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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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N沟道,100V,9.7A,200mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥3.29
  • 10+

    ¥2.66
  • 50+

    ¥2.2
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.91
    • 30+

      ¥2.72
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.35
  • 有货
  • N沟道,Vdss=40V,Ic=75A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥2.61
    • 50+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.89
    • 500+

      ¥1.72
  • 有货
  • N沟道,55V,75A,6.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥2.93
    • 50+

      ¥2.56
    • 100+

      ¥2.18
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积(品质因数)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.75
    • 30+

      ¥3.7
    • 100+

      ¥3.64
  • 有货
  • N沟道,100V,16A,115mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.11
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.87
  • 有货
  • 特性:N-channel, logic level。非常低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。适用于高频开关和同步整流。低导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了资格认证。150℃ 工作温度。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.48
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.73
  • 有货
  • N沟道,40V,16A,5.9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.76
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.72
    • 100+

      ¥3.46
  • 有货
  • P沟道,-55V,-20A,170mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.24
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.52
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.56
  • 有货
  • P沟道 -30V -11A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.3
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.15
  • 有货
    • 1+

      ¥5.1328 ¥8.02
    • 10+

      ¥3.9906 ¥7.39
    • 50+

      ¥3.0756 ¥6.99
    • 100+

      ¥2.8996 ¥6.59
    • 500+

      ¥2.8204 ¥6.41
    • 1000+

      ¥2.7852 ¥6.33
  • 有货
  • N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.29
    • 10+

      ¥4.21
    • 30+

      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.13
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.84
    • 10+

      ¥4.74
    • 30+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.31
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss,降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
    • 1+

      ¥5.9
    • 10+

      ¥4.8
    • 30+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.7
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥6.21
    • 10+

      ¥5.1
    • 30+

      ¥4.49
    • 100+

      ¥3.8
    • 500+

      ¥3.5
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥6.64
    • 10+

      ¥5.44
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.24
  • 有货
  • N沟道 150V 50A
    数据手册
    • 1+

      ¥6.68
    • 10+

      ¥5.56
    • 30+

      ¥4.94
    • 100+

      ¥4.25
  • 有货
  • N沟道,900V,5.1A
    数据手册
    • 1+

      ¥6.83
    • 10+

      ¥5.66
    • 30+

      ¥5.02
    • 100+

      ¥4.14
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品
    • 1+

      ¥7.16
    • 10+

      ¥5.9
    • 30+

      ¥5.21
    • 100+

      ¥4.43
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥8.0192 ¥12.53
    • 10+

      ¥6.237 ¥11.55
    • 50+

      ¥4.8092 ¥10.93
    • 100+

      ¥4.532 ¥10.3
    • 500+

      ¥4.4088 ¥10.02
    • 1000+

      ¥4.356 ¥9.9
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化的技术。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥9.952 ¥15.55
    • 10+

      ¥8.0028 ¥14.82
    • 50+

      ¥6.3316 ¥14.39
    • 100+

      ¥6.138 ¥13.95
    • 500+

      ¥6.05 ¥13.75
    • 1000+

      ¥6.0104 ¥13.66
  • 有货
    • 1+

      ¥10.58
    • 10+

      ¥9.01
    • 30+

      ¥8.02
    • 100+

      ¥7.02
  • 有货
  • 特性:N 沟道,标准电平。出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流
    • 1+

      ¥10.88
    • 10+

      ¥9.26
    • 30+

      ¥8.26
    • 100+

      ¥7.22
  • 有货
  • 特性:P沟道。 正常电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色封装(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥10.89
    • 10+

      ¥9.23
    • 30+

      ¥8.2
    • 100+

      ¥7.13
  • 有货
  • N沟道,80V,90A,5.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.89
    • 10+

      ¥9.36
    • 30+

      ¥8.4
  • 有货
  • N沟道,Vdss=50V,Ic=95A
    数据手册
    • 1+

      ¥11.61
    • 10+

      ¥9.74
    • 25+

      ¥8.57
    • 100+

      ¥7.37
  • 有货
  • N沟道 100V 120A
    数据手册
    • 1+

      ¥12.32
    • 10+

      ¥10.65
    • 30+

      ¥9.61
  • 有货
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