美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DN2450N8-G 编号：C616346

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥7.76
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￥7.58
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￥7.46

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型号：TN5325K1-G 编号：C626653

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

利用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥9.12
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￥6.72

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型号：TP0604N3-G 编号：C632585

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗与正温度系数。具有无热失控和热致二次击穿的特点，非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥13.44
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￥13.16
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￥12.97

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型号：TP0620N3-G 编号：C632587

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥18.86
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￥18.49
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￥18.25

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型号：VP3203N3-G 编号：C632612

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥20.42
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￥20.1
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￥19.88

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型号：ARF463AP1G 编号：C6798056

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥380.91
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￥364.9

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型号：TN2106N3-G 编号：C632581

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥10.41
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￥8.81
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￥7.94

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型号：VN2406L-G 编号：C632603

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强模式（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极晶体管功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。所有 MOS 结构的特点是，该器件无热失控和热致二次击穿。Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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1+
￥15.6
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￥15.28
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￥15.06

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型号：VN0550N3-G 编号：C632596

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥17.41
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型号：TN2640K4-G 编号：C629196

封装：TO-252(DPAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低阈值增强模式（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。适合用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥24.47
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￥23.96
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型号：DN2625DK6-G 编号：C612247

封装：DFN-8-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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￥35.73
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￥30.95
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￥28.1

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型号：APT13F120B 编号：C7459171

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Power MOS 8* 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过缩短 tΓ、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss/Ciss 比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗

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￥94.96
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￥91.64

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型号：APT28M120B2 编号：C6861532

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥256.46

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型号：2N7008-G 编号：C618560

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2N7008是一款低阈值增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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￥3.42
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￥3.35
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￥3.3

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型号：MIC94050YM4-TR 编号：C626234

封装：SOT-143

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是4引脚硅栅P沟道MOSFET，在非常小的封装中提供低导通电阻。专为空间至关重要的高端开关应用而设计，在4.5V栅源电压下，导通电阻典型值为0.125Ω，也可在仅1.8V栅源电压下工作。4引脚SOT-143封装允许衬底连接与源极连接分开，这种4引脚配置改善了热阻（提高了散热性），并使反向阻断开关应用成为可能。小尺寸、低阈值和低RDS(on)使其成为PCMCIA、USB、备用电池供电和分布式电源管理应用的理想选择。

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￥4.76
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￥4.65
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￥4.58

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型号：LND150N3-G-P003 编号：C629120

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。

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￥5.59
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型号：TP2104N3-G 编号：C632588

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥7.07
10+
￥6.93
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￥6.83

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型号：TP5322N8-G 编号：C629210

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥9.44
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￥9.22
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型号：VN0300L-G 编号：C632595

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥9.34

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型号：TC2320TG-G 编号：C624902

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数，无热失控和热致二次击穿现象。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥16.73
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￥16.34
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￥16.09

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型号：TP2520N8-G 编号：C629206

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥20.94
10+
￥20.5
30+
￥20.2

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型号：TP2522N8-G 编号：C629207

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥21.38
10+
￥20.89
30+
￥20.56

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型号：TC6215TG-G 编号：C624977

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1+
￥21.52
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￥21.02
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￥20.7

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型号：VN0550N3-G-P013 编号：C629214

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥22.57
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￥22.06
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￥21.72

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型号：TP2640N3-G 编号：C632592

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种低阈值、增强模式（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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￥32.07
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型号：DN3765K4-G 编号：C618543

封装：TO-252(DPAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种耗尽型（常开）晶体管采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件无热失控和热致二次击穿问题。适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。