英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLR2905ZTRPBF 编号：C68209

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥3.27
30+
￥2.89
100+
￥2.41
500+
￥2.2
1000+
￥2.07

有货

立即购买

型号：IRF8734TRPBF 编号：C169759

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。无铅。应用：笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.63
500+
￥2.38
1000+
￥2.24

有货

立即购买

型号：IRF3205ZSTRLPBF 编号：C459959

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度以及改进的重复雪崩/降额性能。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.58
30+
￥3.19
100+
￥2.47
500+
￥2.24
800+
￥2.12

有货

立即购买

型号：IRFR3607TRPBF 编号：C74775

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.87
30+
￥3.47
100+
￥3.07
500+
￥2.27

有货

立即购买

型号：IPD110N12N3 G 编号：C536732

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥4.17
30+
￥3.91
100+
￥3.48
500+
￥3.32
1000+
￥3.24

有货

立即购买

型号：IRFH5300TRPBF 编号：C2763849

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (<1.4 mΩ)。对PCB的低热阻 (< 0.5℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型）总线浪涌电流。电池供电的直流电机逆变器MOSFET

数据手册

1+
￥4.7277 ￥9.27
10+
￥3.1775 ￥7.75
30+
￥2.1421 ￥6.91
100+
￥1.8507 ￥5.97
500+
￥1.7205 ￥5.55
1000+
￥1.6616 ￥5.36

有货

立即购买

型号：BSC123N08NS3G 编号：C412732

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.28
30+
￥3.82
100+
￥3.36
500+
￥3.09

有货

立即购买

型号：IRFR4615TRLPBF 编号：C148159

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 33A

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.43
30+
￥3.96
100+
￥3.49
500+
￥2.65
1000+
￥2.5

有货

立即购买

型号：BSC252N10NSF G 编号：C534427

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.42
10+
￥4.86
30+
￥4.55
100+
￥4.21
500+
￥4.05
1000+
￥3.98

有货

立即购买

型号：IRF100B201 编号：C152185

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.59
50+
￥4.04
100+
￥3.5
500+
￥3.17
1000+
￥3

有货

立即购买

型号：BSC011N03LSI 编号：C534283

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.08
10+
￥4.96
30+
￥4.35
100+
￥3.66
500+
￥3.35
1000+
￥3.21

有货

立即购买

型号：IRF7820TRPBF 编号：C537832

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥6.5
10+
￥5.34
30+
￥4.75
100+
￥4.17
500+
￥3.83
1000+
￥3.65

有货

立即购买

型号：BSC028N06LS3 G 编号：C534316

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.55
10+
￥5.34
30+
￥4.73
100+
￥4.13
500+
￥3.77

有货

立即购买

型号：BSZ123N08NS3G 编号：C152364

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,12.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.59
30+
￥4.9
100+
￥4.13
500+
￥3.79
1000+
￥3.63

有货

立即购买

型号：IRFB38N20DPBF 编号：C386377

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 43A

数据手册

1+
￥7.07
10+
￥5.94
50+
￥4.55
100+
￥3.85
500+
￥3.54
1000+
￥3.4

有货

立即购买

型号：BSZ067N06LS3 G 编号：C534675

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册