英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC0901NS 编号：C152424

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.89
500+
￥1.71
1000+
￥1.6

有货

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型号：IPD70R600P7S 编号：C536869

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.73
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

有货

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.1
30+
￥2.94
100+
￥2.77
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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型号：BSC052N03LS 编号：C534349

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.68
10+
￥3.03
30+
￥2.71
100+
￥2.39
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

有货

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型号：BSC054N04NSG 编号：C501505

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.71
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￥3.27
30+
￥3.06
100+
￥2.84
500+
￥2.71
1000+
￥2.64

有货

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型号：IRFH5302TRPBF 编号：C148153

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 32A

数据手册

1+
￥4.24
10+
￥3.32
30+
￥2.86
100+
￥2.4
500+
￥2.13
1000+
￥1.99

有货

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型号：IRF7493TRPBF 编号：C13914

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,9.3A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.41
30+
￥2.97
100+
￥2.54
500+
￥2.28
1000+
￥2.14

有货

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型号：IRFR1205TRPBF 编号：C81467

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,44A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.47
10+
￥3.69
30+
￥3.31
100+
￥2.92
500+
￥2.27
1000+
￥2.15

有货

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型号：IRFH5301TRPBF 编号：C82057

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,100A,1.85mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.65
10+
￥3.87
30+
￥3.48
100+
￥3.09
500+
￥2.65
1000+
￥2.53

有货

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型号：IRF7842TRPBF 编号：C495809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻：在4.5V栅源电压下。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。隔离式DC-DC转换器的二次同步整流

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.08
30+
￥3.56
100+
￥3.04
500+
￥2.73
1000+
￥2.57

有货

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型号：BSC059N04LS6 编号：C534356

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。额定温度175℃

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1+
￥5.26
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￥4.3
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￥3.82
100+
￥3.34
500+
￥3.05
1000+
￥2.9

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型号：IPD096N08N3GATMA1 编号：C3279028

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.73
10+
￥4.65
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￥4.11
100+
￥3.57
500+
￥3.25

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型号：BSC060P03NS3EGATMA1 编号：C3278657

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用：电池管理。负载开关

1+
￥5.78
10+
￥4.7
30+
￥4.17
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￥3.63
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￥3.32
1000+
￥3.15

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型号：BSC019N04NS G 编号：C534303

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行了优化。根据JEDEC标准进行目标应用认证。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.21
30+
￥4.68
100+
￥3.72
500+
￥3.4
1000+
￥3.24

有货

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型号：BSC039N06NS 编号：C534330

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.43
10+
￥5.15
30+
￥4.51
100+
￥3.87
500+
￥3.35

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型号：IRF9Z34NSTRLPBF 编号：C169780

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V

数据手册

1+
￥7.39
10+
￥6.09
30+
￥5.44
100+
￥4.8
500+
￥3.87

有货

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

数据手册

1+
￥7.9
10+
￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

有货

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型号：BSC004NE2LS5 编号：C534273

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对或运算应用进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.67
10+
￥7.2
30+
￥6.4
100+
￥5.48
500+
￥5.08
1000+
￥4.9

有货

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型号：IRF5305STRLPBF 编号：C41224

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥9.02
10+
￥7.66
30+
￥6.92
100+
￥6.07
500+
￥4.39

有货

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型号：IRF3808PBF 编号：C2618

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,140A,7mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.98
10+
￥8.44
30+
￥7.59
100+
￥5.44
500+
￥5.01
1000+
￥4.82

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.2475 ￥7.35
100+
￥5.3465 ￥6.29
500+
￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

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型号：IRFP4229PBF 编号：C386339

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 250V 44A

数据手册

1+
￥10.7
10+
￥9.25
25+
￥8.46
100+
￥7.56
550+
￥7.16
1100+
￥6.98

有货

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型号：IPB180P04P4L-02 编号：C536578

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。用于反接电池保护

数据手册

1+
￥18.34
10+
￥15.93
30+
￥14.42
100+
￥12.88
500+
￥12.18

有货

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型号：IPL60R075CFD7 编号：C537017

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施

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