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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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描述
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1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
型号：SPA11N80C3 编号：C152363
封装：TO-220-3
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,800V,11A,450mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥22.59

  • 10+

    ￥19.21

  • 50+

    ￥17.19

  • 100+

    ￥15.15
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:81A 电流:18A
    型号：IRF6636TRPBF 编号：C537787
    封装：MG-WDSON-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥57.03

    • 10+

      ￥49.21

    • 30+

      ￥44.45

    • 100+

      ￥40.45
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V
    型号：IPT65R040CFD7XTMA1 编号：C3291319
    封装：TOLL-8L
    品牌：Infineon(英飞凌)
    最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

    • 1+

      ￥63.6

    • 10+

      ￥54.37

    • 30+

      ￥48.74
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：BSS816NWH6327 编号：C2939944
    封装：SOT-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 超逻辑电平（额定1.8V）。 雪崩额定值。 根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6264

    • 50+

      ￥0.5135

    • 150+

      ￥0.457

    • 500+

      ￥0.4147
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
    型号：BSS316NH6327 编号：C128893
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6284

    • 50+

      ￥0.5084

    • 150+

      ￥0.4484

    • 500+

      ￥0.4034
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.78A
    型号：IRLML6302TRPBF 编号：C24097
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-0.78A,600mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6751

    • 50+

      ￥0.5478

    • 150+

      ￥0.4842
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
    型号：BSS214NH6327 编号：C150915
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,1.5A,140mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7085

    • 50+

      ￥0.5727

    • 150+

      ￥0.5048

    • 500+

      ￥0.4538
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
    型号：BSS126IXTSA1 编号：C3288820
    封装：SOT-23-3-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。耗尽模式。dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

    • 5+

      ￥0.9684

    • 50+

      ￥0.7617

    • 150+

      ￥0.6731

    • 500+

      ￥0.5626
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3.2A
    型号：BSS606NH6327 编号：C151515
    封装：SOT-89
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1565

    • 50+

      ￥0.9196

    • 150+

      ￥0.8181
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:86A
    型号：IRLR8726TRLPBF 编号：C67280
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3162

    • 50+

      ￥1.0491

    • 150+

      ￥0.9346
  • 有货
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    耐压:30V 电流:63A
    型号：BSC0906NS 编号：C534384
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6129

    • 50+

      ￥1.2597

    • 150+

      ￥1.1084

    • 500+

      ￥0.9195
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.36A
    型号：BSR316P H6327 编号：C534589
    封装：SC-59-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥1.96

    • 10+

      ￥1.73

    • 30+

      ￥1.63

    • 100+

      ￥1.5

    • 500+

      ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.42
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
    型号：BSL606SNH6327XTSA1 编号：C3279330
    封装：TSOP-6-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；无卤；符合RoHS标准

    • 1+

      ￥2.77

    • 10+

      ￥2.18

    • 30+

      ￥1.93

    • 100+

      ￥1.62

    • 500+

      ￥1.41
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
    型号：BSZ440N10NS3G 编号：C476115
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥2.78

    • 10+

      ￥2.22

    • 30+

      ￥1.99

    • 100+

      ￥1.69

    • 500+

      ￥1.56
  • 有货
    • 立即购买
    SIPMos小信号晶体管
    型号：BSP613PH6327 编号：C534578
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 适用于快速开关降压转换器。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.08

    • 10+

      ￥2.39

    • 30+

      ￥2.09

    • 100+

      ￥1.72

    • 500+

      ￥1.56
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:29A
    型号：IPD350N06LGBTMA1 编号：C3289137
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。 工作温度175℃。 雪崩额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准

    • 1+

      ￥3.141 ￥3.49

    • 10+

      ￥2.826 ￥3.14

    • 30+

      ￥2.673 ￥2.97

    • 100+

      ￥2.52 ￥2.8

    • 500+

      ￥2.475 ￥2.75

    • 1000+

      ￥2.421 ￥2.69
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:700V 电流:10.1A
    型号：IPD65R650CE 编号：C459168
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.4034 ￥3.74

    • 10+

      ￥2.4624 ￥3.04

    • 30+

      ￥1.917 ￥2.7

    • 100+

      ￥1.6756 ￥2.36

    • 500+

      ￥1.5265 ￥2.15

    • 1000+

      ￥1.4555 ￥2.05
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
    型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对直流-直流转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥3.46

    • 10+

      ￥2.73

    • 30+

      ￥2.41

    • 100+

      ￥2.02

    • 500+

      ￥1.85
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
    型号：IRFR3410TRLPBF 编号：C537964
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低栅极到漏极电荷，以降低开关损耗。 完全表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器。 无铅
    数据手册

    • 1+

      ￥4.14 ￥6.9

    • 10+

      ￥2.885 ￥5.77

    • 30+

      ￥2.06 ￥5.15

    • 100+

      ￥1.776 ￥4.44

    • 500+

      ￥1.652 ￥4.13

    • 1000+

      ￥1.596 ￥3.99
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:43A
    型号：IPD180N10N3GATMA1 编号：C3279048
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

    • 1+

      ￥4.38

    • 10+

      ￥3.85

    • 30+

      ￥3.59

    • 100+

      ￥3.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
    型号：IRFB3306PBF 编号：C2643
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.39

    • 10+

      ￥3.65

    • 50+

      ￥2.82

    • 100+

      ￥2.46
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC020N03LS G 编号：C386344
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥4.64

    • 10+

      ￥4.1

    • 30+

      ￥3.84

    • 100+

      ￥3.57

    • 500+

      ￥3.41

    • 1000+

      ￥3.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V
    型号：IPD30N06S4L-23 编号：C536754
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥4.6534 ￥8.78

    • 10+

      ￥3.1562 ￥7.34

    • 30+

      ￥2.1615 ￥6.55

    • 100+

      ￥1.8678 ￥5.66

    • 500+

      ￥1.7358 ￥5.26

    • 1000+

      ￥1.6764 ￥5.08
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 电流:15.1A
    型号：IPA65R400CE 编号：C501513
    封装：TO-220F
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势
    数据手册

    • 1+

      ￥4.69

    • 10+

      ￥3.81

    • 50+

      ￥3.36

    • 100+

      ￥2.93
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：BSZ028N04LS 编号：C534649
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在 VDS 为 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤素。 扩大源极互连，提高焊点可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥4.83

    • 10+

      ￥4.35

    • 30+

      ￥4.09

    • 100+

      ￥3.79

    • 500+

      ￥3.66
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：IRLB8743PBF 编号：C219748
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的导通电阻RDS(on)，在VGS为4.5V时。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用：针对UPS/逆变器应用进行优化。 用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器

    • 1+

      ￥4.858 ￥6.94

    • 10+

      ￥3.786 ￥6.31

    • 50+

      ￥2.98 ￥5.96

    • 100+

      ￥2.785 ￥5.57

    • 500+

      ￥2.7 ￥5.4

    • 1000+

      ￥2.66 ￥5.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:202A
    型号：IRF1404PBF 编号：C9204
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,202A,4mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF7413TRPBF 编号：C2998
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,13A,11mΩ@10V
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
    型号：IRF7317TRPBF 编号：C454608
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制的引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可以在应用中使用，大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:63A
    型号：IRLR3110ZTRPBF 编号：C67277
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V
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