美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：APT5015BVFRG 编号：C7452495

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度地减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

1+
￥156.96
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￥152.29

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型号：APT30M70BVRG 编号：C7450755

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

1+
￥166.07
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￥161.64

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型号：APT6025BVRG 编号：C3293085

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥183.29
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￥174.51

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型号：VN0104N3-G 编号：C632593

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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1+
￥5.82
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￥5.69
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￥5.61

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型号：TP0606N3-G 编号：C632586

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥9.47
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￥9.28
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￥9.15

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型号：TN2540N8-G 编号：C629195

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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1+
￥14.7
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￥14.4
30+
￥14.2

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型号：DN2625K4-G 编号：C618542

封装：TO-252(DPAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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1+
￥14.91
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￥14.58
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型号：IRFIZ48NPBF 编号：C511315

封装：TO-220

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥17.61
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￥17.29
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型号：VP0808L-G 编号：C632609

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。适用于需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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1+
￥17.63
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￥17.29
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￥17.06

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型号：VN2222LL-G 编号：C152170

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于各种开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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10+
￥8.8205
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￥7.6245
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￥6.348
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型号：LND150N3-G 编号：C631704

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高压 N 沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向 DMOS 技术，栅极具备 ESD 保护。非常适合在常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用领域使用。

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100+
￥4.4016
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￥4.323
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￥4.2444

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型号：TN2504N8-G 编号：C629192

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TN2504低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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1+
￥12.86
10+
￥12.57
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￥12.37
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￥12.17

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型号：2N6660 编号：C618544

封装：TO-5-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种增强型（常开）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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单价：
￥140.38 / 个

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型号：MCP87130T-U/LC 编号：C220835

封装：DFN-8(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

N沟道,25V,43A

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1+
￥3.52
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￥3.45
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￥3.41
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￥3.36

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型号：TN0106N3-G 编号：C144366

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥4.21
10+
￥3.43
30+
￥3.04
100+
￥2.65
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￥2.42
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￥2.3

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型号：LND250K1-G 编号：C625119

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于高压应用，如常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大。

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100+
￥3.9088
200+
￥3.839
500+
￥3.7692

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型号：DN2540N5-G 编号：C80871

封装：TO-220

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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