您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共66701
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 扩大源极互连,提高焊点可靠性
数据手册
  • 1+

    ¥4.42
  • 10+

    ¥3.91
  • 30+

    ¥3.65
  • 100+

    ¥3.4
  • 500+

    ¥3.25
  • 1000+

    ¥3.17
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。增强模式。普通级。通过AEC Q101认证。MSL1,最高峰值回流温度260°C。工作温度175°C。环保产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48 ¥8.96
    • 10+

      ¥3.304 ¥8.26
    • 30+

      ¥2.346 ¥7.82
    • 100+

      ¥2.211 ¥7.37
    • 500+

      ¥2.151 ¥7.17
    • 1000+

      ¥2.124 ¥7.08
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。 无铅。应用:笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。 网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥3.04
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.66
  • 有货
  • N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.88
    • 50+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.71
  • 有货
  • N沟道 55V 42A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.24
    • 500+

      ¥2.94
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • 特性:单P沟道,采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V,特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用:电池管理。 负载开关
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.41
    • 30+

      ¥3.85
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.88
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥4.97
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.45
    • 1000+

      ¥4.37
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥5.96
    • 10+

      ¥4.75
    • 30+

      ¥4.15
  • 有货
  • N沟道,40V,75A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.32
    • 50+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.58
    • 1000+

      ¥3.44
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.49
    • 10+

      ¥5.37
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.05
    • 500+

      ¥3.74
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.82
    • 10+

      ¥6.56
    • 30+

      ¥5.87
    • 100+

      ¥5.09
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥8.1249 ¥11.13
    • 10+

      ¥7.446 ¥10.2
    • 30+

      ¥7.0226 ¥9.62
    • 100+

      ¥6.5919 ¥9.03
    • 500+

      ¥6.3948 ¥8.76
    • 1000+

      ¥6.3072 ¥8.64
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 工作温度为150°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.05
    • 10+

      ¥7.57
    • 30+

      ¥6.76
    • 100+

      ¥5.84
    • 500+

      ¥5.43
  • 有货
  • 第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.73
    • 10+

      ¥8.02
    • 30+

      ¥7.08
    • 100+

      ¥6.02
    • 500+

      ¥5.54
  • 有货
  • N沟道,75V,140A,7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
    • 10+

      ¥8.22
    • 30+

      ¥7.37
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥4.8
    • 1000+

      ¥4.6
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.07
    • 10+

      ¥8.42
    • 30+

      ¥7.52
    • 100+

      ¥5.81
    • 500+

      ¥5.35
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥10.2098 ¥14.38
    • 10+

      ¥8.0886 ¥13.26
    • 50+

      ¥6.4005 ¥12.55
    • 100+

      ¥6.0333 ¥11.83
    • 500+

      ¥5.865 ¥11.5
    • 1000+

      ¥5.7936 ¥11.36
  • 有货
  • 特性:P沟道。正常电平。增强模式。AEC认证。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥12.94
    • 10+

      ¥11.13
    • 30+

      ¥10
    • 100+

      ¥8.84
    • 500+

      ¥8.32
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.49
    • 10+

      ¥13.24
    • 30+

      ¥12.46
    • 90+

      ¥11.66
    • 510+

      ¥11.3
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 单价:

      ¥15.39 / 个
  • 有货
  • 特性:N-channel, logic level。 极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准;无卤。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥16.05
    • 10+

      ¥15.18
    • 30+

      ¥14.67
    • 100+

      ¥14.14
    • 500+

      ¥13.9
    • 1000+

      ¥13.79
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热性能。 额定温度为175℃。 N沟道。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据EC61249-2-21标准,无卤素
    • 1+

      ¥18.53
    • 10+

      ¥17.57
    • 30+

      ¥17
    • 100+

      ¥16.42
    • 500+

      ¥16.15
    • 1000+

      ¥16.03
  • 有货
  • 特性:优秀的栅极电荷×导通电阻积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥23.62
    • 10+

      ¥20.67
    • 30+

      ¥18.92
    • 100+

      ¥17.14
    • 500+

      ¥16.33
    • 1000+

      ¥15.96
  • 有货
  • 特性:N-channel, normal level。 极低导通电阻Rps(on)。 卓越的热阻,100%雪崩测试。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥34.47
    • 10+

      ¥29.62
    • 30+

      ¥26.74
    • 100+

      ¥23.83
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.47
    • 10+

      ¥29.5
    • 30+

      ¥26.55
    • 90+

      ¥23.56
  • 有货
  • 适用于低频开关应用,具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值,显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.74
    • 10+

      ¥31.96
    • 30+

      ¥29.05
    • 100+

      ¥26.61
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥42.48
    • 10+

      ¥36.72
    • 30+

      ¥33.2
    • 100+

      ¥30.25
  • 有货
  • CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首个RDS(on)*A低于10 mΩ*mm²的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥48.1
    • 10+

      ¥45.75
    • 30+

      ¥44.32
    • 100+

      ¥43.13
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.3594 ¥74.81
    • 10+

      ¥47.264 ¥73.85
    • 30+

      ¥38.9826 ¥72.19
    • 90+

      ¥38.1996 ¥70.74
  • 有货
  • N沟道,600V,21mA,500Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7181
    • 50+

      ¥0.586
    • 150+

      ¥0.5199
    • 500+

      ¥0.4703
    • 3000+

      ¥0.356
  • 有货
  • 立创商城为您提供英飞凌MOS驱动型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买英飞凌MOS驱动提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content