美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：VN2450N8-G 编号：C629225

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

1+
￥9.75
50+
￥9
100+
￥8.625
500+
￥8.4
1000+
￥8.25

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型号：APT7M120B 编号：C3293089

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Power MOS 7是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度

数据手册

1+
￥65.73
10+
￥63.77

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型号：TN2124K1-G 编号：C626651

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

50+
￥10.602331
200+
￥8.896534
500+
￥7.388647
1000+
￥6.220035

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型号：DN2450K4-G 编号：C147917

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥5.66
10+
￥5.47
30+
￥5.34
100+
￥5.21

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型号：VN0106N3-G 编号：C220802

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥6.17
10+
￥6.04
30+
￥5.96
100+
￥5.88

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型号：DN2530N3-G 编号：C618561

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥5.7888 / 个

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型号：DN3545N3-G 编号：C618563

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥6.95
30+
￥6.84
100+
￥6.73

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型号：VN4012L-G 编号：C144200

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥10.53 / 个

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型号：VP2110K1-G 编号：C626717

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥4.3524 / 个

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型号：VN0104N3-G-P013 编号：C629211

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥4.7304 / 个

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型号：TP2104N3-G-P003 编号：C629202

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥8.61
10+
￥7.16
30+
￥6.36
100+
￥5.46
500+
￥5.06
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￥4.88

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型号：VN0106N3-G-P003 编号：C629212

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥8.96
10+
￥7.45
30+
￥6.62
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￥5.68
500+
￥5.26
1000+
￥5.08

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型号：DN3135N8-G 编号：C145606

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

DN3135是一款低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

数据手册

15+
￥19.551316
100+
￥16.867802
1000+
￥15.526044

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型号：VP2106N3-G 编号：C632610

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥3.3804 / 个

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型号：VN2110K1-G 编号：C145708

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥8.98
10+
￥7.51
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￥6.7
100+
￥5.79
500+
￥5.38
1000+
￥5.2

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型号：TN0604N3-G 编号：C220804

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥9.05
10+
￥8.03
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￥7.52
100+
￥7.01
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￥6.66
1000+
￥6.5

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型号：TP5322K1-G 编号：C626656

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TP5322低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

数据手册

单价：
￥3.9636 / 个

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型号：MIC94053YC6-TR 编号：C626236

封装：SC-70-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥5.6916 / 个

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型号：TN5325N3-G 编号：C632584

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥10.25
10+
￥8.57
30+
￥7.64
100+
￥6.32
500+
￥5.86
1000+
￥5.65

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型号：TP0606N3-G-P003 编号：C629201

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.04
10+
￥9.38
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￥8.35
100+
￥7.29
500+
￥6.81
1000+
￥6.61

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型号：TP0606N3-G-P002 编号：C629200

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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单价：
￥6.264 / 个

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型号：VN0808L-G 编号：C632598

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥7.722 / 个

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型号：VN2460N8-G 编号：C145396

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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10+
￥26.845687
100+
￥23.160984
1000+
￥21.318634

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型号：TN2504N8-G 编号：C629192

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TN2504低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

数据手册

1+
￥12.86
10+
￥12.57
30+
￥12.37
100+
￥12.17

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型号：TN5335K1-G 编号：C626654

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥13.08
10+
￥11.18
30+
￥9.99
100+
￥8.77
500+
￥8.22
1000+
￥7.98

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型号：VN0606L-G 编号：C632597

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥7.722 / 个

我要订货

型号：TP2104K1-G 编号：C220621

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

单价：
￥4.3524 / 个

我要订货

型号：VN2410L-G 编号：C144193

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于各种需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。

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