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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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耐压:600V 电流:20.7A
型号：SPP20N60C3 编号：C672089
封装：TO-220
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
数据手册

  • 1+

    ￥10.73

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    ￥9.04

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    ￥5.67
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：BSC035N10NS5 编号：C2832245
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥11.6

    • 10+

      ￥9.54

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      ￥6.57

    • 1000+

      ￥6.32
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    耐压:30V 电流:63A
    型号：BSC0906NS 编号：C534384
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6115

    • 50+

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    • 5000+

      ￥0.7842
  • 有货
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    耐压:30V 电流:86A
    型号：IRLR8726TRLPBF 编号：C67280
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
    数据手册

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      ￥1.7356

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      ￥0.7557
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    SIPMos小信号晶体管
    型号：BSP613PH6327 编号：C534578
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 适用于快速开关降压转换器。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.3

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      ￥2.56

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      ￥1.56
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
    型号：IPN60R600P7S 编号：C152668
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,10V,6A,600mΩ@10V
    数据手册

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      ￥3.43

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      ￥2.76

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      ￥2.42

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      ￥1.65
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    耐压:700V 电流:12.5A
    型号：IPD70R360P7S 编号：C151509
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V
    数据手册

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      ￥3.48

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      ￥1.79
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:11A
    型号：IRFU9024NPBF 编号：C163645
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
    数据手册

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      ￥3.74

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRF7319TRPBF 编号：C2760082
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8已通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，从而显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.08

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:14.7A
    型号：IPD60R400CE 编号：C459169
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册

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      ￥4.28

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    • 1000+

      ￥2.03
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：BSC067N06LS3G 编号：C24199
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册

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    • 500+

      ￥2.69

    • 1000+

      ￥2.56
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：IRFB4020PBF 编号：C2649
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
    数据手册

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      ￥4.92

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      ￥4.02

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      ￥3.57

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      ￥3.12

    • 500+

      ￥2.85

    • 1000+

      ￥2.71
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    耐压:150V 电流:50A
    型号：BSC190N15NS3G 编号：C534423
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.2

    • 10+

      ￥4.23

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    • 1000+

      ￥2.46
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：IPG20N06S4L-26 编号：C112995
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    双N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥5.24

    • 10+

      ￥4.32

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      ￥3.41

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      ￥2.88

    • 1000+

      ￥2.74
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:63A
    型号：IRLR3110ZTRPBF 编号：C67277
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.12

    • 10+

      ￥4.98

    • 30+

      ￥4.42

    • 100+

      ￥3.85

    • 500+

      ￥3.03

    • 1000+

      ￥2.85
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:62A
    型号：BSZ042N06NSATMA1 编号：C3279304
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

    • 1+

      ￥6.18

    • 10+

      ￥5.01

    • 30+

      ￥4.43

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      ￥3.85

    • 500+

      ￥3.5
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:62A
    型号：BSZ096N10LS5 编号：C534695
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥9.68

    • 10+

      ￥8.14

    • 30+

      ￥7.29

    • 100+

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    • 500+

      ￥5.91
  • 有货
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    N沟道 耐压:600V 电流:20.7A
    型号：SPW20N60C3 编号：C140446
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册

    • 1+

      ￥10.36

    • 10+

      ￥8.68

    • 30+

      ￥7.76

    • 90+

      ￥6.72

    • 510+

      ￥6.26
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
    型号：IPW60R180P7 编号：C467009
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥10.98

    • 10+

      ￥9.41

    • 30+

      ￥8.43

    • 90+

      ￥7.43

    • 480+

      ￥6.97

    • 960+

      ￥6.77
  • 有货
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    800V CoolMOSTM P7功率器件
    型号：IPA80R280P7 编号：C536421
    封装：TO-220F
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
    数据手册

    • 1+

      ￥13.48

    • 10+

      ￥11.58

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      ￥10.39

    • 100+

      ￥9.18

    • 500+

      ￥8.63

    • 1000+

      ￥8.39
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
    型号：SPP11N80C3 编号：C476111
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新的革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 超低栅极电荷。应用：具有高直流母线电压的工业应用。 开关应用（如有源钳位正激）
    数据手册

    • 1+

      ￥13.7

    • 10+

      ￥11.95

    • 50+

      ￥10.86

    • 100+

      ￥9.73

    • 500+

      ￥9.22
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:99A
    型号：BSC034N10LS5 编号：C534326
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
    数据手册

    • 1+

      ￥14.01

    • 10+

      ￥12.05

    • 30+

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      ￥9.18

    • 500+

      ￥8.62
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:64A
    型号：IPB200N25N3G 编号：C3279153
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流

    • 1+

      ￥18.15

    • 10+

      ￥15.46

    • 30+

      ￥13.87

    • 100+

      ￥12.26
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:650V 电流:43.3A
    型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.82

    • 10+

      ￥21.13

    • 30+

      ￥18.94

    • 90+

      ￥16.73

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:1.6A
    型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:2.6A
    型号：IRFL4315TRPBF 编号：C537930
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。 全面表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。 全面表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用：高频DC-DC转换器
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:29A
    型号：IRFZ34NPBF 编号：C21066
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:25V 电流:3.5A
    型号：IRF7105TRPBF 编号：C94064
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择
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    1个N沟道 耐压:240V 电流:0.35A
    型号：BSP129H6327 编号：C79340
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,240V,350mA,6Ω@10V
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
    型号：IRFU220NPBF 编号：C3027
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
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