英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SPW20N60S5 编号：C539323

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥49.97
10+
￥42.67
30+
￥38.22
100+
￥34.49

有货

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型号：IPW60R055CFD7XKSA1 编号：C6211003

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥56.43
10+
￥49.65
30+
￥45.51

有货

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型号：IRLTS6342TRPBF 编号：C152628

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,8.3A,17.5mΩ@4.5V

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5+
￥0.8284
50+
￥0.6604
150+
￥0.5763
500+
￥0.5133
3000+
￥0.4629
6000+
￥0.4377

有货

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型号：BSS159N H6327 编号：C534606

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。耗尽模式。dv/dt额定。卷轴上带有VGS(th)指示器。根据AEC Q101标准认证。100%无铅；无卤素，符合RoHS标准

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5+
￥1.2422
50+
￥0.9781
150+
￥0.865
500+
￥0.7237

有货

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型号：IPU60R2K1CE 编号：C476112

封装：TO-251

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。

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1+
￥2.1924 ￥2.61
10+
￥1.932 ￥2.3
30+
￥1.8228 ￥2.17
75+
￥1.6884 ￥2.01
525+
￥1.6296 ￥1.94
975+
￥1.5876 ￥1.89

有货

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型号：BSP125H6327 编号：C123756

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道,Vds=600V,Id=0.12A

数据手册

5+
￥2.3201
50+
￥1.8311
150+
￥1.6216
1000+
￥1.3601

有货

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型号：IPD220N06L3 G 编号：C536741

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥2.9896 ￥4.04
10+
￥2.6936 ￥3.64
30+
￥2.5456 ￥3.44
100+
￥2.3976 ￥3.24
500+
￥2.3088 ￥3.12
1000+
￥2.2644 ￥3.06

有货

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型号：IRLR2905ZTRPBF 编号：C68209

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.49
30+
￥2.2
100+
￥1.84
500+
￥1.69

有货

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型号：IRFB7440PBF 编号：C48044

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.69
50+
￥2.29
100+
￥1.93
500+
￥1.77

有货

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型号：BSZ086P03NS3G 编号：C459171

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用S308封装，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

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1+
￥3.47
10+
￥2.77
30+
￥2.47
100+
￥2.1
500+
￥1.81

有货

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型号：IRFR4104TRPBF 编号：C513166

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥4.41 ￥5.25
10+
￥3.5372 ￥4.78
30+
￥2.8864 ￥4.51
100+
￥2.7008 ￥4.22
500+
￥2.6176 ￥4.09
1000+
￥2.5792 ￥4.03

有货

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型号：BSC050NE2LS 编号：C386367

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。具有出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥4.473 ￥4.97
10+
￥3.28 ￥4.1
30+
￥2.569 ￥3.67
100+
￥2.268 ￥3.24
500+
￥2.093 ￥2.99
1000+
￥2.002 ￥2.86

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型号：IRF100B201 编号：C152185

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V

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1+
￥4.57
10+
￥3.71
50+
￥3.29
100+
￥2.86
500+
￥2.61
1000+
￥2.48

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型号：IPC100N04S5L-2R6 编号：C536698

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。 100%雪崩测试

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1+
￥4.66
10+
￥4.12
30+
￥3.85
100+
￥3.59
500+
￥3.43
1000+
￥3.35

有货

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型号：BSZ075N08NS5 编号：C534679

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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1+
￥4.93
10+
￥4.02
30+
￥3.56
100+
￥3.1

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型号：IRF1407PBF 编号：C2609

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V

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1+
￥5.11
10+
￥4.09
50+
￥3.58
100+
￥3.07

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型号：IPD053N06N 编号：C536719

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥6.3
10+
￥5.67
30+
￥5.33
100+
￥4.94
500+
￥4.76
1000+
￥4.69

有货

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型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。集成单片肖特基类二极管。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥7
10+
￥5.73
30+
￥5.1

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型号：IPB19DP10NMATMA1 编号：C3279152

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21无卤

1+
￥7.38
10+
￥6.74
30+
￥6.34
100+
￥5.94
500+
￥5.75

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型号：IPD60R650CE 编号：C536836

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

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1+
￥8.23
10+
￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42
1000+
￥6.33

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型号：AUIRF7341QTR 编号：C533278

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间，也有卷带包装形式。

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