英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLML6346TRPBF 编号：C67276

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,3.4A,63mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.853
50+
￥0.6903
150+
￥0.6089
500+
￥0.5479

有货

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型号：IRFL4315TRPBF 编号：C537930

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。全面表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。全面表征的雪崩电压和电流。无铅。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.6325
50+
￥1.287
150+
￥1.1389
500+
￥0.9542

有货

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型号：IPD60R1K5CE 编号：C536807

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥1.976 ￥3.04
10+
￥1.768 ￥2.72
30+
￥1.664 ￥2.56
100+
￥1.5665 ￥2.41
500+
￥1.5015 ￥2.31
1000+
￥1.469 ￥2.26

有货

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型号：ISP25DP06LMS 编号：C538450

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.2152 ￥3.12
10+
￥1.7019 ￥2.79
30+
￥1.3413 ￥2.63
100+
￥1.2597 ￥2.47
500+
￥1.2087 ￥2.37
1000+
￥1.1832 ￥2.32

有货

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型号：IPD50N04S4-08 编号：C536772

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥3.1756 ￥4.67
10+
￥2.584 ￥3.8
30+
￥2.2916 ￥3.37
100+
￥1.9992 ￥2.94
500+
￥1.8292 ￥2.69
1000+
￥1.7408 ￥2.56

有货

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型号：IRF520NPBF 编号：C2598

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,9.7A,200mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.55
50+
￥2.08
100+
￥1.75
500+
￥1.6
1000+
￥1.51

有货

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥3.14
30+
￥2.97
100+
￥2.81
500+
￥2.13

有货

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型号：IRF3205ZPBF 编号：C2612

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,75A,6.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.1
50+
￥2.7
100+
￥2.31
500+
￥2.07

有货

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型号：IPD25N06S4L-30 编号：C499459

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 25A

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.43
30+
￥3
100+
￥2.47
500+
￥2.23

有货

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型号：IRFH5301TRPBF 编号：C82057

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,100A,1.85mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.83
10+
￥3.98
30+
￥3.56
100+
￥3.14
500+
￥2.66

有货

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型号：IRFR2405TRPBF 编号：C70333

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,56A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥3.99
30+
￥3.49
100+
￥2.99
500+
￥2.7

有货

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型号：IPD036N04L G 编号：C152354

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,90A,3.6mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.21
10+
￥4.98
30+
￥4.36
100+
￥3.75
500+
￥3.39

有货

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型号：IRF7820TRPBF 编号：C537832

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥6.3
10+
￥5.13
30+
￥4.55
100+
￥3.97
500+
￥3.63
1000+
￥3.45

有货

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型号：IRFP9140NPBF 编号：C2685

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.59
25+
￥4.95
100+
￥4.31

有货

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型号：BSZ123N08NS3G 编号：C152364

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,12.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.85
10+
￥6.43
30+
￥5.65
100+
￥4.77
500+
￥4.38

有货

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型号：IRFB4332PBF 编号：C19941

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,120A,29mΩ@10V

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1+
￥8.34
10+
￥6.83
50+
￥6
100+
￥5.06

有货

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型号：IPP062NE7N3 G 编号：C537143

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化同步整流技术。适用于高频开关和DC/DC转换器。出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准，无卤素。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥9.23 ￥13
10+
￥7.3078 ￥11.98
50+
￥5.7834 ￥11.34
100+
￥5.4519 ￥10.69
500+
￥5.2989 ￥10.39
1000+
￥5.2326 ￥10.26

有货

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型号：IPI024N06N3 G 编号：C536958

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.5495 ￥13.45
10+
￥7.7592 ￥12.72
50+
￥6.2679 ￥12.29
100+
￥6.0435 ￥11.85
500+
￥5.9364 ￥11.64
1000+
￥5.8905 ￥11.55

有货

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型号：IPD038N06N3G 编号：C83342

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.73
10+
￥7.97
30+
￥7
100+
￥5.9
500+
￥5.42

有货

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型号：IPB018N06NF2S 编号：C5359109

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥9.89
10+
￥9.04
30+
￥8.5
100+
￥7.96
500+
￥7.71

有货

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型号：IPD80R600P7 编号：C536890

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于超过18年超结技术的开创性创新。

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1+
￥10.37
10+
￥8.75
30+
￥7.86
100+
￥6.22

有货

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型号：IRFB4310PBF 编号：C454255

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥10.91
10+
￥9.32
50+
￥7.41
100+
￥6.39

有货

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型号：IPA029N06N 编号：C536303

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

数据手册

1+
￥11.2393 ￥15.83
10+
￥9.2049 ￥15.09
50+
￥7.4664 ￥14.64
100+
￥7.242 ￥14.2
500+
￥7.1349 ￥13.99
1000+
￥7.089 ￥13.9

有货

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型号：IPD031N06L3GATMA1 编号：C672058

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

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1+
￥11.83
10+
￥9.89
30+
￥8.82
100+
￥7.62

有货

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型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥13.34
10+
￥11.38
30+
￥10.15
100+
￥8.89

有货

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型号：BSC012N06NS 编号：C6471337

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。额定温度175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于源极互连扩大，具有更高的焊点可靠性

1+
￥18.33
10+
￥15.63
30+
￥13.93
100+
￥12.19

有货

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型号：IPW60R120P7 编号：C537467

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

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1+
￥20.2475 ￥22.75
10+
￥17.1351 ￥21.69
30+
￥14.5245 ￥21.05
90+
￥14.0829 ￥20.41
480+
￥13.8759 ￥20.11
960+
￥13.7862 ￥19.98

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型号：IRF7739L1TRPBF 编号：C537822

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大程度提高电源系统的热传递效率

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