英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR1205TRPBF 编号：C81467

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,44A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.51
30+
￥3.12
100+
￥2.73
500+
￥2.08
1000+
￥1.97

有货

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型号：IRF640NSTRLPBF 编号：C23708

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.61
30+
￥3.23
100+
￥2.85
500+
￥2.27
800+
￥2.15

有货

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型号：IRFS3607TRLPBF 编号：C22162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.73
10+
￥3.78
30+
￥3.3
100+
￥2.83
500+
￥2.48
800+
￥2.34

有货

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型号：IRFR4615TRLPBF 编号：C148159

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 33A

数据手册

1+
￥5.19
10+
￥4.32
30+
￥3.88
100+
￥3.45
500+
￥2.66
1000+
￥2.53

有货

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.37
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.04
1000+
￥2.88

有货

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型号：IRF7240TRPBF 编号：C27159

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.48
30+
￥3.92
100+
￥3.36
500+
￥3.03
1000+
￥2.85

有货

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型号：IRF5210STRLPBF 编号：C2622

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.03
30+
￥4.46
100+
￥3.89
500+
￥3.08
800+
￥2.9

有货

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型号：BSC117N08NS5 编号：C3278730

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥6.74
10+
￥5.48
30+
￥4.85
100+
￥4.22
500+
￥3.85
1000+
￥3.66

有货

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型号：IRFZ44NSTRLPBF 编号：C58228

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.53
30+
￥4.91
100+
￥4.3
500+
￥3.21
800+
￥3.02

有货

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型号：IRFB3077PBF 编号：C2641

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.27
10+
￥7.77
50+
￥6.19
100+
￥5.25
600+
￥4.84
900+
￥4.65

有货

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型号：IPW60R037CSFD 编号：C454260

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件，专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷（Qg）低且开关性能得到改善，该器件在目标市场中具备最高效率

数据手册

1+
￥22.24
10+
￥19.47
30+
￥15.27
90+
￥13.61
510+
￥12.84
990+
￥12.5

有货

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型号：IRLML2244TRPBF 编号：C169763

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-4.3A,54mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8261
50+
￥0.6572
150+
￥0.5728
500+
￥0.484025 ￥0.5095
3000+
￥0.43586 ￥0.4588
6000+
￥0.411825 ￥0.4335

有货

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型号：BSS139H6327 编号：C2998039

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。卷轴上带有VGS(th)指示器。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。根据AEC Q101认证

数据手册

5+
￥1.1713
50+
￥0.9393
150+
￥0.8398
500+
￥0.679915 ￥0.7157
3000+
￥0.570855 ￥0.6009
6000+
￥0.539315 ￥0.5677

有货

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型号：IRF9Z34NPBF 编号：C500523

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -55V -19A

数据手册

5+
￥1.9058
50+
￥1.5406
150+
￥1.3523
500+
￥1.1174
2700+
￥1.0128
5400+
￥0.95

有货

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型号：IRF7380TRPBF 编号：C22126

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.56
30+
￥2.25
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.59

有货

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型号：IRLL2705TRPBF 编号：C151552

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.37
10+
￥2.72
30+
￥2.44
100+
￥2.09
500+
￥1.47
1000+
￥1.38

有货

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型号：IRLR2905TRPBF 编号：C3010

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥3.74
30+
￥3.34
100+
￥2.94
500+
￥2.27
1000+
￥2.15

有货

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型号：BSZ070N08LS5 编号：C534678

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.73
30+
￥3.3
100+
￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.49

有货

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型号：IRF9310TRPBF 编号：C92305

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
30+
￥3.5
100+
￥2.99
500+
￥2.69
1000+
￥2.54

有货

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型号：BSC026N08NS5ATMA1 编号：C5955453

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于服务器和台式机中的同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合ReHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥7.59
10+
￥6.33
30+
￥5.64
100+
￥4.85
500+
￥4.51
1000+
￥4.35

有货

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型号：IRF1404ZSTRLPBF 编号：C537744

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，在每单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥8.84
10+
￥7.7
30+
￥7.08
100+
￥6.37
500+
￥6.06

有货

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型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥11.29
10+
￥10.32
30+
￥9.71
100+
￥9.09
500+
￥8.81
1000+
￥8.68

有货

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型号：IPA80R280P7 编号：C536421

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥13.48
10+
￥11.58
50+
￥10.39
100+
￥9.18
500+
￥8.63
1000+
￥8.39

有货

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型号：BSC077N12NS3G 编号：C534370

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度150℃。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥16.502 ￥22.3
10+
￥14.4004 ￥19.46
30+
￥13.1424 ￥17.76
100+
￥11.877 ￥16.05
500+
￥11.2924 ￥15.26
1000+
￥11.0334 ￥14.91

有货

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型号：IPB200N25N3G 编号：C3279153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

1+
￥18.15
10+
￥15.46
30+
￥13.87
100+
￥12.26
500+
￥11.52

有货

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型号：BSS214NWH6327 编号：C3247496

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.5971
50+
￥0.4866
150+
￥0.4314
500+
￥0.335314 ￥0.3899
3000+
￥0.285692 ￥0.3322
6000+
￥0.271416 ￥0.3156

有货

立即购买

型号：BSZ097N04LSG 编号：C412744

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品

数据手册