英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPD052N10NF2SATMA1 编号：C20191575

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥12.64
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￥10.8
30+
￥9.65
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￥8.47

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型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥14.13
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￥12.06
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￥8.05

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型号：IPP034NE7N3G 编号：C3278840

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅镀层；符合 RoHS 标准，无卤素。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证

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￥14.86
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￥12.19
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￥10.52
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型号：IPP320N20N3GXKSA1 编号：C115850

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。优秀的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥15.17
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￥12.88
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型号：IRFP4332PBF 编号：C386341

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 250V 57A

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￥15.35
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￥13.25
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￥10.36
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￥9.02

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型号：IQE013N04LM6CGSCATMA1 编号：C20191645

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥15.66
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￥13.17
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￥11.62
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￥10.03

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型号：IRFI4019H-117P 编号：C500535

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

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￥16.7
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￥14.44
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￥13.03
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￥11.59

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型号：SPW17N80C3 编号：C50466

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

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￥17.13
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￥14.58
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￥12.03
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￥10.39
510+
￥9.66
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￥9.34

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型号：IPD60R145CFD7 编号：C3277918

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

1+
￥17.47
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￥14.8
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￥12.6
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￥10.89

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型号：BSC350N20NSFD 编号：C152360

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,35A,35mΩ@10V

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￥18.67
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￥15.98
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￥14.38
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￥12.76

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型号：IPW60R120P7 编号：C537467

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

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1+
￥18.8825 ￥22.75
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￥15.8337 ￥21.69
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￥13.2615 ￥21.05
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￥12.8583 ￥20.41
480+
￥12.6693 ￥20.11
960+
￥12.5874 ￥19.98

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型号：IRF150P221 编号：C537748

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻（品质因数FOM）。优化的反向恢复电荷Qrr。工作温度可达175°C。产品通过JEDEC标准验证。优化了分销合作伙伴的供货能力

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1+
￥20.17
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￥17.14
25+
￥15.34

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型号：IPW60R037P7XKSA1 编号：C454263

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

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1+
￥26.41
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￥22.56
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￥20.27

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型号：IRF100P219AKMA1 编号：C3289059

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。优化的反向恢复电荷Qrr。工作温度可达175℃。产品通过JEDEC标准验证。优化了从分销合作伙伴处的供货情况

1+
￥30.1
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￥26.13
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￥23.78

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型号：IRF100P218 编号：C537740

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。优化的反向恢复电荷Qrr。 175℃工作温度。根据JEDEC标准进行产品验证。针对分销合作伙伴的广泛供应进行了优化

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1+
￥31.29
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￥26.6
25+
￥23.81

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型号：IQD020N10NM5ATMA1 编号：C22462713

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。极低导通电阻Rps(on)。卓越的热阻，100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥34.47
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￥29.62
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￥26.74
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￥23.83

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型号：IPB017N08N5 编号：C536478

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥34.9
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￥33.24
30+
￥32.22
100+
￥31.38

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型号：ISC030N12NM6ATMA1 编号：C20191679

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷× RDS(on) 乘积 (FOM)。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤。根据 J-STD-020 分类为 MSL 1

1+
￥39.49
10+
￥34.4
30+
￥31.3

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型号：IPP60R037CM8XKSA1 编号：C28760736

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥42.2
10+
￥35.95
50+
￥32.15

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型号：IPT025N15NM6ATMA1 编号：C30698831

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。优异的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。根据 LTSD-020 标准为 MSL-1 级分类

1+
￥46.52
10+
￥39.68
30+
￥35.51

有货

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型号：IMT65R022M1HXUMA1 编号：C5740418

封装：HSOF-8-1

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥89.87
10+
￥85.37
30+
￥77.56

有货

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型号：BSS670S2LH6327 编号：C5185450

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

5+
￥0.29
50+
￥0.284
150+
￥0.2799
500+
￥0.2759

有货

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型号：2N7002DWH6327 编号：C151535

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。增强模式。逻辑电平。雪崩额定。快速开关。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.5435
50+
￥0.4236
150+
￥0.3637
500+
￥0.3187

有货

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型号：IRF5803TRPBF 编号：C169756

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%

数据手册

5+
￥0.8464
50+
￥0.8265
150+
￥0.8133
500+
￥0.8

有货

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型号：BSS126IXTSA1 编号：C3288820

封装：SOT-23-3-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。耗尽模式。dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

5+
￥0.9684
50+
￥0.7617
150+
￥0.6731
500+
￥0.5626

有货

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型号：BSL316C H6327 编号：C534460

封装：TSOP-6-6-1.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥1.158
50+
￥1.0053
150+
￥0.9398
500+
￥0.8582

有货

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型号：BSR315P H6327 编号：C534588

封装：SC-59-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。雪崩额定SC-59。无铅引脚涂层，符合RoHS标准。漏极引脚3。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥1.5249 ￥2.99
10+
￥0.9758 ￥2.38
30+
￥0.6572 ￥2.12
100+
￥0.5549 ￥1.79
500+
￥0.5115 ￥1.65
1000+
￥0.4836 ￥1.56

有货

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型号：BSZ110N06NS3GATMA1 编号：C3279285

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥1.63
10+
￥1.59
30+
￥1.57
100+
￥1.5035 ￥1.55

有货

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型号：IPU60R2K1CE 编号：C476112

封装：TO-251

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥1.6704 ￥2.61
10+
￥1.242 ￥2.3
30+
￥0.9548 ￥2.17
75+
￥0.8844 ￥2.01
525+
￥0.8536 ￥1.94
975+
￥0.8316 ￥1.89

有货

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型号：BSZ440N10NS3G 编号：C476115

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.13
30+
￥1.89
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