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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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P沟道 -40V -50A
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  • 1+

    ¥5.74
  • 10+

    ¥4.58
  • 30+

    ¥4
  • 100+

    ¥3.43
  • 500+

    ¥3.08
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 为直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.93
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.12
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.68
  • 有货
  • N沟道,40V,180A,3.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.22
    • 10+

      ¥4.95
    • 50+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥3.69
    • 500+

      ¥3.31
  • 有货
  • 特性:双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1,最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2559 ¥9.93
    • 10+

      ¥4.8495 ¥9.15
    • 30+

      ¥3.7238 ¥8.66
    • 100+

      ¥3.5088 ¥8.16
    • 500+

      ¥3.4142 ¥7.94
    • 1000+

      ¥3.3712 ¥7.84
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.8
    • 50+

      ¥5.43
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.83
  • 有货
  • N沟道,100V,33A,52mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.6
    • 10+

      ¥5.48
    • 25+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.17
  • 有货
    • 1+

      ¥6.69
    • 10+

      ¥6.01
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥5.23
    • 500+

      ¥5.04
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1,最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    • 1+

      ¥7.14
    • 10+

      ¥6.01
    • 30+

      ¥5.45
    • 100+

      ¥4.89
    • 500+

      ¥4.55
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.19
    • 10+

      ¥6
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.61
  • 有货
  • 最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性完美结合,这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
    • 1+

      ¥8.1
    • 10+

      ¥6.66
    • 30+

      ¥5.87
    • 100+

      ¥4.98
    • 500+

      ¥4.58
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥8.46
    • 10+

      ¥7.72
    • 30+

      ¥7.26
    • 100+

      ¥6.79
    • 500+

      ¥6.57
  • 有货
  • 专为汽车应用设计,双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起,使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力,使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间,也有卷带包装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.32
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.43
    • 500+

      ¥4.98
  • 有货
  • N沟道,250V,120A,29mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.99
    • 10+

      ¥7.36
    • 50+

      ¥6.47
    • 100+

      ¥5.46
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥9.08
    • 10+

      ¥7.69
    • 30+

      ¥6.92
    • 100+

      ¥6.06
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥9.13
    • 10+

      ¥7.16
    • 30+

      ¥6.07
    • 100+

      ¥4.84
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥9.75
    • 10+

      ¥8.9
    • 30+

      ¥8.37
    • 100+

      ¥7.82
    • 500+

      ¥7.58
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道,正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥9.952 ¥15.55
    • 10+

      ¥7.7382 ¥14.33
    • 50+

      ¥5.9708 ¥13.57
    • 100+

      ¥5.6276 ¥12.79
    • 500+

      ¥5.4736 ¥12.44
    • 1000+

      ¥5.4032 ¥12.28
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
    数据手册
    • 1+

      ¥10.1312 ¥15.83
    • 10+

      ¥8.1486 ¥15.09
    • 50+

      ¥6.4416 ¥14.64
    • 100+

      ¥6.248 ¥14.2
    • 500+

      ¥6.1556 ¥13.99
    • 1000+

      ¥6.116 ¥13.9
  • 有货
    • 1+

      ¥11.34
    • 10+

      ¥10.33
    • 30+

      ¥9.71
    • 100+

      ¥9.06
    • 500+

      ¥8.77
  • 有货
  • N沟道,100V,42A,36mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.52
    • 10+

      ¥9.87
    • 25+

      ¥7.53
    • 100+

      ¥6.47
    • 400+

      ¥5.99
  • 有货
  • N沟道,200V,94A,23mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.8
    • 10+

      ¥10.74
    • 25+

      ¥9.44
    • 100+

      ¥8.12
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    • 1+

      ¥13.56
    • 10+

      ¥11.59
    • 30+

      ¥10.35
    • 100+

      ¥9.09
    • 500+

      ¥8.52
    • 1000+

      ¥8.27
  • 有货
  • 该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.8
    • 10+

      ¥11.59
    • 30+

      ¥10.2
    • 100+

      ¥8.79
    • 500+

      ¥8.15
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度175°C。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥15.05
    • 10+

      ¥13
    • 30+

      ¥11.73
    • 100+

      ¥10.08
  • 有货
    • 1+

      ¥16.14
    • 10+

      ¥13.58
    • 30+

      ¥11.97
    • 100+

      ¥10.33
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 额定温度175℃。 符合JEDEC47/20/22相关测试,适用于工业应用
    数据手册
    • 1+

      ¥20.29
    • 10+

      ¥17.33
    • 30+

      ¥15.49
    • 100+

      ¥13.59
  • 有货
    • 1+

      ¥21.05
    • 10+

      ¥17.88
    • 30+

      ¥15.99
    • 100+

      ¥14.08
    • 500+

      ¥13.2
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥21.91
    • 10+

      ¥18.58
    • 50+

      ¥16.6
    • 100+

      ¥14.6
    • 500+

      ¥13.67
  • 有货
  • IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合,在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时,DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大程度提高电源系统的热传递效率
    数据手册
    • 1+

      ¥22.04
    • 10+

      ¥20.87
    • 30+

      ¥20.17
    • 100+

      ¥19.46
    • 500+

      ¥19.14
  • 有货
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