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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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ISC018N08NM6ATMA1
型号：ISC018N08NM6ATMA1 编号：C39329323
封装：PG-TDSON-8FL
品牌：Infineon(英飞凌)

  • 1+

    ￥40.79

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    ￥34.79

  • 30+

    ￥31.14

  • 100+

    ￥28.08
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：BSZ130N03LS G 编号：C534707
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定值。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥1.58

    • 10+

      ￥1.38

    • 30+

      ￥1.29

    • 100+

      ￥1.19

    • 500+

      ￥1.14

    • 1000+

      ￥1.11
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:9.4A
    型号：IRFU120NPBF 编号：C3025
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.553

    • 50+

      ￥2.1415

    • 150+

      ￥1.7895

    • 525+

      ￥1.5695
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC020N03LS G 编号：C386344
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥2.601 ￥5.1

    • 10+

      ￥1.8696 ￥4.56

    • 30+

      ￥1.333 ￥4.3

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      ￥1.2493 ￥4.03

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      ￥1.1997 ￥3.87

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      ￥1.1749 ￥3.79
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    1个N沟道 耐压:700V
    型号：IPD70R900P7S 编号：C150923
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.13

    • 10+

      ￥2.5

    • 30+

      ￥2.23

    • 100+

      ￥1.9

    • 500+

      ￥1.75

    • 1000+

      ￥1.66
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:64A
    型号：IRFZ48NPBF 编号：C9214
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,64A,14mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.25

    • 10+

      ￥2.61

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      ￥2.07

    • 100+

      ￥1.72

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      ￥1.57

    • 1000+

      ￥1.48
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V
    型号：IPD50N04S4-08 编号：C536772
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥3.38

    • 10+

      ￥2.64

    • 30+

      ￥2.32

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      ￥1.92

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      ￥1.74

    • 1000+

      ￥1.64
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:3.8A
    型号：IRLL2705TRPBF 编号：C151552
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.59

    • 10+

      ￥2.9

    • 30+

      ￥2.6

    • 100+

      ￥2.23

    • 500+

      ￥1.57
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:31A
    型号：IRF5305PBF 编号：C2623
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.01

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      ￥3.33

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      ￥2.25

    • 500+

      ￥2.05
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:7A
    型号：BSZ22DN20NS3GATMA1 编号：C534716
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥4.13

    • 10+

      ￥3.67

    • 30+

      ￥3.44

    • 100+

      ￥3.21

    • 500+

      ￥2.91

    • 1000+

      ￥2.84
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
    型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道 -12V -16A
    数据手册

    • 1+

      ￥4.2812 ￥5.56

    • 10+

      ￥3.3433 ￥4.99

    • 30+

      ￥2.6676 ￥4.68

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      ￥2.4681 ￥4.33

    • 500+

      ￥2.3826 ￥4.18

    • 1000+

      ￥2.337 ￥4.1
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：IRF7832TRPBF 编号：C3002
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.39

    • 10+

      ￥3.6

    • 30+

      ￥3.21

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      ￥2.82

    • 500+

      ￥2.33

    • 1000+

      ￥2.21
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:950V 电流:6A
    型号：IPD95R1K2P7 编号：C536916
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.62

    • 10+

      ￥4.08

    • 30+

      ￥3.81

    • 100+

      ￥3.54

    • 500+

      ￥3.38

    • 1000+

      ￥3.3
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V
    型号：IRFH7446TRPBF 编号：C148277
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,85A,3.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.77

    • 10+

      ￥3.79

    • 30+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.82

    • 500+

      ￥2.53

    • 1000+

      ￥2.38
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V
    型号：IPD90N04S4-03 编号：C536900
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥5.0375 ￥7.75

    • 10+

      ￥3.8775 ￥7.05

    • 30+

      ￥2.997 ￥6.66

    • 100+

      ￥2.8035 ￥6.23

    • 500+

      ￥2.7135 ￥6.03

    • 1000+

      ￥2.6775 ￥5.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:132A
    型号：BSC042NE7NS3GATMA1 编号：C3278653
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。N 沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

    • 1+

      ￥5.04

    • 10+

      ￥4.53

    • 30+

      ￥4.25

    • 100+

      ￥3.94

    • 500+

      ￥3.8
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:80V 电流:10A
    型号：IRF7854TRPBF 编号：C158109
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.11

    • 10+

      ￥4.1

    • 30+

      ￥3.6

    • 100+

      ￥3.1

    • 500+

      ￥2.8

    • 1000+

      ￥2.65
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
    型号：IPP60R180P7 编号：C537209
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.93

    • 10+

      ￥4.77

    • 50+

      ￥4.19

    • 100+

      ￥3.5378 ￥3.61

    • 500+

      ￥3.2046 ￥3.27

    • 1000+

      ￥3.0282 ￥3.09
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：IPD088N06N3GBTMA1 编号：C5772126
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥6.83

    • 10+

      ￥5.56

    • 30+

      ￥4.93

    • 100+

      ￥4.3

    • 500+

      ￥3.92

    • 1000+

      ￥3.73
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：BSC016N04LS G 编号：C534294
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道。 逻辑电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥7.09

    • 10+

      ￥6.35

    • 30+

      ￥5.95

    • 100+

      ￥5.5

    • 500+

      ￥5.3

    • 1000+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:43A
    型号：IRF3415PBF 编号：C2614
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,43A,42mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥7.81

    • 10+

      ￥6.6

    • 50+

      ￥5.56

    • 100+

      ￥4.81

    • 500+

      ￥4.48

    • 1100+

      ￥4.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
    型号：IRF1404ZSTRLPBF 编号：C537744
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，在每单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.01

    • 10+

      ￥7.89

    • 30+

      ￥7.28

    • 100+

      ￥6.58

    • 500+

      ￥6.27
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:433A
    型号：BSC005N03LS5ATMA1 编号：C3288844
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低导通电阻RDS(on) × V₀₅ = 4.5V。 针对快速开关优化的电荷。 针对感应导通坚固性优化的QGD/QGS。 卓越的热阻。 N沟道。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥9.64

    • 10+

      ￥8.14

    • 30+

      ￥7.2

    • 100+

      ￥6.23

    • 500+

      ￥5.79

    • 1000+

      ￥5.6
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：IPD031N06L3GATMA1 编号：C672058
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化的技术。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册

    • 1+

      ￥9.82

    • 10+

      ￥7.86

    • 30+

      ￥6.77

    • 100+

      ￥5.55

    • 500+

      ￥5.01
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
    型号：ISC0802NLSATMA1 编号：C3288904
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素。 根据JEDEC标准进行产品验证

    • 1+

      ￥10.2

    • 10+

      ￥8.7

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
    型号：IRFS3206TRRPBF 编号：C2688877
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:20.7A
    型号：SPA20N60C3 编号：C60313
    封装：TO-220FP
    品牌：Infineon(英飞凌)
    塑封
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：IRFH5010TRPBF 编号：C495806
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低RDSon (< 9 mΩ)。 低至PCB的热阻 (<0.5℃/W)。 低传导损耗。 100% Rg测试。 低外形 (<0.9 mm)。 行业标准引脚排列。应用：二次侧同步整流。 直流电机逆变器
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    OptiMOs T2功率晶体管
    型号：IPB120N06S4-03 编号：C536547
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:63A
    型号：BSC109N10NS3G 编号：C131006
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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