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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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特性:针对广泛应用进行优化。N沟道,正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准,无卤
  • 1+

    ¥4.47
  • 10+

    ¥4.01
  • 50+

    ¥3.76
  • 100+

    ¥3.47
  • 500+

    ¥3.35
  • 有货
  • MOS全桥
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥2.97
  • 有货
  • N沟道,30V,13A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.07
    • 10+

      ¥4.21
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.35
  • 有货
  • 特性:优化的同步场效应管,适用于高性能降压转换器。 集成单芯片类肖特基二极管。 极低导通电阻,在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.09
  • 有货
  • N沟道,40V,75A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.92
    • 50+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥4.1
  • 有货
    • 1+

      ¥5.84
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.47
    • 500+

      ¥3.12
    • 1000+

      ¥2.94
  • 有货
  • N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.14
    • 10+

      ¥5.11
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥3.663 ¥4.07
    • 500+

      ¥3.096 ¥3.44
    • 1000+

      ¥2.961 ¥3.29
  • 有货
  • N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.04
    • 10+

      ¥6.3
    • 30+

      ¥5.9
    • 100+

      ¥5.44
    • 500+

      ¥5.24
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥8.45
    • 10+

      ¥7.7
    • 30+

      ¥7.23
    • 100+

      ¥6.74
    • 500+

      ¥6.53
  • 有货
  • P沟道,60V,1.9A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.67
    • 10+

      ¥6.525 ¥7.25
    • 30+

      ¥5.176 ¥6.47
    • 100+

      ¥4.472 ¥5.59
    • 500+

      ¥4.16 ¥5.2
    • 1000+

      ¥4.016 ¥5.02
  • 有货
    • 1+

      ¥8.79
    • 10+

      ¥7.42
    • 30+

      ¥6.66
    • 100+

      ¥5.81
    • 500+

      ¥5.43
    • 800+

      ¥5.25
  • 有货
  • N沟道,800V,17A,290mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.46
    • 10+

      ¥8.87
    • 50+

      ¥7.34
    • 100+

      ¥6.36
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流
    • 1+

      ¥10.72
    • 10+

      ¥9.12
    • 30+

      ¥8.12
  • 有货
  • N沟道 100V 7.3A
    数据手册
    • 1+

      ¥11.27
    • 10+

      ¥9.56
    • 30+

      ¥8.49
    • 100+

      ¥4.6557 ¥7.39
    • 500+

      ¥4.347 ¥6.9
    • 1000+

      ¥4.2084 ¥6.68
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.38
    • 10+

      ¥12.34
    • 30+

      ¥9.66
    • 90+

      ¥8.35
    • 510+

      ¥7.76
    • 990+

      ¥7.5
  • 有货
  • N沟道,100V,180A,4.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥16.51
    • 10+

      ¥14
    • 30+

      ¥12.42
    • 100+

      ¥10.39
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥18.13
    • 10+

      ¥17.15
    • 30+

      ¥16.56
    • 100+

      ¥15.97
    • 500+

      ¥15.7
  • 有货
  • 最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能,650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥 (ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥19.53
    • 10+

      ¥18.47
    • 30+

      ¥17.84
    • 100+

      ¥17.2
  • 有货
  • 特性: TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用: 开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.5464 ¥36.88
    • 10+

      ¥13.6783 ¥31.81
    • 30+

      ¥9.504 ¥28.8
    • 100+

      ¥8.4975 ¥25.75
    • 500+

      ¥8.0322 ¥24.34
    • 1000+

      ¥7.8243 ¥23.71
  • 有货
    • 1+

      ¥22.23
    • 10+

      ¥19
    • 30+

      ¥17.09
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥32.29
    • 10+

      ¥30.62
    • 30+

      ¥29.6
    • 100+

      ¥28.75
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC合格。 MSL1高达260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥38.84
    • 10+

      ¥33.7
    • 30+

      ¥30.57
  • 有货
    • 1+

      ¥54.93
    • 10+

      ¥46.85
    • 30+

      ¥41.93
  • 有货
  • 特性:N-沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀。 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.502326 ¥0.7611
    • 50+

      ¥0.34104 ¥0.609
    • 150+

      ¥0.24518 ¥0.533
    • 500+

      ¥0.21896 ¥0.476
    • 3000+

      ¥0.197938 ¥0.4303
    • 6000+

      ¥0.18745 ¥0.4075
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6255
    • 50+

      ¥0.5062
    • 150+

      ¥0.4465
    • 500+

      ¥0.4017
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 雪崩额定。 符合AEC Q101标准。 100%无铅;符合RoHS标准,无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6566
    • 50+

      ¥0.5129
    • 150+

      ¥0.4411
    • 500+

      ¥0.3873
    • 2500+

      ¥0.3442
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅,符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2195 ¥2.71
    • 10+

      ¥0.756 ¥2.16
    • 30+

      ¥0.48 ¥1.92
    • 100+

      ¥0.4075 ¥1.63
    • 500+

      ¥0.3725 ¥1.49
    • 1000+

      ¥0.355 ¥1.42
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.368 ¥3.04
    • 10+

      ¥0.952 ¥2.72
    • 30+

      ¥0.64 ¥2.56
    • 100+

      ¥0.6025 ¥2.41
    • 500+

      ¥0.5775 ¥2.31
    • 1000+

      ¥0.565 ¥2.26
  • 有货
  • N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.43
    • 50+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.51
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.78
  • 有货
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