英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SN7002N H6433 编号：C539275

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

5+
￥0.356608 ￥0.5572
50+
￥0.26649 ￥0.4935
150+
￥0.203148 ￥0.4617
500+
￥0.192676 ￥0.4379
2500+
￥0.184272 ￥0.4188
5000+
￥0.180048 ￥0.4092

有货

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型号：IRLML9303TRPBF 编号：C82055

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V

数据手册

5+
￥0.7902
50+
￥0.6206
150+
￥0.5358
500+
￥0.4722

有货

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型号：IRLML6346TRPBF 编号：C67276

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,3.4A,63mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.9568
50+
￥0.7921
150+
￥0.7098
500+
￥0.6481

有货

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型号：BSS139H6327 编号：C2998039

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。卷轴上带有VGS(th)指示器。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。根据AEC Q101认证

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5+
￥1.1226
50+
￥0.8908
150+
￥0.7914

有货

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型号：ISP25DP06LMS 编号：C538450

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥1.9968 ￥3.12
10+
￥1.5066 ￥2.79
30+
￥1.1572 ￥2.63
100+
￥1.0868 ￥2.47
500+
￥1.0428 ￥2.37
1000+
￥1.0208 ￥2.32

有货

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型号：IRLMS6802TRPBF 编号：C43184

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

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1+
￥2.91
10+
￥2.35
30+
￥2.11
100+
￥1.8

有货

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型号：IRFR3410TRLPBF 编号：C537964

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器。无铅

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1+
￥3.657 ￥6.9
10+
￥2.4811 ￥5.77
30+
￥1.6995 ￥5.15
100+
￥1.4652 ￥4.44
500+
￥1.3629 ￥4.13
1000+
￥1.3167 ￥3.99

有货

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型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥4.0828 ￥6.92
10+
￥3.0821 ￥6.29
50+
￥2.3205 ￥5.95
100+
￥2.1684 ￥5.56
500+
￥2.0982 ￥5.38
1000+
￥2.0709 ￥5.31

有货

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型号：IRLR2705TRPBF 编号：C538165

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极为高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥4.28
10+
￥3.59
30+
￥3.25
100+
￥2.9

有货

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型号：BSS169H6906XTSA1 编号：C3278605

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥5.24
10+
￥4.3
30+
￥3.84
100+
￥3.37
500+
￥3.1
1000+
￥2.95

有货

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型号：IRLZ34NPBF 编号：C513144

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选

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1+
￥5.27
10+
￥4.28
50+
￥3.47
100+
￥2.98
500+
￥2.68

有货

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型号：IPG20N04S4-09 编号：C536929

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道正常电平增强模式。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥5.36
10+
￥4.82
30+
￥4.53
100+
￥4.19
500+
￥4.04

有货

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型号：IPA70R360P7S 编号：C536413

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥5.4
10+
￥4.089 ￥4.35
50+
￥3.2172 ￥3.83
100+
￥2.7804 ￥3.31
500+
￥2.52 ￥3
1000+
￥2.3856 ￥2.84

有货

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型号：IAUC100N04S6N022 编号：C535695

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平-AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥5.66
10+
￥4.54
30+
￥3.98
100+
￥3.42

有货

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型号：IRFZ44NSTRLPBF 编号：C58228

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

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1+
￥6.1
10+
￥5.01
30+
￥4.47
100+
￥3.93

有货

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型号：BSC047N08NS3G 编号：C501500

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥6.3726 ￥11.18
10+
￥4.8833 ￥10.39
30+
￥3.663 ￥9.9
100+
￥3.2486 ￥8.78
500+
￥3.1635 ￥8.55
1000+
￥3.1265 ￥8.45

有货

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型号：IAUCN04S7L028ATMA1 编号：C29536843

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。逻辑电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

1+
￥6.64
10+
￥5.44
30+
￥4.83
100+
￥4.24

有货

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型号：IRLR3915TRPBF 编号：C66853

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,30A,14mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.63
30+
￥5.03
100+
￥4.44
500+
￥4.08

有货

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型号：IPA60R190P6 编号：C536362

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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1+
￥7.23
10+
￥6
50+
￥5.33
100+
￥4.57

有货

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型号：IRL540NSTRLPBF 编号：C513158

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片

数据手册

1+
￥8.3
10+
￥6.89
30+
￥6.12
100+
￥5.25
500+
￥4.86

有货

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型号：IPP062NE7N3 G 编号：C537143

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化同步整流技术。适用于高频开关和DC/DC转换器。出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准，无卤素。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥8.32 ￥13
10+
￥6.4692 ￥11.98
50+
￥4.9896 ￥11.34
100+
￥4.7036 ￥10.69
500+
￥4.5716 ￥10.39
1000+
￥4.5144 ￥10.26

有货

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型号：IRFB4310PBF 编号：C454255

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.1
10+
￥7.83
50+
￥7.04
100+
￥6.23

有货

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型号：IPP052N08N5 编号：C537137

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.2032 ￥14.38
10+
￥7.1604 ￥13.26
50+
￥5.522 ￥12.55
100+
￥5.2052 ￥11.83
500+
￥5.06 ￥11.5
1000+
￥4.9984 ￥11.36

有货

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型号：IRFB4615PBF 编号：C537864

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.76
10+
￥8.55
50+
￥6.85
100+
￥6.1

有货

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型号：IPD80R600P7 编号：C536890

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于超过18年超结技术的开创性创新。

数据手册

1+
￥10.21
10+
￥8.59
30+
￥7.7
100+
￥6.06

有货

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型号：SPP17N80C3 编号：C36789

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.46
10+
￥8.87
50+
￥7.34
100+
￥6.36

有货

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型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824

封装：MG-WDSON-9

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

数据手册

1+
￥17.07
10+
￥16.17
30+
￥15.63
100+
￥15.08

有货

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型号：IPW60R120C7 编号：C537466

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥17.81
30+
￥17.21
240+
￥16.61
480+
￥16.33

有货

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型号：IPL60R115CFD7 编号：C537022

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改善的关断行为，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

数据手册

1+
￥19.368 ￥21.52
10+
￥16.84 ￥21.05
30+
￥14.518 ￥20.74
100+
￥14.301 ￥20.43

有货

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型号：SPA11N80C3 编号：C152363

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,11A,450mΩ@10V

数据手册

1+
￥22.47
10+
￥19.08
50+
￥17.06

有货

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