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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V
数据手册
  • 1+

    ¥5.661 ¥6.29
  • 10+

    ¥4.707 ¥5.23
  • 30+

    ¥4.23 ¥4.7
  • 100+

    ¥3.753 ¥4.17
  • 500+

    ¥3.177 ¥3.53
  • 1000+

    ¥3.024 ¥3.36
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1,最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥3.99
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.1
  • 有货
  • 特性:低栅极到漏极电荷,可降低开关损耗。 完全表征的电容,包括有效输出电容Coss,便于设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:高频DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.69
    • 30+

      ¥4.14
    • 100+

      ¥3.59
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,逻辑电平。 100%经过雪崩测试。 无铅镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥5.44
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.74
  • 有货
  • N沟道,40V,180A,3.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.15
    • 50+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.94
  • 有货
  • N沟道,150V,17A,95mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.59
    • 10+

      ¥5.54
    • 50+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥4.08
  • 有货
  • N沟道,55V,30A,14mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.61
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.68
    • 500+

      ¥3.25
    • 1000+

      ¥3.02
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.61
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥4.7
    • 100+

      ¥4.07
  • 有货
  • P沟道,60V,1.9A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
    • 10+

      ¥5.24
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥3.57
    • 500+

      ¥3.18
  • 有货
  • N沟道,75V,128A,5.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.91
    • 10+

      ¥5.7
    • 50+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.27
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥5.91
    • 30+

      ¥5.32
    • 100+

      ¥4.64
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥6.25
    • 30+

      ¥5.6
    • 100+

      ¥4.86
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.52
    • 10+

      ¥6.29
    • 30+

      ¥5.61
    • 100+

      ¥4.65
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥7.61
    • 10+

      ¥6.95
    • 30+

      ¥6.54
    • 100+

      ¥6.12
    • 500+

      ¥5.93
    • 1000+

      ¥5.85
  • 有货
  • 特性:N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1,最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥7.75
    • 10+

      ¥7.05
    • 30+

      ¥6.66
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥6.03
    • 1000+

      ¥5.95
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.74
    • 50+

      ¥6.02
    • 100+

      ¥5.1058 ¥5.21
    • 500+

      ¥4.753 ¥4.85
    • 1000+

      ¥4.5962 ¥4.69
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥8.58
    • 10+

      ¥7.84
    • 30+

      ¥7.38
    • 100+

      ¥6.9
    • 500+

      ¥6.69
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥8.8963 ¥12.53
    • 10+

      ¥7.0455 ¥11.55
    • 50+

      ¥5.5743 ¥10.93
    • 100+

      ¥5.253 ¥10.3
    • 500+

      ¥5.1102 ¥10.02
    • 1000+

      ¥5.049 ¥9.9
  • 有货
  • P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.18
    • 10+

      ¥7.57
    • 30+

      ¥6.77
    • 100+

      ¥5.97
  • 有货
  • 塑封
    数据手册
    • 1+

      ¥9.99
    • 10+

      ¥8.4
    • 50+

      ¥7.41
    • 100+

      ¥6.39
  • 有货
  • N沟道,200V,13A,235mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.29
    • 10+

      ¥8.33
    • 30+

      ¥7.34
    • 100+

      ¥6.37
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 极低的导通电阻。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥10.48
    • 10+

      ¥8.6
    • 50+

      ¥6.8
    • 100+

      ¥5.63
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥10.74
    • 10+

      ¥9
    • 30+

      ¥8.05
    • 100+

      ¥6.97
  • 有货
  • 特性:新的革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 超低栅极电荷。应用:具有高直流母线电压的工业应用。 开关应用(如有源钳位正激)
    数据手册
    • 1+

      ¥11.22
    • 10+

      ¥9.47
    • 50+

      ¥8.37
    • 100+

      ¥7.25
  • 有货
  • N沟道 100V 120A
    数据手册
    • 1+

      ¥12.75
    • 10+

      ¥10.78
    • 30+

      ¥9.69
    • 100+

      ¥6.51
  • 有货
  • N沟道,200V,34A,32mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥15.4
    • 10+

      ¥12.99
    • 30+

      ¥11.48
    • 100+

      ¥9.93
    • 500+

      ¥9.24
  • 有货
  • 特性:低RDS(ON)降低损耗。 低栅极电荷改善开关性能。 改善二极管恢复性能,提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。 完全表征雪崩SOA。应用:运动控制应用。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥15.6
    • 10+

      ¥13.27
    • 30+

      ¥11.81
    • 100+

      ¥9.08
  • 有货
  • 专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.77
    • 10+

      ¥13.52
    • 50+

      ¥12.11
    • 100+

      ¥10.66
  • 有货
  • 特性:RoHS 合规,无卤。 无铅(最高 260℃ 回流焊合格)。 适用于高性能隔离式转换器初级开关插座。 针对同步整流进行优化。 低传导损耗。 高 Cdv/dt 抗扰度。应用:高性能隔离式转换器初级开关插座。 同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.92
    • 30+

      ¥12.46
    • 100+

      ¥10.98
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)和改善的关断行为,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时不牺牲设计过程中的易实现性
    数据手册
    • 1+

      ¥17.848 ¥18.4
    • 10+

      ¥15.5991 ¥17.93
    • 30+

      ¥13.5674 ¥17.62
    • 100+

      ¥13.321 ¥17.3
  • 有货
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