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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
型号：IRFH8318TRPBF 编号：C82059
封装：PQFN-8(5x6)
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,30V,27A,3.1mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥3.47

  • 10+

    ￥2.91

  • 30+

    ￥2.67

  • 100+

    ￥2.38
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：IRF8736PBF 编号：C3289651
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS时极低的导通电阻。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻。 无铅。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。 网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET

    • 5+

      ￥2.0978

    • 50+

      ￥1.6594

    • 150+

      ￥1.4714
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A 2.3A
    型号：IRF9952TRPBF 编号：C513186
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.12

    • 10+

      ￥2.52

    • 30+

      ￥2.27

    • 100+

      ￥1.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
    型号：BSL215CH6327 编号：C150914
    封装：TSOP-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N+P沟道,20V,1.5A
    数据手册

    • 1+

      ￥3.14

    • 10+

      ￥2.44

    • 30+

      ￥2.14

    • 100+

      ￥1.77
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:33A
    型号：IRFSL5615PBF 编号：C538049
    封装：TO-262-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）
    数据手册

    • 1+

      ￥3.78

    • 10+

      ￥3.36

    • 50+

      ￥2.76

    • 100+

      ￥2.56

    • 500+

      ￥2.43
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：IRLB8748PBF 编号：C151540
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,78A,4.8mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.84

    • 10+

      ￥3.06

    • 30+

      ￥2.73

    • 100+

      ￥2.22
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:91A
    型号：IRFR1010ZTRPBF 编号：C2980616
    封装：DPAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    HEXFET功率MOSFET利用最新的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

    • 1+

      ￥4.92

    • 10+

      ￥4.41

    • 30+

      ￥4.13

    • 100+

      ￥3.81

    • 500+

      ￥3.66
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:90A
    型号：IPD90N04S4-04 编号：C536901
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道。增强模式。AEC 合格。MSL1 可达 260°C 峰值回流。175°C 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥4.92

    • 10+

      ￥3.95

    • 30+

      ￥3.46

    • 100+

      ￥2.98
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOST2功率晶体管
    型号：IPG20N10S4L-35 编号：C41782020
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥5.01

    • 10+

      ￥4.5

    • 30+

      ￥4.22

    • 100+

      ￥3.91
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
    型号：IPP048N04N G 编号：C537132
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥5.082 ￥7.26

    • 10+

      ￥3.918 ￥6.53

    • 50+

      ￥3.06 ￥6.12

    • 100+

      ￥2.83 ￥5.66

    • 500+

      ￥2.73 ￥5.46

    • 1000+

      ￥2.685 ￥5.37
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:18A 40A
    型号：BSZ0904NSIATMA1 编号：C6869294
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。 集成单芯片类肖特基二极管。 极低导通电阻，在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

    • 1+

      ￥5.12

    • 10+

      ￥4.1

    • 30+

      ￥3.6

    • 100+

      ￥3.09
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：IPP084N06L3 G 编号：C537147
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器优化了技术。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.1901 ￥7.31

    • 10+

      ￥4.0626 ￥6.66

    • 50+

      ￥3.1875 ￥6.25

    • 100+

      ￥2.9733 ￥5.83

    • 500+

      ￥2.8764 ￥5.64

    • 1000+

      ￥2.8305 ￥5.55
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
    型号：IPP041N04N G 编号：C386373
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 40V 80A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.621 ￥7.3

    • 10+

      ￥4.697 ￥6.1

    • 50+

      ￥4.1965 ￥5.45

    • 100+

      ￥3.619 ￥4.7

    • 500+

      ￥3.3649 ￥4.37

    • 1000+

      ￥3.2494 ￥4.22
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：IPD90N03S4L-02 编号：C536896
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.75

    • 10+

      ￥5.62

    • 30+

      ￥5.53

    • 100+

      ￥5.45
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：IPP034N03L G 编号：C537122
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 雪崩额定。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.8078 ￥8.18

    • 10+

      ￥4.5384 ￥7.44

    • 50+

      ￥3.5853 ￥7.03

    • 100+

      ￥3.3507 ￥6.57

    • 500+

      ￥3.2487 ￥6.37

    • 1000+

      ￥3.1977 ￥6.27
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:26A
    型号：IPA60R360P7S 编号：C459165
    封装：TO-220FP
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.88

    • 10+

      ￥4.91

    • 50+

      ￥4.04

    • 100+

      ￥3.56
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：BSC028N06LS3 G 编号：C534316
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.93

    • 10+

      ￥4.91

    • 30+

      ￥4.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V 电流:5.1A
    型号：IPD90R1K2C3 编号：C386347
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,900V,5.1A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.93

    • 10+

      ￥4.79

    • 30+

      ￥4.21
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:12V 电流:9.2A
    型号：IRF7329TRPBF 编号：C495786
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    新型P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用
    数据手册

    • 1+

      ￥6.13

    • 10+

      ￥5.04

    • 30+

      ￥4.45

    • 100+

      ￥3.77
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:209A
    型号：IRL7486MTRPBF 编号：C538141
    封装：DirectFET
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.59

    • 10+

      ￥5.43

    • 30+

      ￥4.79
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.9A
    型号：IRF7389TRPBF 编号：C71478
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N+P沟道,(30V/-30V),(7.3A/-5.3A)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.69

    • 10+

      ￥5.53

    • 30+

      ￥4.95
  • 有货
    • 立即购买
    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRFB4615PBF 编号：C537864
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥6.79

    • 10+

      ￥5.65

    • 50+

      ￥4.26
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:343A
    型号：IRLB3034PBF 编号：C144151
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟 40V 195A
    数据手册

    • 1+

      ￥6.91

    • 10+

      ￥5.83

    • 50+

      ￥5.23

    • 100+

      ￥4.56
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
    型号：AUIRF540Z 编号：C533268
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    专为汽车应用设计，采用最新加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.916 ￥13.3

    • 10+

      ￥4.7754 ￥11.37

    • 50+

      ￥3.2512 ￥10.16

    • 100+

      ￥2.8544 ￥8.92

    • 500+

      ￥2.6752 ￥8.36

    • 1000+

      ￥2.5984 ￥8.12
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:21A
    型号：BSZ520N15NS3GATMA1 编号：C3279286
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥7.15

    • 10+

      ￥5.86

    • 30+

      ￥5.21

    • 100+

      ￥4.57
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
    型号：IPL65R230C7 编号：C537049
    封装：VSON-4(8x8)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.2345 ￥11.13

    • 10+

      ￥5.5825 ￥10.15

    • 30+

      ￥4.293 ￥9.54

    • 100+

      ￥4.0095 ￥8.91

    • 500+

      ￥3.8835 ￥8.63

    • 1000+

      ￥3.825 ￥8.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:56A
    型号：IPA060N06NM5S 编号：C536318
    封装：TO-220F
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥7.82

    • 10+

      ￥7.15

    • 50+

      ￥6.73

    • 100+

      ￥6.3
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    耐压:40V 电流:160A
    型号：IRF2804STRL7PP 编号：C459950
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    专门为汽车应用设计，这款HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：IRFP140NPBF 编号：C2672
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,33A,52mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:300A
    型号：IPT004N03L 编号：C531197
    封装：HSOF-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对电子保险丝和或门应用进行优化。 在VGS ≅ 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准
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