TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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1+
￥25.82
10+
￥22.81
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￥21.27

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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1+
￥27.38
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￥23.23
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￥20.76

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型号：CSD95372BQ5M 编号：C2879243

封装：SON-12-EP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95372BQ5M 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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￥29.15
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￥24.72
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￥22.1

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型号：UCC27311AQDRCRQ1 编号：C41730487

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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￥30.44
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￥25.9
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￥23.2

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥31.8
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￥27.08
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￥24.2

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型号：DRV83053QPHPRQ1 编号：C701777

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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￥31.97
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￥27.09
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型号：DRV83053QPHPQ1 编号：C701115

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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￥66.66
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￥64.55

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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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1+
￥68.04
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￥60.88
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￥56.3

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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￥76.06
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型号：DRV3256PEPAPRQ1 编号：C6935137

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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￥104.58
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型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)

品牌：TI(德州仪器)

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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￥107.21
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型号：LMG3422R030RQZR 编号：C5218872

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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￥110.16
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￥100.27
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型号：LM2103DR 编号：C22428474

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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￥3.52
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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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￥7.9
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型号：UCC27424QDRQ1 编号：C2676923

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器，能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项：双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装

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￥8.13
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型号：UCC27423DGNR 编号：C781810

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27423 具有启动的双路 4A MOSFET 驱动器

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￥9.51
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￥7.98
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￥7.02
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型号：LM5111-2MYX/NOPB 编号：C2862763

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥10.01
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￥9.78
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型号：LM5114BSD/NOPB 编号：C2676975

封装：WSON-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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￥10.14
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￥9.91
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型号：LM5110-2SD/NOPB 编号：C1880274

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥11.8
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￥10.49
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￥9.57
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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥12.71
10+
￥10.66
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￥9.38

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型号：TPS2815DR 编号：C2677153

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2815 具有 2 个与非门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

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1+
￥16.84
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￥14.15
30+
￥12.47

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型号：CSD95496QVMT 编号：C701756

封装：VSON-18-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95496QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 40A 同步降压 NexFET 智能功率级

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1+
￥17.17
10+
￥16.77
30+
￥16.5

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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1+
￥17.46
10+
￥17.03
30+
￥16.75

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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥17.48
10+
￥17.06
30+
￥16.77

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型号：LM5105SDX/NOPB 编号：C2677073

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥17.57
10+
￥14.89
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￥13.29

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型号：LM5101ASD/NOPB 编号：C181591

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥18.99
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￥16.1
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￥14.37

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型号：UCC27284QDRQ1 编号：C3654891

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。由于具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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