TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥18.7
10+
￥15.72
30+
￥13.85

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型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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1+
￥25.48
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￥22.51
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￥21

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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1+
￥28.82
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￥24.66
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￥22.2

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型号：DRV8350RSRGZR 编号：C2150748

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350R 具有降压稳压器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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1+
￥29.1
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￥28.4
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￥27.93

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型号：DRV83053QPHPQ1 编号：C701115

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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1+
￥66.66
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￥64.55

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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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1+
￥72.4
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￥65.24
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￥60.67

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型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

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￥80.93
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￥77.9

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型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

品牌：TI(德州仪器)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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1+
￥111.89
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￥101.43
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￥97.63

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型号：LMG3422R030RQZR 编号：C5218872

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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￥114.57
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￥109.31
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￥100.21

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型号：UCC27444DR 编号：C35949002

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27444是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27444的典型峰值驱动强度为4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化，控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

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1+
￥4.05
10+
￥3.95
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￥3.88

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型号：UCC24624DT 编号：C2862170

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

用于 LLC 转换器的高频双路同步整流器控制器 8-SOIC -40 to 125

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1+
￥5.28
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￥4.24
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型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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￥6.85
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￥5.66
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￥5.01
100+
￥3.97

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型号：UCC27524A1QDGNRQ1 编号：C2677103

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和负输入电压处理能力的汽车 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

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￥7.02
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￥5.84
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￥5.18
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￥4.44

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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￥7.23
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￥6.01
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￥5.34

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型号：DRV8300DIPWR 编号：C2862908

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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￥7.4
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￥6.15
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￥5.46
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￥4.68

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型号：UCC27532DBVR 编号：C2677173

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

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1+
￥7.61
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￥6.41
30+
￥5.75
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￥5

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型号：UCC27524AQDRQ1 编号：C544585

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524A-Q1 具有负输入电压能力的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

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￥8.73
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￥7.3
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￥6.52
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￥5.63

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型号：UCC27424QDRQ1 编号：C2676923

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器，能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项：双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装

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1+
￥9.53
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￥7.85
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￥6.93

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型号：LM5112MYX/NOPB 编号：C2676966

封装：MSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器

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1+
￥9.81
10+
￥8.31
30+
￥7.36

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型号：UCC27537DBVT 编号：C2877709

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥9.96
10+
￥8.45
30+
￥7.51

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型号：LM5111-2MYX/NOPB 编号：C2862763

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥10.01
10+
￥9.78
30+
￥9.62

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型号：UCC27423DGNR 编号：C781810

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27423 具有启动的双路 4A MOSFET 驱动器

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￥10.13
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￥8.6
30+
￥7.64
100+
￥6.66

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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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￥10.45
10+
￥10.19
30+
￥10.02

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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1+
￥10.5
10+
￥8.73
30+
￥7.75

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型号：LM5134AMFX/NOPB 编号：C3655646

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器

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1+
￥11.15
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￥9.47
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￥8.41

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型号：LM5110-2SD/NOPB 编号：C1880274

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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1+
￥11.8
10+
￥10.49
30+
￥9.57

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型号：UCC27332QDGNRQ1 编号：C33328035

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

是单通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和GaN功率开关。典型峰值驱动强度为9A，可减少功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。小传播延迟通过改善系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能，产生更好的功率级效率。可处理输入上的 -5V，提高了具有适度接地反弹的系统的稳健性

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