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首页 > 热门关键词 > TIMOS驱动
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UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管,以及具有独立输入的高端和低端驱动器,可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断时间匹配精度达1ns
数据手册
  • 1+

    ¥10.11
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    ¥8.33
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    ¥7.35
  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
    数据手册
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      ¥14.34
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  • CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
    数据手册
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    • 30+

      ¥14.33
  • 有货
  • DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器
    数据手册
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      ¥16.56
    • 10+

      ¥14.05
    • 30+

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    • 100+

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      ¥16.83
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  • DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器
    数据手册
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    • 30+

      ¥22.17
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  • DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器
    数据手册
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      ¥29.4
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      ¥25.16
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      ¥22.64
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  • DRV8350 102V(最大值)三相智能栅极驱动器
    数据手册
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      ¥32.88
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    • 30+

      ¥25.18
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  • TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器,与外部功率开关结合使用时,可构成一个完整的隔离式固态继电器(SSR)。其标称栅极驱动电压为15 V,峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A,可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源,因此无需隔离的次级电源偏置。此外,TPSI3052可根据各种应用需求,选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下(通常用于驱动机械继电器),控制开关仅需两个引脚,且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下,3 V至5.5 V的初级电源由外部提供,开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器(SCR)非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨,用于驱动各种功率开关,无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关,或用于交流应用的双背对背功率开关,以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比,TPSI3052集成的隔离保护极为可靠,具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一,可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求,这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。
    • 1+

      ¥44.98
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      ¥38.29
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    • 30+

      ¥48.32
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  • DRV2624 具有波形存储器、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器
    数据手册
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      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.84
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  • 具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140
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      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.6
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  • DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥4.32
    • 30+

      ¥3.78
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      ¥3.25
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  • CSD95379Q3M 同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M
    数据手册
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      ¥6.02
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      ¥5.88
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      ¥5.79
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    • 30+

      ¥4.73
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和负输入电压处理能力的汽车 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140
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      ¥6.79
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      ¥5.6
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      ¥4.95
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      ¥4.21
  • 有货
  • LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器
    数据手册
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      ¥7.08
    • 10+

      ¥6.92
    • 30+

      ¥6.81
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  • TPS2812 具有内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器
    数据手册
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      ¥7.7453 ¥10.61
    • 10+

      ¥5.9094 ¥9.38
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    • 100+

      ¥4.0863 ¥7.71
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    • 1000+

      ¥3.8107 ¥7.19
  • 有货
  • UCC27524A-Q1 具有负输入电压能力的双路 5A 高速低侧栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.96
    • 10+

      ¥6.56
    • 30+

      ¥5.79
  • 有货
  • UCC27611是一款针对5V驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器,它专门用来对增强模式GaNFET进行寻址。驱动电压VREF被内部线性稳压器精确稳压至5V。UCC27611提供4A拉电流和6A灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥6.61
    • 30+

      ¥5.82
    • 100+

      ¥4.92
  • 有货
  • LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.14
    • 10+

      ¥7.96
    • 30+

      ¥7.84
  • 有货
  • 具有反相输入、分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70
    数据手册
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      ¥8.63
    • 10+

      ¥7.08
    • 30+

      ¥6.23
  • 有货
  • 高速驱动器在业界通用引脚排列中提供9A峰值驱动电流。这些驱动器可以为由于高dV/dt转换而需要极端米勒电流的系统驱动较大的MOSFET。这样无需额外的外部电路,并且可以替换多个元件,以减少空间,降低设计复杂性和组装成本。提供两种标准逻辑选项:反相和同相
    数据手册
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      ¥9.07
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      ¥7.45
    • 30+

      ¥6.56
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  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.94
    • 30+

      ¥7
  • 有货
  • LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥8.27
    • 30+

      ¥7.32
  • 有货
  • LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.93
    • 10+

      ¥8.34
    • 30+

      ¥7.35
    • 100+

      ¥6.33
  • 有货
  • TPS2814 具有 2 个与门输入(每个输出各一个)的 2A/2A 双路栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.68
    • 10+

      ¥8.97
    • 30+

      ¥7.9
  • 有货
  • LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.99
    • 10+

      ¥11.68
    • 30+

      ¥11.48
    • 100+

      ¥11.27
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.2422 ¥18.14
    • 10+

      ¥10.7856 ¥17.12
    • 30+

      ¥8.7556 ¥16.52
    • 250+

      ¥8.4323 ¥15.91
    • 500+

      ¥8.2839 ¥15.63
    • 1000+

      ¥8.215 ¥15.5
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