英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFB3206PBF 编号：C2642

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,210A,3mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.08
10+
￥3.66
50+
￥3.02
100+
￥2.81
350+
￥2.69
1050+
￥2.62

有货

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型号：IPD60R400CE 编号：C459169

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥4.53
10+
￥3.76
30+
￥3.37
100+
￥2.98
500+
￥2.46
1000+
￥2.34

有货

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型号：IRF7821TRPBF 编号：C3001

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,13.6A,9.1mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.1
10+
￥4.15
30+
￥3.68
100+
￥3.21
500+
￥2.93
1000+
￥2.78

有货

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型号：BSC040N08NS5 编号：C534333

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.78
10+
￥4.7
30+
￥4.16
100+
￥3.63
500+
￥3.31
1000+
￥3.14

有货

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型号：IRF7855TRPBF 编号：C500522

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 12A

数据手册

1+
￥6.16
10+
￥5.15
30+
￥4.64
100+
￥4.14
500+
￥3.84
1000+
￥3.69

有货

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型号：IRF7324TRPBF 编号：C169765

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。

数据手册

1+
￥6.57
10+
￥5.42
30+
￥4.78
100+
￥4.07
500+
￥3.75
1000+
￥3.61

有货

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型号：IRFP260MPBF 编号：C2679

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥5.62
25+
￥4.26
100+
￥3.7
400+
￥3.37
800+
￥3.19

有货

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型号：IRF3710STRLPBF 编号：C2616

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.14
10+
￥5.87
30+
￥5.24
100+
￥4.62
500+
￥3.87
800+
￥3.67

有货

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型号：BSC035N10NS5 编号：C2832245

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

1+
￥9.79
10+
￥8.06
30+
￥7.11
100+
￥6.03
500+
￥5.55
1000+
￥5.33

有货

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型号：IRFP4229PBF 编号：C386339

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 250V 44A

数据手册

1+
￥10.7
10+
￥9.25
25+
￥8.46
100+
￥7.56
550+
￥7.16
1100+
￥6.98

有货

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型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥11.29
10+
￥10.32
30+
￥9.71
100+
￥9.09
500+
￥8.81
1000+
￥8.68

有货

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型号：IPD320N20N3G 编号：C501515

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥11.3
10+
￥9.66
30+
￥8.63
100+
￥7.57
500+
￥7.09
1000+
￥6.89

有货

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型号：IRF540NSTRRPBF 编号：C537773

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片

数据手册

1+
￥12.57
10+
￥10.88
30+
￥9.83
100+
￥8.75
500+
￥7.42
800+
￥7.21

有货

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型号：IRFS4115TRLPBF 编号：C53417

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,99A,12.1mΩ@10V

数据手册

1+
￥14.99
10+
￥12.61
30+
￥11.12
100+
￥9.59
500+
￥8.9
800+
￥8.6

有货

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型号：IPL60R075CFD7 编号：C537017

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施

数据手册

1+
￥19.46
10+
￥16.6
30+
￥14.81
100+
￥12.97
500+
￥12.14
1000+
￥11.78

有货

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型号：SPW17N80C3 编号：C50466

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

1+
￥19.62
10+
￥16.9
30+
￥14.18
90+
￥12.43
510+
￥11.65
990+
￥11.3

有货

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型号：IRFP3710PBF 编号：C2688

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,25mΩ@10V

数据手册

1+
￥20.02
10+
￥17.15
25+
￥14.67
100+
￥12.83

有货

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型号：ISC027N10NM6ATMA1 编号：C3278637

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素。根据J-STD-020标准MSL 1分类

1+
￥21.65
10+
￥18.75
30+
￥17.02
100+
￥14.63
500+
￥13.83

有货

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型号：BSS314PEH6327 编号：C151506

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,1.5A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.895
50+
￥0.7552
150+
￥0.6852
500+
￥0.38285 ￥0.403
3000+
￥0.34295 ￥0.361
6000+
￥0.323 ￥0.34

有货

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型号：IRFU120NPBF 编号：C3025

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.8649
50+
￥2.2246
150+
￥1.677
525+
￥1.3346
2475+
￥1.1821

有货

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型号：IRLU024NPBF 编号：C3024

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,65mΩ@10V，75/管

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.41
30+
￥2.13
75+
￥1.63
525+
￥1.47
975+
￥1.38

有货

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型号：IPD70R360P7S 编号：C151509

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.56
30+
￥2.29
100+
￥1.94
500+
￥1.71
1000+
￥1.62

有货

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型号：BSP129H6327 编号：C79340

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,240V,350mA,6Ω@10V

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥1.99
500+
￥1.5
1000+
￥1.4

有货

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型号：IRFB4115PBF 编号：C2651

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,104A,11mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.97
10+
￥3.59
30+
￥3.4
100+
￥2.52
500+
￥2.41
1000+
￥2.35

有货

立即购买

型号：BSC032N04LS 编号：C194147

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,98A,3.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.01
10+
￥3.2
30+
￥2.8
100+
￥2.4
500+
￥2.16
1000+
￥2.03

有货

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型号：IRF7319TRPBF 编号：C2760082

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8已通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，从而显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。

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