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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:80V 电流:51A
型号：BSZ110N08NS5ATMA1 编号：C3279301
封装：TSDSON-8FL
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC认证，适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 扩大源极互连，提高焊点可靠性

  • 1+

    ￥6.34

  • 10+

    ￥5.18

  • 30+

    ￥4.59

  • 100+

    ￥3.85

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    ￥3.51
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
    型号：IRLZ34NSTRLPBF 编号：C538198
    封装：D2PAk
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

    • 1+

      ￥6.92

    • 10+

      ￥5.76

    • 30+

      ￥5.13

    • 100+

      ￥4.42

    • 500+

      ￥4.1

    • 800+

      ￥3.96
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：IRFB5620PBF 编号：C520672
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）
    数据手册

    • 1+

      ￥9.2

    • 10+

      ￥7.61

    • 50+

      ￥6.74

    • 100+

      ￥5.76

    • 500+

      ￥5.32

    • 1000+

      ￥5.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:51A
    型号：IRFB52N15DPBF 编号：C11737
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥9.88

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      ￥8.26

    • 50+

      ￥7.37

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      ￥6.37

    • 500+

      ￥5.92
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：IPB026N06N 编号：C536490
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥11.13

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      ￥10.2

    • 30+

      ￥9.62

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      ￥6.5919 ￥9.03

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      ￥6.3948 ￥8.76

    • 1000+

      ￥6.3072 ￥8.64
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:99A
    型号：IRFS4115TRLPBF 编号：C53417
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,99A,12.1mΩ@10V
    数据手册

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      ￥12.52

    • 10+

      ￥10.49

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      ￥7.33

    • 800+

      ￥7.08
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:34A
    型号：IPD320N20N3G 编号：C501515
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥13.06

    • 10+

      ￥11.19

    • 30+

      ￥10.03

    • 100+

      ￥8.83
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:17.5A
    型号：IPP65R190CFD 编号：C501516
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.64

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      ￥11.09

    • 1000+

      ￥11
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IAUC120N06S5N017ATMA1 编号：C3278702
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常级别-MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥14.36

    • 10+

      ￥12.1

    • 30+

      ￥10.69

    • 100+

      ￥9.24
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:34A
    型号：IPB320N20N3G 编号：C110546
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,34A,32mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥16.31

    • 10+

      ￥13.9

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      ￥12.39

    • 100+

      ￥10.84

    • 500+

      ￥10.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:260A
    型号：IPB015N08N5ATMA1 编号：C3289284
    封装：TO-263-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 单价：

      ￥17.59 / 个
  • 有货
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    100V 100A
    型号：IPP030N10N3GXKSA1 编号：C513212
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥20.95

    • 10+

      ￥18

    • 30+

      ￥16.16

    • 100+

      ￥14.26
  • 有货
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    600V CoolMOS C7功率晶体管
    型号：IPB60R040C7 编号：C536595
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首个RDS(on)*A低于10 mΩ*mm²的技术。
    数据手册

    • 1+

      ￥48.1

    • 10+

      ￥45.75

    • 30+

      ￥44.32

    • 100+

      ￥43.13
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V 电流:36A
    型号：IPW90R120C3 编号：C499443
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：最低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过 JEDEC 认证。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 TO247 封装中具备全球最佳的 RDSₒₙ。应用：准谐振反激/正激拓扑。 PC 银盒和消费类应用
    数据手册

    • 1+

      ￥69.26

    • 10+

      ￥58.88

    • 30+

      ￥52.55

    • 90+

      ￥47.25
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.2A
    型号：SN7002W H6433 编号：C539277
    封装：SOT-323-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
    数据手册

    • 5+

      ￥0.385503 ￥0.5587

    • 50+

      ￥0.291932 ￥0.4948

    • 150+

      ￥0.226821 ￥0.4629

    • 500+

      ￥0.21511 ￥0.439

    • 2500+

      ￥0.205751 ￥0.4199

    • 5000+

      ￥0.201047 ￥0.4103
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A
    型号：IRLML2246TRPBF 编号：C127272
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6669

    • 50+

      ￥0.5229

    • 150+

      ￥0.4509

    • 500+

      ￥0.3969

    • 3000+

      ￥0.3537
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
    型号：IRLR024NTRPBF 编号：C3007
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.645

    • 50+

      ￥1.2978

    • 150+

      ￥1.149
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:49A
    型号：BSC093N04LSG 编号：C148252
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,13A,9.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.8

    • 10+

      ￥2.27

    • 30+

      ￥2.04

    • 100+

      ￥1.76

    • 500+

      ￥1.5

    • 1000+

      ￥1.42
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
    型号：BSC050N04LS G 编号：C534347
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.2065 ￥5.83

    • 10+

      ￥2.1375 ￥4.75

    • 30+

      ￥1.4735 ￥4.21

    • 100+

      ￥1.288 ￥3.68

    • 500+

      ￥1.176 ￥3.36

    • 1000+

      ￥1.1165 ￥3.19
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：IRF7306TRPBF 编号：C537809
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择
    数据手册

    • 1+

      ￥3.56

    • 10+

      ￥2.9

    • 30+

      ￥2.57

    • 100+

      ￥2.25

    • 500+

      ￥2.05

    • 1000+

      ￥1.95
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOS-5功率晶体管
    型号：IPC100N04S5L-2R6 编号：C536698
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥4.6

    • 10+

      ￥4.06

    • 30+

      ￥3.79

    • 100+

      ￥3.53

    • 500+

      ￥3.37

    • 1000+

      ￥3.29
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：BSC035N04LS G 编号：C386366
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC1标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.81

    • 30+

      ￥3.32

    • 100+

      ￥2.84

    • 500+

      ￥2.55

    • 1000+

      ￥2.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:10A 56A
    型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低RDSon (< 31 mΩ)。 低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (< 0.9 mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。 直流电机逆变器
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥3.89

    • 30+

      ￥3.4

    • 100+

      ￥2.91

    • 500+

      ￥2.62

    • 1000+

      ￥2.48
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.12A
    型号：BSP135H6327 编号：C3278599
    封装：SOT-223-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。符合IEC61249-2-21的无卤标准
    数据手册

    • 1+

      ￥4.91

    • 10+

      ￥4.02

    • 30+

      ￥3.58

    • 100+

      ￥3.14

    • 500+

      ￥2.76
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:145A
    型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
    型号：IPD60R600C6 编号：C536829
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:17A
    型号：IRFR15N20DTRPBF 编号：C537951
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。 完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
    型号：BSC010NE2LS 编号：C152368
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,25V,100A,1mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:42A
    型号：IRLR3705ZTRPBF 编号：C500525
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 55V 42A
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
    型号：IRL540NPBF 编号：C111607
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道
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