美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：APT30M70BVRG 编号：C7450755

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

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￥166.07
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型号：VN0104N3-G 编号：C632593

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：TN2106N3-G 编号：C632581

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：IRFIZ48NPBF 编号：C511315

封装：TO-220

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：VP0808L-G 编号：C632609

封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。适用于需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：VP2450N8-G 编号：C144242

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

VP2450是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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型号：2N6660 编号：C618544

封装：TO-5-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种增强型（常开）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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￥140.38 / 个

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型号：MCP87130T-U/LC 编号：C220835

封装：DFN-8(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

N沟道,25V,43A

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型号：TN0106N3-G 编号：C144366

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：TN2106K1-G 编号：C145707

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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型号：MIC94052YC6-TR 编号：C87380

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC94052/94053是低导通电阻的P沟道MOSFET，最大导通电阻为84mΩ。它们采用Teeny SC70 - 6封装。MIC94052/3专为对空间要求严苛的高端开关应用而设计，在栅源电压为4.5V时，典型导通电阻为70mΩ

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￥5.5944 / 个

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型号：DN2450N8-G 编号：C616346

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.6636 / 个

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型号：LP0701N3-G 编号：C631705

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥14.472 / 个

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型号：DN3535N8-G 编号：C616349

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这款低阈值耗尽型（常开）晶体管采用了先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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￥6.57
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￥6.29
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型号：VP0109N3-G 编号：C148053

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.0804 / 个

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型号：MCP87130T-U/MF 编号：C623917

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：DN3135K1-G 编号：C184467

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：DN2530N8-G 编号：C93146

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥3.5
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型号：TC6321T-V/9U 编号：C144225

封装：VDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LND150N3-G-P002 编号：C629119

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LND150N3-G-P013 编号：C629121

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LND150N3-G-P014 编号：C629122

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.55
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￥5.44
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型号：VN2222LL-G-P013 编号：C629222

封装：TO-92-3

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型号：MIC94051YM4-TR 编号：C626235

封装：SOT-143

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥4.7304 / 个

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型号：VN2222LL-G-P003 编号：C629221

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.6
10+
￥5.34
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型号：TN2130K1-G 编号：C626652

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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1+
￥6.73
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￥5.47
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￥4.84
100+
￥4.22
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￥3.84
1000+
￥3.65

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型号：2N7000-G 编号：C618559

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.8
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￥5.69
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￥5.08
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型号：TN5325N8-G 编号：C629198

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥7.58
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￥6.3
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￥5.6
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￥4.81
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￥4.45
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型号：2N7002-G 编号：C616191

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥6.5
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￥5.79
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￥5
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￥4.43
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￥4.27

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封装：TO-92

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这种增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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