英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC030N08NS5 编号：C501507

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.25
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￥4.42
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￥3.83

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型号：SPW47N60CFD 编号：C539326

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术，固有快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC工业级应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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1+
￥33.42
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￥28.86
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￥23.15
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￥20.4
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￥19.14
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￥18.57

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型号：ISC018N08NM6ATMA1 编号：C39329323

封装：PG-TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥45.29
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￥39.29
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￥35.64
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型号：IPT025N15NM6ATMA1 编号：C30698831

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻RDS(on)。优异的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。根据 LTSD-020 标准为 MSL-1 级分类

1+
￥55.9
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￥48.44
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￥40.09

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型号：BSS84PH6327 编号：C152212

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,60V,170mA,8Ω@10V

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10+
￥0.3925
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￥0.3216
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￥0.2861
3000+
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型号：SN7002N H6433 编号：C539275

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥0.6049
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￥0.5413
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2500+
￥0.4665
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型号：IRLML6402TRPBF 编号：C2593

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V

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5+
￥0.6151
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￥0.4321
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￥0.363
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型号：BSS806NEH6327 编号：C91714

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。 ESD保护。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

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型号：IRFR220NTRLPBF 编号：C537955

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频直流-直流转换器。电信48V输入正激转换器

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1+
￥2.65
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￥2.1
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型号：BSC0805LS 编号：C534374

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀锡，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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￥2.94
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型号：IRFU3410PBF 编号：C538063

封装：TO-251

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器。无铅

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￥2.96
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型号：BSC340N08NS3 G 编号：C83511

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥2.96
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￥2.38
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￥2.13
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￥1.81
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￥1.45
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型号：BSP170PH6327 编号：C75283

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-60V,-1.9A,0.3Ω@-10V

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￥3.02
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￥2.4
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￥2.13
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￥1.64
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型号：IRFH5304TRPBF 编号：C537894

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥3.07
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￥2.71
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￥2.09

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型号：IRFR3910TRPBF 编号：C148158

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 16A

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￥3.19
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型号：BSC050N03LSG 编号：C153237

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,18A,5mΩ@10V

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1+
￥3.27
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￥2.62
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￥2.3
100+
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￥1.78
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型号：IPD135N03LG 编号：C152614

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,30A,13.5mΩ@10V

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1+
￥3.32
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￥2.6
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￥2.28
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￥1.9
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￥1.72
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￥1.62

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型号：IRLR9343TRPBF 编号：C67281

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-20A,170mΩ@-4.5V

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1+
￥4.65
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￥3.86
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￥3.46
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￥3.06
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￥2.83
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￥2.71

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型号：IPA65R400CE 编号：C501513

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势

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￥4.69
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￥3.81
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￥3.36
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￥2.93

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型号：IPB180N04S4-01 编号：C536569

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

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1+
￥6.66
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￥5.99
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￥5.62
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￥5.2
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￥5.01
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￥4.93

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型号：IPD200N15N3 G 编号：C386332

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 50A

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1+
￥6.68
10+
￥5.56
30+
￥4.94
100+
￥4.25

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型号：IRLZ44NSTRLPBF 编号：C538199

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积下极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。直插式版本（IRLZ44NL）适用于低外形应用

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1+
￥7.11
10+
￥5.94
30+
￥5.3
100+
￥4.37
500+
￥4.05

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型号：BSC070N10NS3GATMA1 编号：C148247

封装：TDSON-8(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,7mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥6.86
30+
￥6.46
100+
￥6.04
500+
￥5.86
1000+
￥5.77

有货

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型号：BSC047N08NS3G 编号：C501500

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥8.385 ￥11.18
10+
￥7.7925 ￥10.39
30+
￥7.425 ￥9.9
100+
￥6.585 ￥8.78
500+
￥6.4125 ￥8.55
1000+
￥6.3375 ￥8.45

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型号：BSC010NE2LS 编号：C152368

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,25V,100A,1mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.35
10+
￥8.74
30+
￥7.73
100+
￥6.69
500+
￥6.22
1000+
￥6.02

有货

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型号：IRFP4310ZPBF 编号：C2916

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,120A,6mΩ@10V

数据手册

1+
￥13.01
10+
￥11.01
25+
￥9.76
100+
￥8.49

有货

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型号：IPA032N06N3 G 编号：C536306

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥14.15
10+
￥12.94
50+
￥12.17
100+
￥11.39

有货

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型号：IPT020N10N5 编号：C531202

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥15.04
10+
￥12.84
30+
￥11.45
100+
￥10.04
500+
￥9.4
1000+
￥9.12

有货

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型号：BSC022N04LS 编号：C148266

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥16.6
10+
￥13.94
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￥12.28
100+
￥10.58

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型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824

封装：MG-WDSON-9

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

数据手册

1+
￥17.47
10+
￥16.57
30+
￥16.03
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