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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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2个N沟道 耐压:250V 电流:1.1A
型号：DN2625DK6-G 编号：C612247
封装：DFN-8-EP(5x5)
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:32A
    型号：APT5015BVFRG 编号：C7452495
    封装：TO-247
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度地减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

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    1个P沟道 耐压:6V 电流:1.8A
    型号：MIC94050YM4-TR 编号：C626234
    封装：SOT-143
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是4引脚硅栅P沟道MOSFET，在非常小的封装中提供低导通电阻。专为空间至关重要的高端开关应用而设计，在4.5V栅源电压下，导通电阻典型值为0.125Ω，也可在仅1.8V栅源电压下工作。4引脚SOT-143封装允许衬底连接与源极连接分开，这种4引脚配置改善了热阻（提高了散热性），并使反向阻断开关应用成为可能。小尺寸、低阈值和低RDS(on)使其成为PCMCIA、USB、备用电池供电和分布式电源管理应用的理想选择。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:30mA
    型号：LND150N3-G-P003 编号：C629120
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:750mA
    型号：VN10KN3-G 编号：C632599
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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    1个N沟道 耐压:250V 电流:300mA
    型号：DN3525N8-G 编号：C616348
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    DN3525是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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    1个N沟道 电流:120mA
    型号：DN2540N3-G 编号：C58418
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:430mA
    型号：TP0604N3-G 编号：C632585
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗与正温度系数。具有无热失控和热致二次击穿的特点，非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道 耐压:400V 电流:500mA
    型号：TN2640K4-G 编号：C629196
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    低阈值增强模式（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。适合用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:58A
    型号：APT50M65JFLL 编号：C3288572
    封装：SOT-227B-4
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:22A
    型号：APT12057B2LLG 编号：C6506786
    封装：TO-247-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：VN2106N3-G 编号：C150771
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Supertex VN2106 是一款增强型（常开）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种具备双极晶体管功率处理能力，同时拥有 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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    1个P沟道 耐压:60V
    型号：TP0606N3-G 编号：C632586
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道 耐压:400V 电流:1A
    型号：TN2540N3-G 编号：C632582
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗及正温度系数。具备 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:750mA
    型号：TP0620N3-G 编号：C632587
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：VP3203N3-G 编号：C632612
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道
    型号：ARF463AP1G 编号：C6798056
    封装：TO-247
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥374.5
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:230mA
    型号：2N7008-G 编号：C618560
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    2N7008是一款低阈值增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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    1个N沟道 耐压:250V
    型号：TN5325K1-G 编号：C626653
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    利用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:1.1A
    型号：DN2625K4-G 编号：C618542
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一种低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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    1个N沟道 耐压:240V 电流:190mA
    型号：VN2406L-G 编号：C632603
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这种增强模式（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极晶体管功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。所有 MOS 结构的特点是，该器件无热失控和热致二次击穿。Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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      ￥15.43
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:50mA
    型号：VN0550N3-G 编号：C632596
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥19.01

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    1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:29A
    型号：APT28M120B2 编号：C6861532
    封装：TO-247-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥274.45

    • 30+

      ￥263.2
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:1.6A
    型号：TP2104N3-G 编号：C632588
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:13mA
    型号：LND250K1-G 编号：C625119
    封装：SOT-23-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是高压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于高压应用，如常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大。
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    • 1+

      ￥10.99

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:640mA
    型号：VN0300L-G 编号：C632595
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:1.2A
    型号：TC2320TG-G 编号：C624902
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数，无热失控和热致二次击穿现象。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:260mA
    型号：TP2520N8-G 编号：C629206
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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      ￥21.5

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:300mA
    型号：DN3765K4-G 编号：C618543
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这种耗尽型（常开）晶体管采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件无热失控和热致二次击穿问题。适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

    • 1+

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    TC8020K6-G
    型号：TC8020K6-G 编号：C633778
    封装：HVQFN-56-EP(8x8)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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