英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPA60R120P7 编号：C536347

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。

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型号：IPL65R115CFD7AUMA1 编号：C3279349

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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型号：IPP110N20N3GXKSA1 编号：C672167

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

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型号：IPA052N08NM5S 编号：C536314

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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型号：BSC040N10NS5SC 编号：C534335

封装：SON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSC074N15NS5 编号：C534367

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。无铅负载电镀，符合BalUS标准。适用于高频开关和同步整流

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型号：IPB180N08S4-02 编号：C536574

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)

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型号：IRF100P218 编号：C537740

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。优化的反向恢复电荷Qrr。 175℃工作温度。根据JEDEC标准进行产品验证。针对分销合作伙伴的广泛供应进行了优化

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型号：IPB020N10N5LF 编号：C536484

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻 RDS(on)。宽安全工作区 SOA。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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￥30.6
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型号：IRF6614TRPBF 编号：C152359

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,12.7A,8.3mΩ@10V

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型号：BSS315PH6327XTSA1 编号：C3278604

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据AEC61249-2-21标准无卤

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￥0.7997
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型号：IRLML5103TRPBF 编号：C2591

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V

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型号：IRFTS9342TRPBF 编号：C538060

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准TSOP-6封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。多供应商兼容。更环保。可靠性更高。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

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￥1.6603
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￥1.2935
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型号：BSR315P H6327 编号：C534588

封装：SC-59-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。雪崩额定SC-59。无铅引脚涂层，符合RoHS标准。漏极引脚3。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥2.1229 ￥2.99
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型号：BSL202SNH6327 编号：C3279331

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。超级逻辑电平（额定 2.5V）。雪崩额定。dv/dt 额定。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 AEC Q101 认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

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￥2.4
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￥2.12
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型号：ISP26DP06NMS 编号：C538452

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥2.55
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型号：BSC093N04LSG 编号：C148252

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,13A,9.3mΩ@10V

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￥2.72
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型号：IPD090N03L G 编号：C536727

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀

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型号：IRF4104PBF 编号：C212027

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vdss=40V,Ic=75A

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￥3.36
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￥2.29
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￥1.89
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型号：IRFB3306GPBF 编号：C495811

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥3.381 ￥4.83
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￥2.592 ￥4.32
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￥2.035 ￥4.07
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￥1.835 ￥3.67
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￥1.795 ￥3.59

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型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥3.71
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￥2.98
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￥2.67
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￥2.28

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型号：IRF630NSTRLPBF 编号：C520651

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可

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￥4.02
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￥3.22
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￥2.82
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￥2.43

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型号：IRF100B202 编号：C148137

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 97A

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￥3.48
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￥3.07
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￥2.72
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￥2.51
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￥2.4

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型号：BSC019N04NS G 编号：C534303

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行了优化。根据JEDEC标准进行目标应用认证。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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