英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IGT60R070D1 编号：C536084

封装：HSOF-8-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥73.5768 ￥83.61
10+
￥63.7032 ￥72.39
30+
￥57.684 ￥65.55
100+
￥52.6416 ￥59.82

有货

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型号：BSD840NH6327 编号：C151516

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：Infineon(英飞凌)

两个N沟道,20V,880mA

数据手册

5+
￥0.5517
50+
￥0.4421
150+
￥0.3873
500+
￥0.3462

有货

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型号：BSL316C H6327 编号：C534460

封装：TSOP-6-6-1.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥1.1726
50+
￥1.0198
150+
￥0.9544
500+
￥0.8727

有货

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型号：IPN60R3K4CE 编号：C152673

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,600V,2.6A,3.4Ω@10V

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.89
30+
￥1.68
100+
￥1.41
500+
￥1.29

有货

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型号：ISP25DP06NM 编号：C538451

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.5675 ￥3.25
10+
￥1.9803 ￥2.87
30+
￥1.5753 ￥2.67
100+
￥1.4632 ￥2.48
500+
￥1.3924 ￥2.36
1000+
￥1.357 ￥2.3

有货

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型号：BSP315PH6327 编号：C136013

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,60V,1.17A,800mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.3
30+
￥2.04
100+
￥1.71
500+
￥1.56

有货

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型号：IRFZ48NPBF 编号：C9214

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,64A,14mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.41
50+
￥1.89
100+
￥1.57

有货

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型号：IRL1404ZPBF 编号：C520676

封装：TO-220F-3

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET功率MOSFET利用最新的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.37
30+
￥2.08
100+
￥1.71
500+
￥1.55
1000+
￥1.45

有货

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型号：IPD50R380CE 编号：C536786

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥3.13
30+
￥3.09
100+
￥3.05

有货

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型号：IPN60R600P7S 编号：C152668

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,10V,6A,600mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.59
30+
￥2.31
100+
￥1.96

有货

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型号：BSZ099N06LS5ATMA1 编号：C3279306

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥3.34
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.95

有货

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型号：IRF9335TRPBF 编号：C537846

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准SO-8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。多供应商兼容性。更环保。应用：笔记本电脑电池充电和放电开关。系统/负载开关

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.57

有货

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型号：BSZ084N08NS5 编号：C534680

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连提高了焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥3.36
30+
￥2.97
100+
￥2.59
500+
￥2.36

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型号：IRF7303TRPBF 编号：C148143

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道 30V 4.9A

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.42
30+
￥3.05
100+
￥2.68

有货

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型号：IRF100B202 编号：C148137

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 97A

数据手册

1+
￥4.19
10+
￥3.48
50+
￥3.07
100+
￥2.72
500+
￥2.51
1000+
￥2.4

有货

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型号：BSC0902NS 编号：C153230

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,24A,2.6mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.48
30+
￥3.09
100+
￥2.7

有货

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型号：IPP033N04NF2S 编号：C5359108

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥4.47
10+
￥4.01
50+
￥3.76
100+
￥3.47
500+
￥3.35

有货

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型号：BSZ065N06LS5ATMA1 编号：C6755420

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥4.53
10+
￥3.68
30+
￥3.26
100+
￥2.84

有货

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型号：BSZ0902NS 编号：C534687

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥4.5583 ￥5.77
10+
￥4.1475 ￥5.25
30+
￥3.9184 ￥4.96
100+
￥3.6656 ￥4.64
500+
￥3.5471 ￥4.49
1000+
￥3.4918 ￥4.42

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型号：IPG20N06S4L-26 编号：C112995

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道

数据手册

1+
￥4.62
10+
￥3.8
30+
￥3.38

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型号：IRF3205ZSTRLPBF 编号：C459959

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度以及改进的重复雪崩/降额性能。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

数据手册

1+
￥4.71
10+
￥3.86
30+
￥3.44
100+
￥2.66

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型号：BSO615N G 编号：C152448

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,60V,2.6A,0.15Ω@10V

数据手册

1+
￥4.73
10+
￥4.26
30+
￥4
100+
￥3.71
500+
￥3.58

有货

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型号：BSZ0901NS 编号：C534685

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.54
30+
￥4.25
100+
￥3.92
500+
￥3.77

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型号：BSC035N04LS G 编号：C386366

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC1标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.27
10+
￥4.19
30+
￥3.66
100+
￥3.12

有货

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型号：IPA70R360P7S 编号：C536413

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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