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1个N沟道耐压:100V 电流:63A

型号：BSC109N10NS3G 编号：C131006

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥5.84
30+
￥5.1

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC016N04LS G 编号：C534294

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道。逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥7.68
10+
￥6.95
30+
￥6.54
100+
￥5.31

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:80A

型号：IRF8010PBF 编号：C80624

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,80A,15mΩ@45A,10V

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥6.78
50+
￥5.99
100+
￥5.09

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：IPD90P03P4L04ATMA1 编号：C148284

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,90A,4.1mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.48
10+
￥6.94
30+
￥6.1

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:100A

型号：IRFH5010TRPBF 编号：C495806

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 9 mΩ)。低至PCB的热阻 (<0.5℃/W)。低传导损耗。 100% Rg测试。低外形 (<0.9 mm)。行业标准引脚排列。应用：二次侧同步整流。直流电机逆变器

数据手册

1+
￥9.48
10+
￥7.78
30+
￥6.86
100+
￥5.8

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC022N04LS6 编号：C534307

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。卓越的热阻。N沟道。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤。额定温度175°C

数据手册

1+
￥9.8
10+
￥8.25
30+
￥7.4

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:80A

型号：IPB80P04P407ATMA1 编号：C2983566

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥10.19
10+
￥9.33
30+
￥8.8
100+
￥7.61
500+
￥7.37
1000+
￥7.26

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:28A

型号：IPD380P06NMATMA1 编号：C5772128

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥10.29
10+
￥8.79
30+
￥7.85
100+
￥6.88

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:24A

型号：BSC500N20NS3GATMA1 编号：C5381902

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

1+
￥10.32
10+
￥8.71
30+
￥7.71

有货

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1个P沟道耐压:40V

型号：IPD90P04P405 编号：C536914

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥10.89
10+
￥9.23
30+
￥8.2
100+
￥7.13

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:50A

型号：IPP200N15N3G 编号：C76530

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

插件MOS管IPP200N15N3GTO-220

数据手册

1+
￥11.55
10+
￥9.87
50+
￥8.81

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:17A

型号：SPP17N80C3 编号：C36789

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

1+
￥13.45
10+
￥11.94
50+
￥10.25

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:13A

型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥14.2142 ￥20.02
10+
￥12.1481 ￥17.11
50+
￥10.8559 ￥15.29
100+
￥9.5282 ￥13.42
500+
￥8.9318 ￥12.58
1000+
￥8.6762 ￥12.22

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:173A

型号：IPB020N08N5ATMA1 编号：C3289231

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥15.4128 ￥20.28
10+
￥13.3532 ￥17.57
30+
￥12.0612 ￥15.87
100+
￥10.7388 ￥14.13
500+
￥10.146 ￥13.35
1000+
￥9.88 ￥13

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥15.69
10+
￥13.18
30+
￥11.61
100+
￥10

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:100A

型号：IAUC100N10S5N040 编号：C535700

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥15.97
10+
￥13.41
30+
￥11.8
100+
￥10.16

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:209A

型号：IRFP2907PBF 编号：C38573

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥16.85
10+
￥14.14
25+
￥12.43

有货

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OptiMOS-T2功率晶体管

型号：IPLU250N04S4-1R7 编号：C537068

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）；100% 无铅。超低 Rds(on)。100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥16.86
10+
￥14.16
30+
￥12.47
100+
￥10.73

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11A

型号：SPA11N60C3 编号：C165621

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31;-3-111：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准，适用于目标应用

数据手册

1+
￥17.964 ￥24.95
10+
￥13.3424 ￥21.52
50+
￥10.1296 ￥19.48
100+
￥9.0584 ￥17.42
500+
￥8.5644 ￥16.47
1000+
￥8.3408 ￥16.04

有货

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650V CoolMOS CFDA功率晶体管

型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥18.35
10+
￥15.53
30+
￥13.2
90+
￥11.39

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRLB4030PBF 编号：C2663

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,180A,4.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥18.5
10+
￥15.64
30+
￥13.85

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:10.7A

型号：IPA60R380E6 编号：C536380

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥19.8912 ￥23.68
10+
￥15.1182 ￥20.43
50+
￥11.8336 ￥18.49
100+
￥10.5856 ￥16.54
500+
￥10.0032 ￥15.63
1000+
￥9.7472 ￥15.23

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:257A

型号：BSC014N06NSTATMA1 编号：C3278639

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。额定温度为175℃。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

1+
￥20.02
10+
￥17.26
30+
￥15.62

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:300A

型号：IAUT300N10S5N015 编号：C5151439

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试

1+
￥24.11
10+
￥20.9
30+
￥18.98

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:52A

型号：BSC220N20NSFD 编号：C534425

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。 175℃ rated。优秀的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥24.27
10+
￥20.63
30+
￥18.46

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.63A

型号：BSS209PWH6327 编号：C151491

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,20V,630mA,550mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.6674
50+
￥0.5355
150+
￥0.4695
500+
￥0.42

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:0.95A

型号：BSD235N H6327 编号：C534443

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。无卤（根据IEC61249-2-21）

数据手册

5+
￥0.704
50+
￥0.563
150+
￥0.4925
500+
￥0.4396

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：BSS806NH6327 编号：C151480

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,2.3A,57mΩ@2.5V

数据手册

5+
￥0.766
50+
￥0.6099
150+
￥0.5319

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.2A

型号：IRLMS1503TRPBF 编号：C3029554

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。采用定制化引线框架的Micro6封装，使HEXFET功率MOSFET的Rps（on）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%

数据手册

1+
￥1.2654 ￥2.22
10+
￥1.1115 ￥1.95
30+
￥1.0488 ￥1.84
100+
￥0.969 ￥1.7
500+
￥0.9348 ￥1.64
1000+
￥0.912 ￥1.6

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：ISS17EP06LMXTSA1 编号：C3288816

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5 V。100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

5+
￥2.0433 ￥4.17
50+
￥1.6905 ￥3.45
150+
￥1.5141 ￥3.09
500+
￥1.3426 ￥2.74
2500+
￥1.2348 ￥2.52
5000+
￥1.1809 ￥2.41

有货

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最快4小时发货
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