英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC097N06NS 编号：C534397

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.43
30+
￥3.08
100+
￥2.74
500+
￥2.05
1000+
￥1.95

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型号：BSC036NE7NS3 G 编号：C534327

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。符合 IEC61249-2-21 的无卤要求

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1+
￥4.412 ￥11.03
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￥3.048 ￥10.16
30+
￥1.924 ￥9.62
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￥1.814 ￥9.07
500+
￥1.764 ￥8.82
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￥1.742 ￥8.71

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型号：IRFH5302TRPBF 编号：C148153

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 32A

数据手册

1+
￥5.02
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￥4.08
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￥3.61
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￥3.15
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￥2.87
1000+
￥2.73

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型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 31 mΩ)。低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。直流电机逆变器

数据手册

1+
￥5.07
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￥4.01
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￥3.48
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￥2.95
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￥2.63
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￥2.47

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型号：IPD95R1K2P7 编号：C536916

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。

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￥5.3
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￥4.81
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￥4.54
100+
￥4.23
500+
￥4.1
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￥4.04

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型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -12V -16A

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￥5.46
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￥4.89
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￥4.58
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￥4.23
500+
￥4.08
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￥4

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型号：IRF7854TRPBF 编号：C158109

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V

数据手册

1+
￥5.5
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￥4.5
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￥3.99
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￥3.49
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￥3.19
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￥3.04

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型号：IRFB38N20DPBF 编号：C386377

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 43A

数据手册

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￥7.1
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￥5.97
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￥4.58
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￥3.88
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￥3.57
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￥3.43

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型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

1+
￥7.16
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￥5.9
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￥5.21
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￥4.43
500+
￥4.08

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型号：BSZ15DC02KDHXTMA1 编号：C3279308

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。共漏极。雪崩额定。工作温度175℃。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61246-21无卤

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￥7.5
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￥6.26
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￥5.57
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￥4.8
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￥4.46
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￥4.3

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型号：IPG20N06S2L-35 编号：C536940

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥8.2419 ￥9.93
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￥7.5945 ￥9.15
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￥7.1878 ￥8.66
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￥6.5902 ￥7.94
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￥6.5072 ￥7.84

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型号：BSC320N20NS3G 编号：C501501

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥9.73
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￥8.13
30+
￥7.26
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￥6.27
500+
￥5.83

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型号：IRFB52N15DPBF 编号：C11737

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,51A,32mΩ@10V

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1+
￥9.82
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￥7.96
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￥6.94
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￥5.79
500+
￥5.28

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型号：BSC004NE2LS5 编号：C534273

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对或运算应用进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥10.31
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￥8.36
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￥7.29
100+
￥6.08
500+
￥5.54
1000+
￥5.3

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型号：IPP65R190CFD 编号：C501516

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥13.64
10+
￥12.93
50+
￥11.72
100+
￥11.29
500+
￥11.09
1000+
￥11

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型号：ISC030N10NM6ATMA1 编号：C3278643

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥14.26
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￥12.17
30+
￥10.86
100+
￥9.52
500+
￥8.91

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型号：IPW60R099P7 编号：C537464

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥15.92
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￥11.2
90+
￥9.89
510+
￥9.3
990+
￥9.04

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型号：IRFS4229TRLPBF 编号：C538018

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏的维持、能量回收及通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

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1+
￥19.2
10+
￥16.5
30+
￥14.9
100+
￥13.28
500+
￥12.53

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型号：IPB60R099P7ATMA1 编号：C3279155

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥19.66
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30+
￥15.03
100+
￥13.29
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￥12.49
1000+
￥12.12

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型号：IRFP3077PBF 编号：C520658

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性： TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥23.2344 ￥36.88
10+
￥20.0403 ￥31.81
30+
￥18.144 ￥28.8
100+
￥16.2225 ￥25.75
500+
￥15.3342 ￥24.34
1000+
￥14.9373 ￥23.71

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型号：IAUS300N08S5N012 编号：C535720

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

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1+
￥37.4472 ￥52.01
10+
￥30.8946 ￥49.83
30+
￥25.22 ￥48.5
100+
￥24.6376 ￥47.38

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型号：IPW90R120C3 编号：C499443

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：最低品质因数 Rₒₙ × Q₉。极高的 dv/dt 额定值。高峰值电流能力。针对目标应用通过 JEDEC 认证。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 TO247 封装中具备全球最佳的 RDSₒₙ。应用：准谐振反激/正激拓扑。 PC 银盒和消费类应用

数据手册

1+
￥75.18
10+
￥63.49
30+
￥56.37
90+
￥50.4

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型号：SN7002W H6433 编号：C539277

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据AEC Q101认证

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5+
￥0.424612 ￥0.5587
50+
￥0.326568 ￥0.4948
150+
￥0.259224 ￥0.4629
500+
￥0.24584 ￥0.439
2500+
￥0.235144 ￥0.4199
5000+
￥0.229768 ￥0.4103

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型号：IRLML9301TRPBF 编号：C82056

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V

数据手册

5+
￥0.6279
50+
￥0.4894
150+
￥0.4201
500+
￥0.3682
3000+
￥0.3267

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C2589

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.103
50+
￥0.9387
150+
￥0.8566

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型号：IRF5803TRPBF 编号：C169756

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%

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