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描述

价格(含税)

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2个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRF7313TRPBF 编号：C117622

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.96
30+
￥2.59
100+
￥2.23
500+
￥1.99
1000+
￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:17A

型号：IRF530NSTRLPBF 编号：C169755

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A

数据手册

1+
￥4.53
10+
￥3.75
30+
￥3.36
100+
￥2.98
500+
￥2.17
800+
￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:42A

型号：IRFR3710ZTRPBF 编号：C52839

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,42A,18mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.25
10+
￥4.18
30+
￥3.65
100+
￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.63

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:169A

型号：IRF1405PBF 编号：C2559

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,169A,5.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.27
10+
￥4.39
50+
￥3.46
100+
￥3.03
500+
￥2.77
1000+
￥2.63

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC019N04LS 编号：C534301

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.41
10+
￥4.57
30+
￥4.15
100+
￥3.74
500+
￥3.49
1000+
￥3.36

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:21A

型号：BSC520N15NS3G 编号：C386368

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道，150V，21A

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.47
30+
￥3.88
100+
￥3.3
500+
￥2.96
1000+
￥2.78

有货

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耐压:80V 电流:100A

型号：BSC040N08NS5 编号：C534333

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.82
30+
￥4.28
100+
￥3.74
500+
￥3.42
1000+
￥3.25

有货

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1个N沟道耐压:40V

型号：IPD75N04S4-06 编号：C536872

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。增强模式。 AEC合格。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥5.9884 ￥13.61
10+
￥4.2636 ￥12.54
30+
￥2.8512 ￥11.88
100+
￥2.6856 ￥11.19
500+
￥2.6112 ￥10.88
1000+
￥2.58 ￥10.75

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:285A

型号：BSC010N04LS6ATMA1 编号：C7220836

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。额定温度为 175℃

1+
￥6.05
10+
￥4.97
30+
￥4.43
100+
￥3.89
500+
￥3.57
1000+
￥3.4

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:73A

型号：BSZ075N08NS5 编号：C534679

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥6.39
10+
￥5.29
30+
￥4.74
100+
￥4.2
500+
￥3.87
1000+
￥3.7

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:240A

型号：IRFS7430TRL7PP 编号：C500543

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 240A

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.89
30+
￥5.57
100+
￥4.59
500+
￥4.43
800+
￥4.36

有货

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2个P沟道耐压:20V 电流:9A

型号：IRF7324TRPBF 编号：C169765

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.62
30+
￥4.98
100+
￥4.27
500+
￥3.95
1000+
￥3.81

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:35A

型号：IRFR540ZTRPBF 编号：C537985

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.65
30+
￥4.99
100+
￥4.26
500+
￥3.93
1000+
￥3.78

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:160A

型号：IRLR8743TRPBF 编号：C51360

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥7
10+
￥5.66
30+
￥4.99
100+
￥4.33
500+
￥3.5
1000+
￥3.29

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:23A

型号：IRFP9140NPBF 编号：C2685

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥6.14
25+
￥5.51
100+
￥4.79
400+
￥4.47
800+
￥4.33

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:57A

型号：IRF3710STRLPBF 编号：C2616

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.42
10+
￥6.13
30+
￥5.48
100+
￥4.84
500+
￥4.08
800+
￥3.88

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.1A

型号：BSZ15DC02KDHXTMA1 编号：C3279308

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。共漏极。雪崩额定。工作温度175℃。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61246-21无卤

1+
￥7.86
10+
￥6.62
30+
￥5.93
100+
￥5.16
500+
￥4.82
1000+
￥4.67

有货

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1个N沟道耐压:80V

型号：BSZ070N08LS5 编号：C534678

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥8.14
10+
￥6.77
30+
￥6.02
100+
￥5.17
500+
￥4.79
1000+
￥4.62

有货

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1个P沟道耐压:40V

型号：IPD90P04P4L04ATMA2 编号：C3289172

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥8.35
10+
￥6.96
30+
￥6.2
100+
￥5.34
500+
￥4.95

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:36A

型号：BSC320N20NS3G 编号：C501501

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥8.73
10+
￥7.19
30+
￥6.34
100+
￥5.38
500+
￥4.96
1000+
￥4.76

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:76A

型号：BSC110N15NS5 编号：C412739

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。工作温度为150°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥9.22
10+
￥7.71
30+
￥6.88
100+
￥5.95
500+
￥5.53
1000+
￥5.35

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:180A

型号：IRFB3207PBF 编号：C2578

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.22
10+
￥7.81
50+
￥6.53
100+
￥5.66
350+
￥5.27
1050+
￥5.09

有货

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耐压:250V 电流:46A

型号：IRFB4229PBF 编号：C2653

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.82
10+
￥8.38
50+
￥6.67
100+
￥5.78
500+
￥5.38
1000+
￥5.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:33A

型号：IRF540NSTRRPBF 编号：C537773

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片

数据手册

1+
￥13.17
10+
￥11.47
30+
￥10.41
100+
￥9.32
500+
￥7.98
800+
￥7.76

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:17.5A

型号：IPB65R190CFDATMA2 编号：C6639839

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥25.47
10+
￥21.97
30+
￥19.89
100+
￥17.79

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：BSS816NWH6327 编号：C2939944

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。雪崩额定值。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

数据手册

5+
￥0.5888
50+
￥0.4794
150+
￥0.4247
500+
￥0.3836
3000+
￥0.3129
6000+
￥0.2965

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:98A

型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对直流-直流转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.81
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.69
500+
￥1.56
1000+
￥1.48

有货

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1个N沟道耐压:20V

型号：IRLHM620TRPBF 编号：C538149

封装：PQFN-8(3.1x3.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻 (RDSon < 2.5mΩ)。低至印刷电路板的热阻 (<3.4℃/W)。低外形 (< 1.0 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴和无卤素。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。二次侧同步整流MOSFET

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.47
30+
￥2.18
100+
￥1.82
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：BSL606SNH6327XTSA1 编号：C3279330

封装：TSOP-6-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；无卤；符合RoHS标准

1+
￥3.47
10+
￥2.73
30+
￥2.42
100+
￥2.02
500+
￥1.76
1000+
￥1.65

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A 2.3A

型号：IRF9952TRPBF 编号：C513186

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.19
30+
￥2.84
100+
￥2.5
500+
￥2
1000+
￥1.9

有货

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