英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TDSON-8(5x6)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥3.95
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￥3.16
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￥2.77
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￥2.38

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型号：IPB160N04S4-H1 编号：C536562

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。 AEC 认证。 MSL1 最高可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS 标准）。超低导通电阻。 100% 雪崩测试

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￥7.3
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￥6.65
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￥6.24
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型号：IPP052N06L3 G 编号：C537136

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。N沟道，逻辑电平。100%经过雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥7.66
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￥6.5988 ￥7.02
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￥5.5692 ￥6.63
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￥5.0736 ￥6.04
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￥5.0064 ￥5.96

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型号：IPB014N04NF2S 编号：C5359105

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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￥8.53
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￥7.78
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￥7.32
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￥6.84
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￥6.62

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型号：IRF2807STRLPBF 编号：C97742

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,82A,13mΩ@10V

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1+
￥10.13
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￥8.6
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￥7.64
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型号：IRFB7430PBF 编号：C386335

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 195A

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￥10.6
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￥8.98
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￥7.38
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型号：IPB108N15N3G 编号：C3276386

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥13.86
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￥13.12
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￥12.67
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￥12.22
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￥12.02

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型号：IRFP2907PBF 编号：C38573

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V

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1+
￥15.8
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￥13.4
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￥11.89
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型号：BSC105N10LSF G 编号：C534404

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, logic level。极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准；无卤。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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￥15.92
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￥14.54
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￥14.01
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型号：IPP60R099CP 编号：C537193

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻Rds(on)。超低的栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。符合JEDEC工业级应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准，无卤模塑料。应用：服务器和电信的硬开关开关电源拓扑

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￥16.87
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￥14.46
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￥12.95
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￥11.4

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型号：IPB60R099P7ATMA1 编号：C3279155

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥19.62
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￥16.63
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￥14.85
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￥13.05

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型号：IPB044N15N5ATMA1 编号：C2987184

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥21.42
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￥18.53
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￥16.72
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型号：IAUT300N10S5N015 编号：C5151439

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试

1+
￥21.56
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￥18.34
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￥16.43
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型号：IPB80R290C3A 编号：C536685

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术。超低栅极电荷和超低有效电容。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。通过汽车AEC Q101认证。环保封装（符合RoHS标准）。应用：汽车应用的DC/DC转换器

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￥23.52
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￥22.92
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￥22.52
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￥22.12

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型号：IPA65R380C6 编号：C536408

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性

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1+
￥27.59
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￥23.77
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￥21.5
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型号：IRLML2402TRPBF 编号：C2588

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V

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5+
￥0.6688
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￥0.5272
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￥0.4563
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￥0.4032

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型号：BSS316NH6327 编号：C128893

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

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5+
￥0.6971
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￥0.4721

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型号：IRF9389TRPBF 编号：C152654

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,30V,6.8A+4.6A

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￥1.9043
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￥1.4873
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￥1.3086
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￥1.0856

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型号：IRLHS2242TRPBF 编号：C538150

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低热阻至PCB（≤13℃/W）。低外形（≤1.0mm）。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：电池应用的充放电开关。系统/负载开关

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1+
￥2.32
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￥1.81
30+
￥1.6
100+
￥1.33
500+
￥1.2
1000+
￥1.13

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型号：BSP372NH6327 编号：C501499

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

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1+
￥2.56
10+
￥2.01
30+
￥1.78
100+
￥1.48
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

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型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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1+
￥2.96
10+
￥2.31
30+
￥2.03
100+
￥1.69
500+
￥1.52

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型号：IPD068P03L3G 编号：C151546

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

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1+
￥3.16
10+
￥2.79
30+
￥2.61
100+
￥2.43
500+
￥2.32

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型号：BSC340N08NS3 G 编号：C83511

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥3.43
10+
￥2.78
30+
￥2.5
100+
￥2.15
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

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型号：IRFR3504ZTRPBF 编号：C537966

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

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1+
￥3.45
10+
￥2.78
30+
￥2.44
100+
￥2.01
500+
￥1.81
1000+
￥1.7

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型号：BSC027N04LSG 编号：C534313

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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