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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:500V 电流:14.1A
型号：IPD50R380CE 编号：C536786
封装：TO-252
品牌：Infineon(英飞凌)
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：BSC050N03LSG 编号：C153237
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,18A,5mΩ@10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:1.8A
    型号：BSP295H6327 编号：C152410
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,1.8A,300mΩ@10V
    数据手册

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      ￥3.77

    • 10+

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    1个P沟道 耐压:250V 电流:0.43A
    型号：BSP317P H6327 编号：C534568
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:660mA
    型号：BSP149H6327 编号：C534558
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

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      ￥4.01

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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：IPD30N06S4L-23 编号：C536754
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

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      ￥4.0388 ￥8.78

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      ￥1.3208 ￥5.08
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
    型号：IRFB3306PBF 编号：C2643
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:9.3A
    型号：IRF630NSTRLPBF 编号：C520651
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:55V 电流:56A
    型号：IRFR2405TRPBF 编号：C70333
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,56A,16mΩ@10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：IRLB4132PBF 编号：C212021
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,Vdss=30V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:18.1A
    型号：IPD50R280CEAUMA1 编号：C467012
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的降本性能比。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
    型号：IPP048N04N G 编号：C537132
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准
    数据手册

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      ￥5.1345 ￥8.15

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      ￥2.6875 ￥6.25
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：IPC50N04S5L5R5ATMA1 编号：C3288870
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥5.22

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    IPB0401NM5S
    型号：IPB0401NM5S 编号：C536506
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)

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      ￥5.5

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      ￥4.3

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:106A
    型号：BSZ0902NS 编号：C534687
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

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    • 10+

      ￥5.25

    • 30+

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      ￥3.4918 ￥4.42
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    1个N沟道 耐压:75V
    型号：BSC036NE7NS3 G 编号：C534327
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 卓越的热阻。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 符合 IEC61249-2-21 的无卤要求
    数据手册

    • 1+

      ￥5.81

    • 10+

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      ￥4.46

    • 100+

      ￥4.02
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:343A
    型号：IRLB3034PBF 编号：C144151
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟 40V 195A
    数据手册

    • 1+

      ￥6.38

    • 10+

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    • 50+

      ￥4.59
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：IAUZ40N06S5N050ATMA1 编号：C3289320
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 正常等级-MSL1，最高260°C峰值回流。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥6.66

    • 10+

      ￥5.45

    • 30+

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    • 100+

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    OptiMOST2功率晶体管
    型号：IPG20N10S4L-35 编号：C41782020
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥6.8

    • 10+

      ￥5.58

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      ￥4.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
    型号：IRLU3410PBF 编号：C152440
    封装：TO-251AA
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积尽可能低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.85

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      ￥5.55

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    • 75+

      ￥4.11
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:5A
    型号：BSZ42DN25NS3GATMA1 编号：C6869298
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化用于直流-直流转换。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

      ￥7.28

    • 10+

      ￥6.02

    • 30+

      ￥5.32

    • 100+

      ￥4.54
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:47A
    型号：BSC094N06LS5 编号：C3278729
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

      ￥7.28

    • 10+

      ￥6.09

    • 30+

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    • 100+

      ￥4.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:17A
    型号：IRFB4019PBF 编号：C153238
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,17A,95mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥7.66

    • 10+

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      ￥5

    • 100+

      ￥4.31
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:100V 电流:20A
    型号：IPG20N10S4L35ATMA1 编号：C5311650
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥7.93

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    • 30+

      ￥5.91

    • 100+

      ￥4.88
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:209A
    型号：IRL7486MTRPBF 编号：C538141
    封装：DirectFET
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.13

    • 10+

      ￥6.7

    • 30+

      ￥5.91

    • 100+

      ￥5.02
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
    型号：IRFP3206PBF 编号：C2687
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,200A,3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.59

    • 10+

      ￥7.11

    • 25+

      ￥6.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：BSC022N04LS6 编号：C534307
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步应用进行优化。极低导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。卓越的热阻。N沟道。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤。额定温度175°C
    数据手册

    • 1+

      ￥8.94

    • 10+

      ￥7.39

    • 30+

      ￥6.54
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:28A
    型号：IPD380P06NMATMA1 编号：C5772128
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平。 增强模式。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥9.54

    • 10+

      ￥8.04

    • 30+

      ￥7.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：BSZ150N10LS3G 编号：C148265
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,40A,15mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
    型号：IPB80P04P407ATMA1 编号：C2983566
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 正常电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 环保封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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