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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
数据手册
  • 1+

    ¥5.97
  • 10+

    ¥4.82
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    ¥4.25
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    ¥3.68
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    ¥3.34
  • 1000+

    ¥3.16
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.41
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

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      ¥3.84
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      ¥3.32
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      ¥3.12
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  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
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      ¥6.98
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      ¥5.59
    • 30+

      ¥4.9
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      ¥3.64
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      ¥3.43
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  • N沟道 40V 240A
    数据手册
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      ¥7.48
    • 30+

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    • 100+

      ¥5.23
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      ¥4.84
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      ¥4.67
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  • N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V
    数据手册
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      ¥9.58
    • 10+

      ¥8.1
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      ¥6.57
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      ¥5.66
    • 500+

      ¥5.25
    • 1000+

      ¥5.07
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
    数据手册
    • 1+

      ¥15.09
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      ¥9.28
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  • N沟道,200V,94A,23mΩ@10V
    数据手册
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      ¥15.48
    • 10+

      ¥12.97
    • 25+

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      ¥9.79
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      ¥9.07
    • 1050+

      ¥8.75
  • 有货
  • N沟道,300V,16A,130mΩ@10V
    数据手册
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      ¥23.03
    • 10+

      ¥19.63
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      ¥17.62
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    • 1000+

      ¥14.21
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  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥32.02
    • 10+

      ¥27.52
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      ¥24.85
    • 100+

      ¥22.14
  • 有货
  • P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8387
    • 50+

      ¥0.6721
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      ¥0.5887
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      ¥0.5263
    • 3000+

      ¥0.4763
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  • N沟道,25V,5.8A,24mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.997
    • 50+

      ¥0.7834
    • 150+

      ¥0.6919
    • 500+

      ¥0.5777
    • 3000+

      ¥0.4821
  • 有货
  • N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
    数据手册
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      ¥1.5959
    • 50+

      ¥1.2629
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      ¥1.1791
    • 500+

      ¥1.0745
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      ¥1.028
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的处理技术,在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进,以增强热特性和多芯片能力,使其非常适合各种功率应用。通过这些改进,多个器件可在应用中使用,显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
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      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.73
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      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
  • N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.76
    • 10+

      ¥2.15
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.57
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    • 1000+

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  • P沟道 -30V -11A
    数据手册
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      ¥3.32
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    • 100+

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      ¥1.82
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      ¥1.73
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  • 英飞凌650V CoolMOS,10N65,Id=10A,10A650V
    数据手册
    • 1+

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      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

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      ¥3.14
    • 30+

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      ¥2.44
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥3.67
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    • 1000+

      ¥2.3
  • 有货
  • N沟道,55V,169A,5.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.93
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      ¥3
    • 100+

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    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.82
    • 10+

      ¥3.95
    • 30+

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    • 500+

      ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on),在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥2.96
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • N沟道 60V 56A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.01
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.02
    • 500+

      ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.57
  • 有货
  • 特性:优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。卓越的热阻。N 沟道,正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.86
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • 特性:N通道。 增强模式。 AEC合格。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3079 ¥13.61
    • 10+

      ¥3.6366 ¥12.54
    • 30+

      ¥2.2572 ¥11.88
    • 100+

      ¥2.1261 ¥11.19
    • 500+

      ¥2.0672 ¥10.88
    • 1000+

      ¥2.0425 ¥10.75
  • 有货
  • N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.43
    • 30+

      ¥3.92
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.96
  • 有货
  • 特性:针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。 额定温度为 175℃
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.16
    • 100+

      ¥3.62
    • 500+

      ¥3.3
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • P沟道 -40V -50A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.46
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • 该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.04
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.77
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.74
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on),VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.68
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.34
    • 500+

      ¥4.04
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