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    TN0606低阈值增强型(常关)晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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  • 由六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引脚DFN封装。所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位,适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。
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  • Supertex公司的VP2206是一款增强型(常关)晶体管,采用垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)结构和Supertex公司成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特点,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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