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1个N沟道耐压:60V 电流:148A

型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824

封装：MG-WDSON-9

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

数据手册

1+
￥17.07
10+
￥16.17
30+
￥15.63
100+
￥15.08

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:31A

型号：IPW60R120C7 编号：C537466

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥17.81
30+
￥17.21
240+
￥16.61
480+
￥16.33

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:14A

型号：IPL60R115CFD7 编号：C537022

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改善的关断行为，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

数据手册

1+
￥19.368 ￥21.52
10+
￥16.84 ￥21.05
30+
￥14.518 ￥20.74
100+
￥14.301 ￥20.43

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:11A

型号：SPA11N80C3 编号：C152363

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,11A,450mΩ@10V

数据手册

1+
￥22.47
10+
￥19.08
50+
￥17.06

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:217A

型号：IPB024N10N5 编号：C536487

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.2
30+
￥18.97
100+
￥16.73

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:345A

型号：IRF7749L1TRPBF 编号：C520641

封装：DirectFET-L8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：RoHS 合规，无卤。无铅（最高 260℃ 回流焊合格）。适用于高性能隔离式转换器初级开关插座。针对同步整流进行优化。低传导损耗。高 Cdv/dt 抗扰度。应用：高性能隔离式转换器初级开关插座。同步整流

数据手册

1+
￥26.21
10+
￥22.4
30+
￥20.14

有货

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650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥27.79
10+
￥23.55
30+
￥21.03
90+
￥18.48

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:180A

型号：IPB180N08S4-02 编号：C536574

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)

数据手册

1+
￥27.82
10+
￥26.49
30+
￥25.68
100+
￥25

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:50A

型号：IPW65R041CFD7XKSA1 编号：C3278907

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性

1+
￥29.54
10+
￥25.26
30+
￥22.71

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:256A

型号：IPB017N10N5LFATMA1 编号：C3289286

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥31.81
10+
￥27.34
30+
￥24.68

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53A

型号：IPW60R070C6 编号：C454262

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥36.91
10+
￥31.94
30+
￥28.99
90+
￥26

有货

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600V 20A

型号：SPW20N60S5 编号：C539323

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥41.05
10+
￥35.05
30+
￥31.4
100+
￥28.33

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:55A

型号：IRF6614TRPBF 编号：C152359

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,12.7A,8.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥62.29
10+
￥61.39
30+
￥59.83

有货

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BSC033N08NS5SCATMA1

型号：BSC033N08NS5SCATMA1 编号：C20189654

封装：WSON-8-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥78.75
10+
￥68.32
30+
￥61.97
100+
￥56.64

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:0.54A

型号：BSS670S2L H6327 编号：C151529

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.625512 ￥0.9336
50+
￥0.42579 ￥0.747
150+
￥0.307239 ￥0.6537
500+
￥0.274386 ￥0.5838
3000+
￥0.248066 ￥0.5278
6000+
￥0.234906 ￥0.4998

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：BSS806NEH6327 编号：C91714

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。 ESD保护。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

数据手册

5+
￥0.8282
50+
￥0.6605
150+
￥0.5766
500+
￥0.5138

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.5A

型号：BSS214NH6327 编号：C150915

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,1.5A,140mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.9034
50+
￥0.7407
150+
￥0.6593
500+
￥0.5983

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3.2A

型号：BSS606NH6327 编号：C151515

封装：SOT-89

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.1666
50+
￥0.9296
150+
￥0.8281
1000+
￥0.7014

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRFTS9342TRPBF 编号：C538060

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准TSOP-6封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。多供应商兼容。更环保。可靠性更高。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

数据手册

5+
￥1.4154
50+
￥1.1055
150+
￥0.9726
500+
￥0.8069
3000+
￥0.7331
6000+
￥0.6888

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.12A

型号：BSP125H6327 编号：C123756

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道,Vds=600V,Id=0.12A

数据手册

5+
￥2.2797
50+
￥1.7671
150+
￥1.5474

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:7.5A

型号：BSL202SNH6327 编号：C3279331

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。超级逻辑电平（额定 2.5V）。雪崩额定。dv/dt 额定。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 AEC Q101 认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥2.37
10+
￥2.09
30+
￥1.95
100+
￥1.82
500+
￥1.73
1000+
￥1.69

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：BSL207SP H6327 编号：C520636

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150℃。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.435 ￥4.87
10+
￥1.616 ￥4.04
30+
￥1.086 ￥3.62
100+
￥0.96 ￥3.2
500+
￥0.885 ￥2.95
1000+
￥0.849 ￥2.83

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：IRFR220NTRLPBF 编号：C537955

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频直流-直流转换器。电信48V输入正激转换器

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥2.11
30+
￥1.89
100+
￥1.61
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.9A

型号：ISP25DP06NM 编号：C538451

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.664 ￥3.7
10+
￥2.0522 ￥3.31
30+
￥1.6224 ￥3.12
100+
￥1.5236 ￥2.93
500+
￥1.4612 ￥2.81
1000+
￥1.43 ￥2.75

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.6A

型号：IRF7205TRPBF 编号：C55419

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

大电流MOS管

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.18
30+
￥1.93
100+
￥1.61
500+
￥1.32

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:1.9A

型号：IRF7465TRPBF 编号：C150561

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟 150V 1.9A

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.51
30+
￥2.34
100+
￥2.17
500+
￥2.07
1000+
￥2.01

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1.2A

型号：BSP296NH6327 编号：C3288808

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。符合AEC Q101标准。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.93
10+
￥2.34
30+
￥2.08
100+
￥1.77
500+
￥1.62

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:98A

型号：BSC032N04LS 编号：C194147

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,98A,3.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥2.55
30+
￥2.22
100+
￥1.9

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:17A

型号：IRLU024NPBF 编号：C3024

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,65mΩ@10V，75/管

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥2.97
30+
￥2.63
75+
￥2.01

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:97A

型号：IRF100B202 编号：C148137

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 97A

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.56
50+
￥3.1
100+
￥2.7
500+
￥2.47
1000+
￥2.34

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