTMA1 编号：C3288780

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的表面贴装解决方案。

1+
￥94.79
10+
￥90.08
30+
￥81.92

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：2N7002H6327 编号：C672108

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。快速开关。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

10+
￥0.5133
100+
￥0.4061
300+
￥0.3525

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.2A

型号：IRLMS1503TRPBF 编号：C3029554

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。采用定制化引线框架的Micro6封装，使HEXFET功率MOSFET的Rps（on）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%

数据手册

1+
￥0.8214 ￥2.22
10+
￥0.5265 ￥1.95
30+
￥0.3128 ￥1.84
100+
￥0.289 ￥1.7
500+
￥0.2788 ￥1.64
1000+
￥0.272 ￥1.6

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:0.88A

型号：BSD840NH6327 编号：C151516

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：Infineon(英飞凌)

两个N沟道,20V,880mA

数据手册

15+
￥0.6348
30+
￥0.61364
60+
￥0.60306
120+
￥0.5819

我要订货

2个N沟道耐压:30V 电流:3.4A

型号：IRLHS6376TRPBF 编号：C538153

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻（RDSon ≤ 63mΩ）。低至印刷电路板的热阻（≤ 19℃/W）。低外形（≤ 1.0mm）。行业标准引脚。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。应用：电池应用的充放电开关。负载/系统开关

数据手册

1+
￥1.2684 ￥3.02
10+
￥0.864 ￥2.7
30+
￥0.5588 ￥2.54
100+
￥0.5258 ￥2.39
500+
￥0.5038 ￥2.29
1000+
￥0.4928 ￥2.24

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BSC0902NS 编号：C153230

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,24A,2.6mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.2
10+
￥2.14
30+
￥2.11

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：IRF8736PBF 编号：C3289651

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的导通电阻。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻。无铅。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET

5+
￥2.5331
50+
￥2.0946
150+
￥1.9067
500+
￥1.6722

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6.5A

型号：IRLMS2002TRPBF 编号：C142374

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

N-Channel MOSFET利用先进处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻，为电池和负载管理应用提供高效器件。Micro6TM封装搭配定制引线框架，制成的HEXFET功率MOSFET的RDS(on)比类似尺寸的SOT-23低60%。该封装适用于印刷电路板空间有限的应用。其独特的热设计和RDS(on)降低，使电流处理能力比SOT-23提高近300%。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.21
30+
￥1.98
100+
￥1.7

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:9.7A

型号：IRF8313TRPBF 编号：C94066

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,30V,9.7A,15.5mΩ@9.7A,10V

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.3
30+
￥2.03
100+
￥1.68

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.17A

型号：BSP315PH6327 编号：C136013

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,60V,1.17A,800mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.46
30+
￥2.2
100+
￥1.88

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：BSZ120P03NS3GATMA1 编号：C5581629

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

1+
￥3.15
10+
￥2.47
30+
￥2.18
100+
￥1.82

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:5.1A

型号：IRFL024ZTRPBF 编号：C80625

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.68
30+
￥2.43
100+
￥2.11

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1.8A

型号：BSP373NH6327XTSA1 编号：C6752969

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥3.47
10+
￥2.71
30+
￥2.39
100+
￥1.99

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：BSZ086P03NS3G 编号：C459171

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用S308封装，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.77
30+
￥2.47

有货

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耐压:700V 电流:10.1A

型号：IPD65R650CE 编号：C459168

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.78
30+
￥2.44
100+
￥2.1

有货

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