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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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1个N沟道 耐压:60V 电流:230mA
型号：VN2222LL-G-P003 编号：C629221
封装：TO-92-3
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
数据手册

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    1个N沟道 耐压:300V 电流:85mA
    型号：TN2130K1-G 编号：C626652
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:75mA
    型号：2N7000-G 编号：C618559
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：VP0106N3-G 编号：C632607
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:250mA
    型号：VN2450N8-G 编号：C629225
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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      ￥8.736
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：VP3203N8-G 编号：C629232
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这款低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:1200V 电流:22A
    型号：APT7M120B 编号：C3293089
    封装：TO-247-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Power MOS 7是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
    型号：TC6321T-V/9U 编号：C144225
    封装：VDFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:240V 电流:134mA
    型号：TN2124K1-G 编号：C626651
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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      ￥10.445861

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：VN0106N3-G 编号：C220802
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥4.1472 / 个
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    1个N沟道 耐压:350V 电流:200mA
    型号：DN3535N8-G 编号：C616349
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这款低阈值耗尽型（常开）晶体管采用了先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

    • 1+

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    1个N沟道 耐压:300V 电流:200mA
    型号：DN2530N3-G 编号：C618561
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道 耐压:450V 电流:200mA
    型号：DN3545N3-G 编号：C618563
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:316mA
    型号：TN5325N8-G 编号：C629198
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：2N7002-G 编号：C616191
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道 耐压:400V 电流:160mA
    型号：VN4012L-G 编号：C144200
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:120mA
    型号：VP2110K1-G 编号：C626717
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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      ￥4.85
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:350mA
    型号：VN0104N3-G-P013 编号：C629211
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥4.5144 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：VN0106N3-G-P003 编号：C629212
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.96

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    1个N沟道 耐压:350V 电流:135mA
    型号：DN3135N8-G 编号：C145606
    封装：SOT-89
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    DN3135是一款低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
    数据手册

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      ￥23.473415

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      ￥20.251573

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      ￥18.640653
    我要订货
    1个P沟道 耐压:60V 电流:250mA
    型号：VP2106N3-G 编号：C632610
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.98

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
    型号：VN2110K1-G 编号：C145708
    封装：SOT-23
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.98

    • 10+

      ￥7.51

    • 30+

      ￥6.7

    • 100+

      ￥5.79

    • 500+

      ￥5.38

    • 1000+

      ￥5.2
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:700mA
    型号：TN0604N3-G 编号：C220804
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥6.9984 / 个
    我要订货
    1个P沟道 耐压:220V 电流:700mA
    型号：TP5322K1-G 编号：C626656
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    TP5322低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:6V 电流:2A
    型号：MIC94053YC6-TR 编号：C626236
    封装：SC-70-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    • 30+

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      ￥5.06
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:215mA
    型号：TN5325N3-G 编号：C632584
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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      ￥8.57

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      ￥7.64

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      ￥6.32

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：TP0606N3-G-P003 编号：C629201
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：TP0606N3-G-P002 编号：C629200
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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      ￥11.04

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      ￥6.61
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:300mA
    型号：VN0808L-G 编号：C632598
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥7.3656 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:600V 电流:200mA
    型号：VN2460N8-G 编号：C145396
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥12.28

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      ￥11.84

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      ￥11.66
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