英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR540ZTRPBF 编号：C537985

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

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型号：BSZ110N08NS5ATMA1 编号：C3279301

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行优化的技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC认证，适用于目标应用。根据IEC61249-2-21标准无卤。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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型号：IPD110N12N3 G 编号：C536732

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流

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型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

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型号：IPD088N06N3GBTMA1 编号：C5772126

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRF3415PBF 编号：C2614

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,43A,42mΩ@10V

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型号：IRFR4510TRPBF 编号：C83843

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,63A,13.9mΩ@10V

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

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型号：IPD90P04P4L04ATMA2 编号：C3289172

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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型号：IRFB4229PBF 编号：C2653

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

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型号：IRFS4410ZTRLPBF 编号：C148161

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 97A

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型号：BSZ300N15NS5 编号：C534718

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21的无卤标准。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

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￥9.95
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型号：BSC600N25NS3G 编号：C3288852

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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￥10.29
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型号：IRFS7730TRL7PP 编号：C500542

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 75V 240A

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型号：IPD600N25N3 G 编号：C536796

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度175°C。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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￥15.35
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￥12.94
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￥9.48

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型号：IPTG111N20NM3FDATMA1 编号：C3278561

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤。针对硬换向耐用性进行优化

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型号：IRLML2246TRPBF 编号：C127272

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V

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型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V

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型号：IPD70R600P7S 编号：C536869

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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