英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLML0040TRPBF 编号：C67273

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8734
50+
￥0.6816
150+
￥0.5857
500+
￥0.5138

有货

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型号：BSZ130N03LS G 编号：C534707

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定值。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥1.59
10+
￥1.38
30+
￥1.29
100+
￥1.18
500+
￥1.13
1000+
￥1.1

有货

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型号：IRF9389TRPBF 编号：C152654

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,30V,6.8A+4.6A

数据手册

5+
￥2.1648
50+
￥1.7478
150+
￥1.5691
500+
￥1.3461

有货

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型号：IPD60R360P7S 编号：C536820

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.18
10+
￥1.9
30+
￥1.78
100+
￥1.63
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：BSZ180P03NS3 G 编号：C534713

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥2.29
10+
￥1.98
30+
￥1.85
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.57

有货

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型号：IRLHS2242TRPBF 编号：C538150

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低热阻至PCB（≤13℃/W）。低外形（≤1.0mm）。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：电池应用的充放电开关。系统/负载开关

数据手册

1+
￥2.32
10+
￥1.81
30+
￥1.6
100+
￥1.33
500+
￥1.2
1000+
￥1.13

有货

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型号：IRFZ46NPBF 编号：C9218

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.03
50+
￥1.78
100+
￥1.48
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：IRF7205TRPBF 编号：C55419

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

大电流MOS管

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.21
30+
￥1.96
100+
￥1.65
500+
￥1.37
1000+
￥1.28

有货

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型号：BSL308CH6327XTSA1 编号：C3289349

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补 P + N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥3.16
10+
￥2.61
30+
￥2.37
100+
￥2.07
500+
￥1.94
1000+
￥1.86

有货

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型号：IRFR3504ZTRPBF 编号：C537966

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.74
30+
￥2.4
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：IRF7306TRPBF 编号：C537809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.2
500+
￥2.01
1000+
￥1.91

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型号：IRFR3806TRPBF 编号：C148157

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 43A

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.12
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.78
1000+
￥1.67

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型号：BSZ042N06NSATMA1 编号：C3279304

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21

有货

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥4
50+
￥3.31
100+
￥2.93
500+
￥2.7

有货

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型号：IRFR15N20DTRPBF 编号：C537951

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥4.69
30+
￥4.14
100+
￥3.59

有货

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型号：IPB054N06N3 G 编号：C536513

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 N沟道，标准电平。经过100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.866 ￥8.38
10+
￥4.638 ￥7.73
30+
￥3.655 ￥7.31
100+
￥3.445 ￥6.89
500+
￥3.35 ￥6.7
1000+
￥3.31 ￥6.62

有货

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型号：IRFB3207PBF 编号：C2578

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.1
10+
￥5.04
50+
￥4.2
100+
￥3.68
350+
￥3.36

有货

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型号：IPB160N04S4-H1 编号：C536562

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。 AEC 认证。 MSL1 最高可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS 标准）。超低导通电阻。 100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥7.3
10+
￥6.65
30+
￥6.24
100+
￥5.82
500+
￥5.63
1000+
￥5.55

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型号：IPB037N06N3 G 编号：C536503

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥6.91
30+
￥6.54
100+
￥6.13
500+
￥5.94

有货

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型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.23
10+
￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42

有货

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型号：BSC052N08NS5 编号：C534350

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.82
10+
￥8.25
30+
￥7.39
100+
￥6.42

有货

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型号：IRFB4321PBF 编号：C2656

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,85A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.88
10+
￥9.02
50+
￥7.1
100+
￥5.95
600+
￥5.44

有货

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型号：IPB120N06S4-03 编号：C536547

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥9.61
30+
￥8.48
100+
￥7.33
500+
￥6.8

有货

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型号：IPL60R185C7 编号：C537028

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。

数据手册

1+
￥13.94
10+
￥11.73
30+
￥10.35
100+
￥8.93
500+
￥8.29

有货

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型号：IPB60R145CFD7 编号：C536613

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.57
10+
￥13.78
30+
￥13.31
100+
￥12.83
500+
￥12.61

有货

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型号：IRF2907ZPBF 编号：C495791

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥16.13
10+
￥13.57
50+
￥11.97
100+
￥10.33
500+
￥9.59

有货

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型号：IPP030N10N3GXKSA1 编号：C513212

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥18.71
10+
￥15.76
30+
￥13.91
100+
￥12.02

有货

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型号：IPW60R120C7 编号：C537466

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥17.81
30+
￥17.21
240+
￥16.61
480+
￥16.33

有货

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型号：IPB110P06LM 编号：C3279229

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)，在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥20.19
10+
￥17.43
30+
￥15.79
100+
￥14.13
500+
￥13.36

有货

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型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥27.79
10+
￥23.55
30+
￥21.03
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