英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFS4321TRLPBF 编号：C513162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON)降低损耗。低栅极电荷改善开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。完全表征雪崩SOA。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥15.06
10+
￥12.82
30+
￥11.42
100+
￥8.81
500+
￥8.16

有货

立即购买

型号：IPB120P04P4-04 编号：C536553

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。AEC认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

数据手册

1+
￥15.11
10+
￥13.25
30+
￥12.08
100+
￥10.89

有货

立即购买

型号：ISC030N10NM6ATMA1 编号：C3278643

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥15.69
10+
￥13.49
30+
￥12.11
100+
￥10.7

有货

立即购买

型号：IRFS4229TRLPBF 编号：C538018

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏的维持、能量回收及通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

数据手册

1+
￥17.59
10+
￥14.89
30+
￥13.29
100+
￥11.66

有货

立即购买

型号：ISC011N06LM5ATMA1 编号：C3288866

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。经过100%雪崩测试。卓越的热性能。额定温度为175℃。 N沟道。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据EC61249-2-21标准，无卤素

1+
￥18.1
10+
￥17.14
30+
￥16.57
100+
￥15.99
500+
￥15.73
1000+
￥15.61

有货

立即购买

型号：IPA60R120P7 编号：C536347

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。

数据手册

1+
￥18.41
10+
￥15.46
50+
￥13.62
100+
￥11.73

有货

立即购买

型号：IRF2907ZPBF 编号：C495791

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥19.22
10+
￥16.66
50+
￥15.06
100+
￥13.42
500+
￥12.68

有货

立即购买

型号：IPB110P06LM 编号：C3279229

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)，在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥19.85
10+
￥16.83
30+
￥15.04
100+
￥13.22
500+
￥12.39

有货

立即购买

型号：IPB048N15N5 编号：C536509

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优秀的栅极电荷×导通电阻积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥20.35
10+
￥17.4
30+
￥15.65
100+
￥13.87
500+
￥13.06
1000+
￥12.69

有货

立即购买

型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥50.1227 ￥74.81
10+
￥42.0945 ￥73.85
30+
￥33.9293 ￥72.19
90+
￥33.2478 ￥70.74

有货

立即购买

型号：BSS306NH6327 编号：C72769

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤

数据手册

5+
￥0.7242
50+
￥0.5892
150+
￥0.5217
500+
￥0.4406
3000+
￥0.4001

有货

立即购买

型号：BSS127H6327XTSA2 编号：C152611

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,600V,21mA,500Ω@10V

数据手册

5+
￥0.7544
50+
￥0.6197
150+
￥0.5523
500+
￥0.5018
3000+
￥0.3852

有货

立即购买

型号：IRLML5103TRPBF 编号：C2591

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.8151
50+
￥0.6615
150+
￥0.5847
500+
￥0.5271
3000+
￥0.3833
6000+
￥0.3602

有货

立即购买

型号：IRLTS6342TRPBF 编号：C152628

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,8.3A,17.5mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.8705
50+
￥0.7025
150+
￥0.6185
500+
￥0.5555
3000+
￥0.5051
6000+
￥0.4799

有货

立即购买

型号：IRFB7446PBF 编号：C386379

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 120A

数据手册

1+
￥2.29
10+
￥1.98
30+
￥1.85
100+
￥1.68
500+
￥1.61
1000+
￥1.57

有货

立即购买

型号：BSZ180P03NS3 G 编号：C534713

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥2.31
10+
￥2
30+
￥1.87
100+
￥1.71
500+
￥1.64
1000+
￥1.59

有货

立即购买

型号：BSZ097N04LSG 编号：C412744

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2.01
30+
￥1.78
100+
￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

立即购买

型号：BSL308CH6327XTSA1 编号：C3289349

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补 P + N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥2.64
10+
￥2.09
30+
￥1.85
100+
￥1.56
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

立即购买

型号：IPP050N10NF2S 编号：C5149848

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

5+
￥2.8226
50+
￥2.3214
150+
￥2.1066
500+
￥1.8386

有货

立即购买

型号：IRFZ46NPBF 编号：C9218

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.26
50+
￥2.01
100+
￥1.7
500+
￥1.57
1000+
￥1.49

有货

立即购买

型号：IRFH5304TRPBF 编号：C537894

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.59
30+
￥2.42
100+
￥2.26
500+
￥2.05
1000+
￥2

有货

立即购买

型号：IRFH8318TRPBF 编号：C82059

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,27A,3.1mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.51
30+
￥2.26
100+
￥1.94
500+
￥1.8
1000+
￥1.72

有货

立即购买

型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥3.32
30+
￥3.27
100+
￥3.23

有货

立即购买

型号：IRF7316TRPBF 编号：C55887

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.13
30+
￥2.81
100+
￥2.42
500+
￥2.06
1000+
￥1.95

有货

立即购买

型号：IRF7380TRPBF 编号：C22126

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V

数据手册

1+
￥4
10+
￥3.13
30+
￥2.76
100+
￥2.29
500+
￥2.08

有货

立即购买

型号：IPD053N06N 编号：C536719

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥4.3596 ￥6.92
10+
￥3.3337 ￥6.29
30+
￥2.5585 ￥5.95
100+
￥2.3908 ￥5.56
500+
￥2.3177 ￥5.39
1000+
￥2.2833 ￥5.31

有货

立即购买

型号：SI4435DYTRPBF 编号：C67287

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.65
30+
￥3.2
100+
￥2.75
500+
￥2.37

有货

立即购买

型号：IPD65R400CE 编号：C536849

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，提供了快速开关超结MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册