英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF3415PBF 编号：C2614

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,43A,42mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.26
10+
￥6.04
50+
￥5.01
100+
￥4.26
500+
￥3.92
1100+
￥3.77

有货

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型号：IRF9Z34NSTRLPBF 编号：C169780

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V

数据手册

1+
￥7.63
10+
￥6.39
30+
￥5.77
100+
￥5.15
500+
￥4.26
800+
￥4.07

有货

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型号：BSC030P03NS3G 编号：C152375

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,100A,3mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥7.45
30+
￥6.55
100+
￥5.54
500+
￥5.09

有货

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型号：IPD70N10S3L-12 编号：C536860

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥9.49
10+
￥8.67
30+
￥8.16
100+
￥7.64

有货

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型号：IAUA200N04S5N010 编号：C535690

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥9.66
10+
￥8.03
30+
￥7.14
100+
￥6.13
500+
￥5.68

有货

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型号：SPB17N80C3 编号：C454265

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用：高直流母线电压的工业应用。开关应用（如有源钳位正激）

数据手册

1+
￥9.72
10+
￥8.07
30+
￥7.16
100+
￥5.55
500+
￥5.09
1000+
￥4.88

有货

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型号：SPW20N60C3 编号：C140446

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥8.34
30+
￥7.42
90+
￥6.38
510+
￥5.92
990+
￥5.71

有货

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型号：SPP20N60C3 编号：C672089

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥10.76
10+
￥9.08
50+
￥7.43
100+
￥6.39

有货

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型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥13.8
10+
￥12.61
30+
￥11.87
90+
￥11.11
510+
￥10.76
990+
￥10.61

有货

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型号：IPP200N25N3 G 编号：C537171

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥16.27
10+
￥13.65
50+
￥12
100+
￥10.32
500+
￥9.56

有货

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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥21.79
10+
￥18.76
30+
￥16.96
100+
￥15.14

有货

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型号：BSS123NH6327 编号：C5205497

封装：TO-236-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素

数据手册

10+
￥0.2749
100+
￥0.2191
300+
￥0.1912
3000+
￥0.161785 ￥0.1703
6000+
￥0.14592 ￥0.1536
9000+
￥0.13794 ￥0.1452

有货

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型号：IRLML2402TRPBF 编号：C2588

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5301
50+
￥0.4183
150+
￥0.3623
500+
￥0.313992 ￥0.3204
3000+
￥0.281064 ￥0.2868
6000+
￥0.2646 ￥0.27

有货

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型号：IRF7465TRPBF 编号：C150561

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟 150V 1.9A

数据手册

1+
￥2.5839 ￥2.97
10+
￥2.2881 ￥2.63
30+
￥2.1402 ￥2.46
100+
￥1.9923 ￥2.29
500+
￥1.9053 ￥2.19
1000+
￥1.8531 ￥2.13

有货

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型号：IRF7105TRPBF 编号：C94064

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.16
30+
￥1.94
100+
￥1.66
500+
￥1.32
1000+
￥1.25

有货

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型号：IRFU9024NPBF 编号：C163645

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.16
30+
￥1.92
75+
￥1.38
525+
￥1.25
975+
￥1.17

有货

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型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.31
30+
￥2.03
100+
￥1.69
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

有货

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型号：IPP050N10NF2S 编号：C5149848

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

5+
￥3.0146
50+
￥2.5135
150+
￥2.2987
500+
￥2.0307

有货

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型号：IPD068P03L3G 编号：C151546

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.83
30+
￥2.65
100+
￥2.47
500+
￥2.36
1000+
￥2.3

有货

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型号：IRFL014NTRPBF 编号：C57685

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.55
30+
￥2.26
100+
￥1.91
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：IRFB7446PBF 编号：C386379

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 120A

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.65
30+
￥2.33
100+
￥1.93
500+
￥1.76
1000+
￥1.65

有货

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型号：IRFU220NPBF 编号：C3027

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥2.84
30+
￥2.52
75+
￥1.83
525+
￥1.65
975+
￥1.54

有货

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型号：BSL207SP H6327 编号：C520636

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150℃。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.7012 ￥4.87
10+
￥3.0704 ￥4.04
30+
￥2.7512 ￥3.62
100+
￥2.432 ￥3.2
500+
￥2.242 ￥2.95
1000+
￥2.1508 ￥2.83

有货

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型号：BSC054N04NSG 编号：C501505

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3.27
30+
￥3.06
100+
￥2.84
500+
￥2.71
1000+
￥2.64

有货

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型号：BSZ22DN20NS3GATMA1 编号：C534716

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.83
30+
￥3.6
100+
￥3.37
500+
￥3.08
1000+
￥3

有货

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型号：IRF7842TRPBF 编号：C495809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻：在4.5V栅源电压下。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。隔离式DC-DC转换器的二次同步整流

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.47
30+
￥3.03
100+
￥2.58
500+
￥2.32
1000+
￥2.19

有货

立即购买

型号：BSC050N04LS G 编号：C534347

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册